NPN BC107 - BC108 - BC109
低噪声通用音频放大器
该BC107 ， BC108和BC109的硅平面外延NPN晶体管安装在TO- 18
金属包装。
它们适合于在驱动器的音频级，低噪声的输入音频段和低功率应用，
高增益通用晶体管。
互补PNP是BC177 ， BC178和BC179 。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压（I
B
=0)
集电极 - 基极电压（I
E
=0)
发射极 - 基极电压（I
C
=0)
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
@ T
AMB
= 25°
结温
存储温度范围
BC107
45
50
6
BC108
20
30
5
100
200
300
175
-65到+150
BC109
20
30
5
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
TJ = 25 ° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
V
CB
= 20 V
I
E
= 0
BC107
BC108
BC109
BC107
BC108
BC109
BC107
BC108
BC109
BC107
BC108
BC109
BC107
BC108
BC109
BC107
BC108
BC109
民
-
典型值
-
最大
15
单位
nA
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 20 V
I
E
= 0 V
T
j
= 150°C
V
EB
= 5 V
I
C
= 0
I
C
= 10毫安
I
B
= 0
I
C
= 10 A
V
BE
= 0
-
-
15
A
I
EBO
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
-
45
20
20
50
30
30
5
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
-
-
-
-
-
nA
V
首席执行官
V
V
CBO
V
V
EBO
发射极 - 基极击穿我
E
= 10 A
I
C
= 0
电压
V
25/09/2012
半导体COMSET
1/3
NPN BC107 - BC108 - BC109
符号
评级
测试条件（S ）
I
C
= 10毫安
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安
I
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安
I
B
= 5毫安
I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V
V
BE
基射极电压
I
C
= 10毫安
V
CE
= 5
BC107
BC108
BC109
BC107
BC108
BC109
BC107
BC108
BC109
BC107
BC108
BC109
BC107
BC108
BC109
BC107
BC108
BC109
BC107A
BC108A
BC109A
BC107B
BC108B
BC109B
BC107C
BC108C
BC109C
BC107A
BC108A
BC109A
BC107B
BC108B
BC109B
BC107C
BC108C
BC109C
BC107
BC108
BC109
民
-
典型值
0.09
最大
0.25
单位
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
V
-
0.2
0.6
-
0.70
-
V
V
BE （ SAT ）
基射极饱和
电压
-
0.9
-
0.55
0.65
0.7
V
-
-
0.77
-
90
-
I
C
= 10 A
V
CE
= 5 V
40
150
-
100
270
-
-
h
FE
直流电流增益（ * ）
110
-
220
I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V
200
-
450
420
-
800
f
T
跃迁频率
I
C
= 10 mA时， V
CE
=5V
F = 100 MHz的
100
-
-
-
-
-
-
-
-
4
-
10
10
4
6
兆赫
F
噪声系数
I
C
= 200 μA V
CE
BC107
=5V
BC108
F = 1kHz时
R
g
= 2k
B = 200Hz的
BC109
I
E
= 0
V
CB
= 10 V
F = 1MHz的
BC177
BC178
BC179
db
C
C
集电极电容
pF
25/09/2012
半导体COMSET
2/3
NPN BC107 - BC108 - BC109
热特性
符号
R
THJ -A
R
THJ -C
评级
热阻，结到安装底座
热阻，结到环境中的自由空气
价值
500
200
单位
° C / W
° C / W
机械数据案例TO- 18
外形尺寸（mm ）
民
A
B
C
D
E
F
G
H
I
L
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
案例：
12.7
-
0.9
-
-
-
2.54
-
-
45°
最大
-
0.49
-
5.3
4.9
5.8
-
1.2
1.16
-
辐射源
BASE
集热器
集热器
2012年8月
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25/09/2012
半导体COMSET
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