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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第391页 > BC848ALT1G
BC846ALT1系列
BC846 ， BC847和BC848的首选设备
通用
晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
符号
V
首席执行官
65
45
30
V
CBO
80
50
30
V
EBO
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
连续集电极电流 -
I
C
6.0
6.0
5.0
100
MADC
VDC
VDC
1
2
无铅包可用
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值 - 人体模型： >4000 V
ESD额定值
- 机器型号： >400 V
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
集电极 - 基极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
发射极 - 基极电压
价值
单位
VDC
2
辐射源
3
SOT23
CASE 318
类型6
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
标记图
XXD
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
单位
mW
xx
D
=具体设备守则
=日期代码
1.8
R
qJA
P
D
556
300
毫瓦/°C的
° C / W
mW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 修订版6
出版订单号：
BC846ALT1/D
BC846ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10 mA）的
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC847A ， B，C BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B ，
BC849B ， BC850B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
15
5.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
I
CBO
nA
mA
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基地发射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
4.0
兆赫
pF
dB
图1 。
http://onsemi.com
2
BC846ALT1系列
BC847 ， BC848 ， BC849 ， BC850
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
图1.归DC电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
C
ob
2.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
图4.基射极温度系数
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
20
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
40
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
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3
BC846ALT1系列
BC846
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
10
100
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
A
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50
10 20
5.0
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
图7.直流电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
20毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
1.0
1.4
1.8
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
q
VB
对于V
BE
2.2
2.6
3.0
-55 ° C至125°C
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
0.2
0.5
50
10 20
5.0
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
F T ，电流增益 - 带宽积
40
500
200
100
50
20
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
10
6.0
4.0
C
ob
2.0
0.1
0.2
1.0 2.0
10 20
0.5
5.0
V
R
，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
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4
BC846ALT1系列
订购信息
设备
BC846ALT1
BC846ALT3
BC846BLT1
BC846BLT3
BC847ALT1
BC847ALT1G
BC847BLT1
BC847CLT1
BC847CLT1G
BC847CLT3
BC847CLT3G
BC848ALT1
BC848ALT1G
BC848BLT1
BC848BLT3
BC848CLT1
BC848CLT1G
BC849BLT1
BC849BLT3
BC849CLT1
BC849CLT1G
BC850BLT1
BC850CLT1
BC850CLT1G
记号
1A
1A
1B
1B
1E
1E
1F
1G
1G
1G
1G
1J
1J
1K
1K
1L
1L
2B
2B
2C
2C
2F
2G
2G
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子， BRD8011 / D 。
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BC846ALT1系列
BC846 ， BC847和BC848的首选设备
通用
晶体管
NPN硅
特点
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集热器
3
1
BASE
符号
V
首席执行官
65
45
30
V
CBO
80
50
30
V
EBO
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
连续集电极电流 -
I
C
6.0
6.0
5.0
100
MADC
VDC
VDC
1
2
无铅包可用
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值 - 人体模型： >4000 V
ESD额定值
- 机器型号： >400 V
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
集电极 - 基极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
发射极 - 基极电压
价值
单位
VDC
2
辐射源
3
SOT23
CASE 318
类型6
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
标记图
XXD
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
单位
mW
xx
D
=具体设备守则
=日期代码
1.8
R
qJA
P
D
556
300
毫瓦/°C的
° C / W
mW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 修订版6
出版订单号：
BC846ALT1/D
BC846ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10 mA）的
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC847A ， B，C BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B ，
BC849B ， BC850B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
15
5.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
I
CBO
nA
mA
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基地发射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
4.0
兆赫
pF
dB
图1 。
http://onsemi.com
2
BC846ALT1系列
BC847 ， BC848 ， BC849 ， BC850
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
图1.归DC电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
C
ob
2.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
图4.基射极温度系数
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
20
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
40
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
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3
BC846ALT1系列
BC846
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
10
100
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
A
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50
10 20
5.0
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
图7.直流电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
20毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
1.0
1.4
1.8
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
q
VB
对于V
BE
2.2
2.6
3.0
-55 ° C至125°C
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
0.2
0.5
50
10 20
5.0
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
F T ，电流增益 - 带宽积
40
500
200
100
50
20
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
10
6.0
4.0
C
ob
2.0
0.1
0.2
1.0 2.0
10 20
0.5
5.0
V
R
，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
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4
BC846ALT1系列
订购信息
设备
BC846ALT1
BC846ALT3
BC846BLT1
BC846BLT3
BC847ALT1
BC847ALT1G
BC847BLT1
BC847CLT1
BC847CLT1G
BC847CLT3
BC847CLT3G
BC848ALT1
BC848ALT1G
BC848BLT1
BC848BLT3
BC848CLT1
BC848CLT1G
BC849BLT1
BC849BLT3
BC849CLT1
BC849CLT1G
BC850BLT1
BC850CLT1
BC850CLT1G
记号
1A
1A
1B
1B
1E
1E
1F
1G
1G
1G
1G
1J
1J
1K
1K
1L
1L
2B
2B
2C
2C
2F
2G
2G
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子， BRD8011 / D 。
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5
BC846ALT1G系列，
SBC846ALT1G系列
通用
晶体管
NPN硅
特点
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值
人体模型： >4000 V
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
ESD额定值
机器型号： >400 V
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
S前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC846 ， SBC846
BC847 ， BC850 ， SBC847
BC848 ， BC849 ， SBC848
集电极 - 基极电压
BC846 ， SBC846
BC847 ， BC850 ， SBC847
BC848 ， BC849 ， SBC848
发射极 - 基极电压
BC846 ， SBC846
BC847 ， BC850 ， SBC847
BC848 ， BC849 ， SBC848
集电极电流
连续
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
VDC
80
50
30
VDC
6.0
6.0
5.0
100
MADC
单位
VDC
3
1
2
V
CBO
SOT23
CASE 318
类型6
标记图
V
EBO
XX M
G
G
1
XX
M
G
=器件代码
=日期代码*
= Pb-Free包装
I
C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
单位
mW
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
1.8
R
qJA
P
D
556
300
毫瓦/°C的
° C / W
