超低功耗CMOS SRAM
1M ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV8001
n
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V
工作电流： 31毫安（最大）
2毫安（最大）
待机电流： 0.8uA （典型值）。
V
CC
= 5.0V
工作电流： 76毫安（最大）
10mA（最）
待机电流： 3.5uA （典型值）。
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
: 3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
: 2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS62LV8001是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 1048576
在55ns
在1MHz
O
在25℃
在55ns
在1MHz
O
在25℃
并经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
55ns的0.8uA的电流在3.0V / 25℃和最大访问时间
3.0V / 85℃
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV8001具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV8001可在DICE的形式， JEDEC标准的44针
TSOP II和48球BGA封装。
O
O
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV8001DC
BS62LV8001EC
BS62LV8001FC
BS62LV8001EI
BS62LV8001FI
产业
O
-40°C至+ 85°C
O
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
广告
O
O
0 ℃ + 70℃
25uA
4.0uA
9mA
39mA
75mA
1.5mA
19mA
30mA
TSOP II- 44
BGA-48-0912
50uA
8.0uA
10mA
40mA
76mA
2mA
20mA
31mA
TSOP II- 44
BGA-48-0912
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
NC
NC
DQ0
DQ1
VCC
VSS
DQ2
DQ3
NC
NC
WE
A19
A18
A17
A16
A15
1
A
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
2
OE
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
5
A2
6
CE2
A5
A6
A7
OE
CE2
A8
NC
NC
DQ7
DQ6
VSS
VCC
DQ5
DQ4
NC
NC
A9
A10
A11
A12
A13
A14
n
框图
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
BS62LV8001EC
BS62LV8001EI
2048 x 4096
4096
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
512
列解码器
18
控制
地址输入缓冲器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
8
3
A0
4
A1
数据
产量
卜FF器
B
C
NC
DQ0
NC
NC
A3
A5
A4
A6
CE1
NC
NC
DQ4
D
VSS
DQ1
A17
A7
DQ5
VCC
CE1
CE2
WE
OE
V
CC
V
SS
A11 A9 A8 A3 A2 A1 A0 A10 A19
E
VCC
DQ2
NC
A16
DQ6
VSS
F
DQ3
NC
A14
A15
NC
DQ7
G
NC
NC
A12
A13
WE
NC
H
A18
A8
A9
A10
A11
A19
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62LV8001
1
调整
2.3
五月。
2006
BS62LV8001
n
引脚说明
名字
A0 - A19地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
功能
这20个地址输入选择1,048,576中的x在RAM 8位中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
数据读形式或写入设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
有8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
I / O操作
高Z
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
X
H
L
X
高Z
D
OUT
D
IN
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
RANG
广告
产业
环境
温度
0℃至+ 70℃
-40 ℃至+ 85℃
O
O
O
O
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C，F = 1.0MHz的）
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
R0201-BS62LV8001
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
2
调整
2.3
五月。
2006
BS62LV8001
n
DC电气特性（T
A
=-40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
待机电流
–
CMOS
O
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.8
3.5
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
1
1
0.4
--
31
76
2
10
1.0
2.0
8.0
50
(3)
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
mA
uA
2.2
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F =
(4)
F
最大
--
--
--
2.4
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
--
--
--
--
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
O
5. I
CC （ MAX 。 ）
为30mA / 75毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
O
6. I
CCSB1(MAX.)
为4.0uA / 25uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
n
数据保持特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
O
测试条件
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
分钟。
1.5
--
0
典型值。
(1)
--
0.4
--
马克斯。
--
4.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
t
RC
(2)
--
1. V
CC
= 1.5V ，T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2. t
RC
=读周期时间。
O
3. I
CCRD （最大）
为2.0uA在T
A
=70 C.
