BSB024N03LX摹
的OptiMOS
TM
2功率MOSFET
特点
无铅电镀;符合RoHS标准
双面冷却
薄型（ <0.7毫米）
100 ％雪崩测试
合格消费级应用程序
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
优化的高开关频率DC / DC转换器
低寄生电感
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
30
2.4
145
V
m
A
MG-WDSON-2
兼容的DirectFET封装MX占位面积和轮廓
1)
TYPE
BSB024N03LX摹
包
MG-WDSON-2
概要
MX
记号
0603
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=10 V,
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 45 K / W
2)
漏电流脉冲
3)
雪崩电流，单脉冲
4)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
1)
价值
145
92
27
400
50
220
±20
单位
A
I
D，脉冲
I
AS
E
AS
V
GS
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=50 A,
R
GS
=25
mJ
V
CanPAK
TM
采用国际整流器公司授权的DirectFET 技术。的DirectFET是注册
商标国际整流器公司。
修订版2.0
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2009-05-11
BSB024N03LX摹
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
功耗
符号条件
P
合计
T
C
=25 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 45 K / W
2)
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j
,
T
英镑
价值
78
2.8
-40 ... 150
55/150/56
°C
单位
W
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
R
thJC
底部
顶部
器件在PCB上
R
thJA
6厘米
2
散热面积
2)
-
-
-
1.0
-
-
1.6
45
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=25 A
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A
栅极电阻
跨
2)
30
1
-
-
-
0.1
-
2.2
1
V
A
-
-
-
-
-
10
10
3.4
2.0
0.6
100
100
100
4.2
2.4
-
-
S
nA
m
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=30 A
50
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
参见图3详细信息
3)
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