BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
1M ×8位
概述
BS62LV8003
宽的Vcc工作电压： 2.4V 3.6V
极低的功耗：
VCC = 3V C-等级： 20毫安（最大）工作电流
我优级： 25毫安（最大）工作电流
电流降至0.5uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在Vcc = 3V
-10
为100ns （最大值）在Vcc = 3V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
该BS62LV8003是一款高性能，低功耗CMOS
由8位， 1,048,576字静态随机存取存储器
而工作在广泛的2.4V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
在3V工作电压为70ns的0.5uA的和最大的访问时间。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV8003具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV8003是44针TSOP2和48引脚BGA型可用。
产品系列
产品
家庭
BS62LV8003EC
BS62LV8003BC
BS62LV8003EI
BS62LV8003BI
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
2.4V ~ 3.6V
2.4V ~ 3.6V
速度
（纳秒）
Vcc=3V
( I
CCSB1
马克斯）
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
PKG型
TSOP2-44
BGA-48-0810
TSOP2-44
BGA-48-0810
Vcc=3V
Vcc=3V
70 / 100
70 / 100
3uA
6uA
20mA
25mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
NC
NC
DQ0
DQ1
VCC
GND
DQ2
DQ3
NC
NC
WE
A19
A18
A17
A16
A15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
CE2
A8
NC
NC
DQ7
DQ6
GND
VCC
DQ5
DQ4
NC
NC
A9
A10
A11
A12
A13
A14
6
功能框图
BS62LV8003EC
BS62LV8003EI
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 X 4096
4096
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CE1
CE2
WE
OE
VDD
GND
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
512
列解码器
18
控制
地址输入缓冲器
1
2
3
4
5
A
NC
OE
A0
A1
A2
CE2
8
B
NC
NC
A3
A4
CE1
NC
数据
产量
卜FF器
8
C
D0
NC
A5
A6
NC
D4
D
VSS
D1
A17
A7
D5
VCC
E
VCC
D2
VCC
A16
D6
VSS
A11A9 A8 A3 A2 A1 A0A10 A19
F
D3
NC
A14
A15
NC
D7
G
NC
NC
A12
A13
WE
NC
H
A18
A8
A9
A10
A11
A19
48球CSP顶视图
百联半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62LV8003
1
修订版2.4
2002年4月
BSI
引脚说明
BS62LV8003
功能
这20个地址输入选择在RAM中的1048576个8位字中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，则设备
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
is
名字
A0 - A19地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.4V ~ 3.6V
2.4V ~ 3.6V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
10
12
pF
pF
1.此参数是保证，而不是测试。
R0201-BS62LV8003
2
修订版2.4
2002年4月
BSI
DC电气特性
（ TA = 0
o
C至+ 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
BS62LV8003
测试条件
Vcc=3V
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
待机电流CMOS
MIN 。 TYP 。
-0.5
2.0
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.5
(1)
马克斯。
0.8
Vcc+0.2
1
1
0.4
--
20
1
3
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
Vcc=3V
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
or
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH ，
I
DQ
= 0毫安，
F =最大频率
(3)
CE1 = V
IH
， CE2 = V
白细胞介素，
I
DQ
= 0毫安
CE1
V
IN
VCC- 0.2V ， 0.2V CE2
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
Vcc=3V
Vcc=3V
Vcc=3V
Vcc=3V
Vcc=3V
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
数据保持特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
CE1
V
IN
CE1
V
IN
测试条件
VCC - 0.2V或CE2
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V或
0.2V
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
VCC - 0.2V或CE2
0.2V
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
--
0
0.4
--
--
2
--
--
uA
ns
ns
见保留波形
T
RC （2）
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE1
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
0.2V
CE2
V
IL
V
IL
R0201-BS62LV8003
3
修订版2.4
2002年4月
BSI
开关波形（读周期
)
读CYCLE1
(1,2,4)
BS62LV8003
t
RC
地址
t
D
OUT
t
OH
AA
t
OH
READ循环2
(1,3,4)
CE2
t
t
ACS2
ACS1
CE1
t
D
OUT
(5)
CLZ
t
CHZ
(5)
读CYCLE3
(1,4)
地址
t
RC
t
OE
AA
t
CE2
OE
t
OH
t
t
t
t
(5)
CLZ
ACS2
CE1
OLZ
ACS1
t
t
OHZ
CHZ
(5)
(1,5)
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低， CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的，如图1B所示。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62LV8003
5
修订版2.4
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QQ：2880707522 复制