n
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ） （ CE1控制）
数据保持方式
V
CC
V
IH
V
CC
V
DR
≧1.5V
V
CC
t
CDR
CE1≧V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE1
R0201-BS62LV8001
3
调整
2.3
五月。
2006
BS62LV8001
n
开关波形（读周期）
读周期1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
读周期2
(1,3,4)
CE1
t
ACS1
CE2
t
CLZ
(5)
D
OUT
t
ACS2
t
CHZ1
, t
CHZ2
(5)
读周期3
(1, 4)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE1
t
CLZ1
(5)
CE2
t
OLZ
t
ACS1
t
OHZ
(5)
t
CHZ1
(1,5)
t
OH
t
ACS2
t
CLZ2
(5)
D
OUT
t
CHZ2
(1,5)
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62LV8001
5
调整
2.3
五月。
2006
BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
1M ×8位
BS62LV8001
宽的Vcc工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 30毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 31毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 24毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 25毫安（ @为70ns ）工作电流
1.5uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级： 75毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 76毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 60毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 61毫安（ @为70ns ）工作电流
8.0uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
概述
该BS62LV8001是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器由8位， 1,048,576字和
工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
1.5uA在3V / 25
o
55ns的3.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供使能（ CE1 ）
，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出使能（ OE ）
和三态输出驱动器。
该BS62LV8001具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV8001是48B BGA和44L TSOP2封装。
产品系列
产品
家庭
BS62LV8001EC
BS62LV8001FC
BS62LV8001EI
BS62LV8001FI
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
速度
（纳秒）
55ns ： 3.0 5.5V
为70ns ： 2.7 5.5V
( I
CCSB1
马克斯）
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
PKG型
TSOP2-44
BGA-48-0912
TSOP2-44
BGA-48-0912
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
70ns
Vcc=5V
70ns
55 / 70
55 / 70
5uA
10uA
55uA
110uA
24mA
25mA
60mA
61mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
NC
NC
DQ0
DQ1
VCC
GND
DQ2
DQ3
NC
NC
WE
A19
A18
A17
A16
A15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
5
6
A5
A6
A7
OE
CE2
A8
NC
NC
DQ7
DQ6
GND
VCC
DQ5
DQ4
NC
NC
A9
A10
A11
A12
A13
A14
功能框图
BS62LV8001EC
BS62LV8001EI
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 X 4096
4096
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CE1
CE2
WE
OE
VDD
GND
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
512
列解码器
18
控制
地址输入缓冲器
2
3
4
A
NC
NC
OE
A0
A1
A2
CE2
B
NC
A3
A4
CE1
NC
NC
8
C
D0
NC
A5
A6
数据
产量
卜FF器
8
D4
D
VSS
D1
A17
A7
D5
VCC
E
VCC
D3
D2
VCC
A16
D6
VSS
F
NC
A14
A15
NC
D7
A11A9 A8 A3 A2 A1 A0A10 A19
G
NC
NC
A12
A13
WE
NC
H
A18
A8
A9
A10
A11
A19
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62LV8001
1
修订版2.1
一月
2004
BSI
引脚说明
BS62LV8001
功能
这20个地址输入选择在RAM中的1048576个8位字中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，则设备
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
is
名字
A0 - A19地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
10
12
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
R0201-BS62LV8001
2
修订版2.1
一月
2004
BSI
DC电气特性
（ TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(4)
BS62LV8001
测试条件
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
待机电流CMOS
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
-0.5
2.0
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
1.5
8.0
0.8
0.8
Vcc+0.3
Vcc+0.3
1
1
0.4
--
25
61
1
2
10
110
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
or
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH ，
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(2)
70ns
70ns
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
CE1 = V
IH
或CE2 = V
白细胞介素，
I
DQ
= 0毫安
CE1 ≧ VCC- 0.2V或CE2 ≦ 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4.电流Icc
=最大。
是31毫安在55ns操作（ @ 3.0V ） / 76毫安（ @ 5.0V ） 。
5.I
CCS
B1
是5UA / 55uA在Vcc = 3.0V / 5.0V和T
A
=70
o
C.
数据保持特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
测试条件
CE1 ≧为VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE1 ≧为VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
--
0
0.8
--
--
2.5
--
--
uA
ns
ns
见保留波形
T
RC （2）
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3. I
cc
DR
（最大值）为1.3uA在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE1
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
≧
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
≦
0.2V
CE2
V
IL
V
IL
R0201-BS62LV8001
3
修订版2.1
一月
2004
BSI
开关波形（读周期
)
读CYCLE1
(1,2,4)
BS62LV8001
t
RC
地址
t
D
OUT
t
OH
AA
t
OH
READ循环2
(1,3,4)
CE2
t
t
ACS2
ACS1
CE1
t
D
OUT
(5)
CLZ
t
(5)
CHZ
读CYCLE3
(1,4)
地址
t
RC
t
OE
AA
t
CE2
OE
t
OH
t
t
t
t
(5)
CLZ
ACS2
CE1
OLZ
ACS1
t
t
OHZ
CHZ
(5)
(1,5)
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低， CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62LV8001
5
修订版2.1
一月
2004
BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
1M ×8位
BS62LV8001
