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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第639页 > BAT854SW
分立半导体
数据表
halfpage
M3D102
BAT854W系列
肖特基势垒（双）二极管
产品speci fi cation
2001年02月27日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
特点
极低的正向电压
极低反向电流
保护环
非常小的SMD塑料包装。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管
低功耗
应用（例如手持
应用程序）。
描述
平面肖特基势垒二极管
封装在一个SOT323非常小
SMD塑料包装。单二极管
和双二极管不同
钉扎是可用的。
记号
钉扎
针
BAT854W
1
2
3
BAT854AW
1
2
3
BAT854CW
1
2
3
BAT854SW
1
2
3
a
1
k
2
k
1
, a
2
a
1
a
2
k
1
, k
2
Fig.3
k
1
k
2
a
1
,a
2
a
北卡罗来纳州
k
Fig.2
符号
BAT854W系列
3
1
2
北卡罗来纳州
MLC357
BAT854W单个二极管
配置（符号）。
3
1
2
MLC360
BAT854AW二极管
配置（符号）。
3
1
2
MLC359
类型编号
BAT854W
BAT854AW
BAT854CW
BAT854SW
记号
CODE
81
82
83
84
手册， 2列
3
Fig.4
BAT854CW二极管
配置（符号）。
1
顶视图
2
MBC870
3
1
2
MLC358
Fig.1
简化的轮廓
SOT323和引脚
配置。
Fig.5
BAT854SW二极管
配置（符号）。
2001年02月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
t
p
≤
1 s;
δ ≤
0.5
T = 8.3毫秒半正弦波;
JEDEC的方法
65
65
参数
条件
BAT854W系列
分钟。
马克斯。
单位
40
200
300
1
+150
150
+150
V
mA
mA
A
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
连续的正向电压
见图6
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安
I
R
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOT323标准安装条件。
参数
条件
价值
625
单位
K / W
连续反向电流
二极管电容
V
R
= 25 V ;注意1 ;见图7
V
R
= 1V ; F = 1兆赫;参见图8
200
260
340
420
550
0.5
20
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
参数
条件
典型值。
马克斯。
单位
从结点到环境的热阻注1
2001年02月27日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
图形数据
10
3
MLD546
BAT854W系列
手册， halfpage
手册， halfpage
10
3
MLD547
IF
（MA ）
10
2
IR
(A)
10
2
(1)
(2)
10
10
(1)
(2)
(3)
1
1
(3)
10
1
0
0.4
0.8
VF （ V）
1.2
10
1
0
10
20
30
VR （ V）
40
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.6
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.7
反向电流反向的函数
电压;典型值。
手册， halfpage
20
Cd
MLD548
（PF ）
16
12
8
4
0
0
10
20
30
VR （ V）
40
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
2001年02月27日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BAT854W系列
SOT323
D
B
E
A
X
y
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
c
1
e1
e
bp
2
w
M
B
Lp
细节X
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.8
A1
最大
0.1
bp
0.4
0.3
c
0.25
0.10
D
2.2
1.8
E
1.35
1.15
e
1.3
e1
0.65
HE
2.2
2.0
Lp
0.45
0.15
Q
0.23
0.13
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT323
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-70
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
2001年02月27日
5
SMD型
肖特基势垒（双）二极管
BAT854W;BAT854AW
BAT854CW;BAT854SW
二极管
特点
极低的正向电压
极低反向电流
保护环
非常小的SMD封装。
绝对最大额定值大= 25
参数
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
R
日J-一
-65
tp
1秒;
0.5
条件
民
最大
40
200
300
1
-65
+150
150
+150
625
K / W
单位
V
mA
mA
A
T = 8.3毫秒半正弦波， JEDEC的方法
电气特性TA = 25
参数
符号
条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
正向电压
V
F
I
F
= 10毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安
连续反向电流
二极管电容
记
1.脉冲测试：吨
p
300
s;
0.02.