mW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第12页上。
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
to
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年11月
启示录11
1
出版订单号：
BC846ALT1/D
BC846ALT1G系列， SBC846ALT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压BC846A ， B， SBC846A ，B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C ， SBC847C
(I
C
= 10 mA）的
BC848A ， B，C ， BC849B ，C ， SBC848B
集热器
：辐射源
击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC847A ， B，C BC850B ，C ， SBC847C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C ， SBC848B
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
基本特征
直流电流增益
BC846A ， BC847A ， BC848A ， SBC846A
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V ） BC846B ， BC847B ， BC848B ， SBC846B ， SBC848B
BC847C ， BC848C ， SBC847C
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V ） BC846A ， BC847A ， BC848A ， SBC846A ， SBC846A
BC846B ， BC847B ， BC848B ，
BC849B ， BC850B ， SBC846B ， SBC848B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C ， SBC847C
集热器
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BASE
：辐射源
电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
SBC846A ， B， SBC847C ， SBC848B
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
10
4.0
100
4.5
兆赫
pF
dB
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
BC846A ， B， SBC846A ，B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C ， SBC847C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C ， SBC848B
BC846A ， B， SBC846A ，B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C ， SBC847C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C ， SBC848B
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
15
5.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
I
CBO
nA
mA
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2
BC846ALT1G系列， SBC846ALT1G系列
BC846A ， BC847A ， BC848A ， SBC846A
300
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
150°C
h
FE
，直流电流增益
V
CE
= 1 V
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
55°C
25°C
I
C
/I
B
= 20
150°C
200
25°C
100
55°C
0
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1. DC电流增益与集电极
当前
55°C
25°C
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.0
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
150°C
I
C
/I
B
= 20
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图2.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= 5 V
55°C
25°C
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3.基射极饱和电压与
集电极电流
图4.基极发射极电压与集电极
当前
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3
BC846ALT1G系列， SBC846ALT1G系列
BC846A ， BC847A ， BC848A ， SBC846A
2.0
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
0.8
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图5.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
图6.基射极温度系数
3.0
C
ob
2.0
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
20
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图7的电容
图8.电流增益
带宽积
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4
BC846ALT1G系列， SBC846ALT1G系列
BC846B ， SBC846B
600
500
400
300
200
100
0
55°C
150°C
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
V
CE
= 1 V
0.30
I
C
/I
B
= 20
0.25
0.20
25°C
0.15
0.10
55°C
0.05
0
150°C
h
FE
，直流电流增益
25°C
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图9.直流电流增益与集电极
当前
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.1
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
/I
B
= 20
55°C
25°C
150°C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图10.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= 5 V
55°C
25°C
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图11.基极发射极饱和电压与
集电极电流
图12.基极发射极电压与集电极
当前
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5
BC846ALT1G系列
通用
晶体管
NPN硅
特点
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集热器
3
1
BASE
2
辐射源
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
VDC
80
50
30
VDC
6.0
6.0
5.0
100
MADC
单位
VDC
3
1
2
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值
人体模型： >4000 V
ESD额定值
机器型号： >400 V
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
集电极 - 基极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
发射极 - 基极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
集电极电流
连续
V
CBO
SOT23
CASE 318
类型6
V
EBO
标记图
I
C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
XX M
G
G
1
XX =器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
单位
mW
1.8
R
qJA
P
D
556
300
毫瓦/°C的
° C / W
mW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第12页上。
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
to
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年10月
启示录10
1
出版订单号：
BC846ALT1/D
BC846ALT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10 mA）的
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集热器
：辐射源
击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC847A ， B，C BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B ，
BC849B ， BC850B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
15
5.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
I
CBO
nA
mA
集热器
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BASE
：辐射源
电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
4.0
兆赫
pF
dB
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2
BC846ALT1G系列
BC846A ， BC847A ， BC848A
300
150°C
0.18
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
V
CE
= 1 V
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
55°C
25°C
I
C
/I
B
= 20
150°C
h
FE
，直流电流增益
200
25°C
100
55°C
0
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1. DC电流增益与集电极
当前
55°C
25°C
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.0
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
150°C
I
C
/I
B
= 20
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图2.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= 5 V
55°C
25°C
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3.基射极饱和电压与
集电极电流
图4.基极发射极电压与集电极
当前
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3
BC846ALT1G系列
BC846A ， BC847A ， BC848A
2.0
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
0.8
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图5.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
图6.基射极温度系数
3.0
C
ob
2.0
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
20
V
R
，反向电压（伏）
40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图7的电容
图8.电流增益
带宽积
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4
BC846ALT1G系列
BC846B
600
500
400
300
200
100
0
55°C
150°C
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
V
CE
= 1 V
0.30
I
C
/I
B
= 20
0.25
0.20
25°C
0.15
0.10
55°C
0.05
0
150°C
h
FE
，直流电流增益
25°C
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图9.直流电流增益与集电极
当前
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.1
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
/I
B
= 20
55°C
25°C
150°C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图10.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= 5 V
55°C
25°C
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图11.基极发射极饱和电压与
集电极电流
图12.基极发射极电压与集电极
当前
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联系人：柯
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