I
R
C
d
V
R
= 25 V ;注1
F = 1兆赫; V
R
= 1 V
典型值
200
260
340
420
550
0.5
20
A
pF
mV
最大
单位
记号
TYPE
记号
BTA854W
81
BAT854AW
82
BAT854CW
83
BAT854SW
84
www.kexin.com.cn
1
分立半导体
数据表
K， halfpage
M3D102
BAT854W系列
肖特基势垒（双）二极管
产品数据表
2001年02月27日
恩智浦半导体
产品数据表
肖特基势垒（双）二极管
特点
极低的正向电压
极低反向电流
保护环
非常小的SMD塑料包装。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管
低功耗
应用（例如手持
应用程序）。
描述
平面肖特基势垒二极管
封装在一个SOT323非常小
SMD塑料包装。单二极管
和双二极管不同
钉扎是可用的。
记号
钉扎
针
BAT854W
1
2
3
BAT854AW
1
2
3
BAT854CW
1
2
3
BAT854SW
1
2
3
a
1
k
2
k
1
, a
2
a
1
a
2
k
1
, k
2
Fig.3
k
1
k
2
a
1
,a
2
a
北卡罗来纳州
k
Fig.2
符号
BAT854W系列
3
1
2
北卡罗来纳州
MLC357
BAT854W单个二极管
配置（符号）。
3
1
2
MLC360
BAT854AW二极管
配置（符号）。
3
1
2
MLC359
类型编号
BAT854W
BAT854AW
BAT854CW
BAT854SW
记号
CODE
81
82
83
84
手册， 2列
3
Fig.4
BAT854CW二极管
配置（符号）。
1
顶视图
2
MBC870
3
1
2
MLC358
Fig.1
简化的轮廓
SOT323和引脚
配置。
Fig.5
BAT854SW二极管
配置（符号）。
2001年02月27日
2
恩智浦半导体
产品数据表
肖特基势垒（双）二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
t
p
≤
1 s;
δ ≤
0.5
T = 8.3毫秒半正弦波;
JEDEC的方法
65
65
参数
条件
BAT854W系列
分钟。
马克斯。
单位
40
200
300
1
+150
150
+150
V
mA
mA
A
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
连续的正向电压
见图6
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安
I
R
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
μs; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOT323标准安装条件。
参数
条件
价值
625
单位
K / W
连续反向电流
二极管电容
V
R
= 25 V ;注意1 ;见图7
V
R
= 1V ; F = 1兆赫;参见图8
200
260
340
420
550
0.5
20
mV
mV
mV
mV
mV
μA
pF
参数
条件
典型值。
马克斯。
单位
从结点到环境的热阻注1
2001年02月27日
3
恩智浦半导体
产品数据表
肖特基势垒（双）二极管
图形数据
10
3
MLD546
BAT854W系列
手册， halfpage
手册， halfpage
10
3
MLD547
IF
（MA ）
10
2
IR
(μA)
10
2
(1)
(2)
10
10
(1)
(2)
(3)
1
1
(3)
10
1
0
0.4
0.8
VF （ V）
1.2
10
1
0
10
20
30
VR （ V）
40
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.6
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.7
反向电流反向的函数
电压;典型值。
手册， halfpage
20
Cd
16
MLD548
（PF ）
12
8
4
0
0
10
20
30
VR （ V）
40
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
2001年02月27日
4
恩智浦半导体
产品数据表
肖特基势垒（双）二极管
包装外形
BAT854W系列
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT323
D
B
E
A
X
y
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
c
1
e1
e
bp
2
w
M
B
Lp
细节X
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.8
A1
最大
0.1
bp
0.4
0.3
c
0.25
0.10
D
2.2
1.8
E
1.35
1.15
e
1.3
e1
0.65
HE
2.2
2.0
Lp
0.45
0.15
Q
0.23
0.13
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT323
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-70
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
2001年02月27日
5
产品speci fi cation
BAT854W;BAT854AW
BAT854CW;BAT854SW
特点
极低的正向电压
极低反向电流
保护环
非常小的SMD封装。
绝对最大额定值大= 25
参数
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
R
日J-一
-65
tp
1秒;
0.5
条件
民
最大
40
200
300
1
-65
+150
150
+150
625
K / W
单位
V
mA
mA
A
T = 8.3毫秒半正弦波， JEDEC的方法
电气特性TA = 25
参数
符号
条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
正向电压
V
F
I
F
= 10毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安
连续反向电流
二极管电容
记
1.脉冲测试：吨
p
300
s;
0.02.
I
R
C
d
V
R
= 25 V ;注1
F = 1兆赫; V
R
= 1 V
典型值
200
260
340
420
550
0.5
20
A
pF
mV
最大
单位
记号
TYPE
记号
BTA854W
81
BAT854AW
82
BAT854CW
83
BAT854SW
84
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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B28AW
BR402
BC338AMO
BS616LV2010EC
BB-827-10
B82790S0253N201
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAT854SW
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市嘉万骏科技有限公司
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电话：0755*83682918
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BAT854SW
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SOT-323
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BAT854SW
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SOT-323
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BAT854SW
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BAT854SW
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BAT854SW
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23000
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