宽的Vcc工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 30毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 31毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 24毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 25毫安（ @为70ns ）工作电流
1.5uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级： 75毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 76毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 60毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 61毫安（ @为70ns ）工作电流
8.0uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
概述
该BS62LV8001是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器由8位， 1,048,576字和
工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
1.5uA在3V / 25
o
55ns的3.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供使能（ CE1 ）
，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出使能（ OE ）
和三态输出驱动器。
该BS62LV8001具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV8001是48B BGA和44L TSOP2封装。
产品系列
产品
家庭
BS62LV8001EC
BS62LV8001FC
BS62LV8001EI
BS62LV8001FI
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
速度
（纳秒）
55ns ： 3.0 5.5V
为70ns ： 2.7 5.5V
( I
CCSB1
马克斯）
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
PKG型
TSOP2-44
BGA-48-0912
TSOP2-44
BGA-48-0912
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
70ns
Vcc=5V
70ns
55 / 70
55 / 70
5uA
10uA
55uA
110uA
24mA
25mA
60mA
61mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
NC
NC
DQ0
DQ1
VCC
GND
DQ2
DQ3
NC
NC
WE
A19
A18
A17
A16
A15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
5
6
A5
A6
A7
OE
CE2
A8
NC
NC
DQ7
DQ6
GND
VCC
DQ5
DQ4
NC
NC
A9
A10
A11
A12
A13
A14
功能框图
BS62LV8001EC
BS62LV8001EI
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 X 4096
4096
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CE1
CE2
WE
OE
VDD
GND
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
512
列解码器
18
控制
地址输入缓冲器
2
3
4
A
NC
NC
OE
A0
A1
A2
CE2
B
NC
A3
A4
CE1
NC
NC
8
C
D0
NC
A5
A6
数据
产量
卜FF器
8
D4
D
VSS
D1
A17
A7
D5
VCC
E
VCC
D3
D2
VCC
A16
D6
VSS
F
NC
A14
A15
NC
D7
A11A9 A8 A3 A2 A1 A0A10 A19
G
NC
NC
A12
A13
WE
NC
H
A18
A8
A9
A10
A11
A19
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62LV8001
1
修订版2.1
一月
2004
BSI
引脚说明
BS62LV8001
功能
这20个地址输入选择在RAM中的1048576个8位字中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，则设备
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
is
名字
A0 - A19地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
10
12
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
R0201-BS62LV8001
2
修订版2.1
一月
2004
BSI
DC电气特性
（ TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(4)
BS62LV8001
测试条件
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
待机电流CMOS
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
-0.5
2.0
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
1.5
8.0
0.8
0.8
Vcc+0.3
Vcc+0.3
1
1
0.4
--
25
61
1
2
10
110
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
or
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH ，
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(2)
70ns
70ns
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
Vcc=3V
Vcc=5V
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
CE1 = V
IH
或CE2 = V
白细胞介素，
I
DQ
= 0毫安
CE1 ≧ VCC- 0.2V或CE2 ≦ 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4.电流Icc
=最大。
是31毫安在55ns操作（ @ 3.0V ） / 76毫安（ @ 5.0V ） 。
5.I
CCS
B1
是5UA / 55uA在Vcc = 3.0V / 5.0V和T
A
=70
o
C.
数据保持特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
测试条件
CE1 ≧为VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE1 ≧为VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
--
0
0.8
--
--
2.5
--
--
uA
ns
ns
见保留波形
T
RC （2）
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3. I
cc
DR
（最大值）为1.3uA在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE1
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
≧
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
≦
0.2V
CE2
V
IL
V
IL
R0201-BS62LV8001
3
修订版2.1
一月
2004
BSI
开关波形（读周期
)
读CYCLE1
(1,2,4)
BS62LV8001
t
RC
地址
t
D
OUT
t
OH
AA
t
OH
READ循环2
(1,3,4)
CE2
t
t
ACS2
ACS1
CE1
t
D
OUT
(5)
CLZ
t
(5)
CHZ
读CYCLE3
(1,4)
地址
t
RC
t
OE
AA
t
CE2
OE
t
OH
t
t
t
t
(5)
CLZ
ACS2
CE1
OLZ
ACS1
t
t
OHZ
CHZ
(5)
(1,5)
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低， CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62LV8001
5
修订版2.1
一月
2004
超低功耗CMOS SRAM
1M ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV8001
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
工作电流： 31毫安为55ns （最大）
V
CC
= 3.0V
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 4 / 8uA （最大）在八十五分之七十
工作电流： 76毫安为55ns （最大）
V
CC
= 5.0V
10mA（最）在1MHz
O
待机电流： 25 / 50uA的（最大）在八十五分之七十
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
: 3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
: 2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS62LV8001是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 1048576
并经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
当前8 / 50uA的在Vcc = 3 / 5V在85℃和最大访问时间
55/70ns.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV8001具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV8001可在DICE的形式， JEDEC标准的44针
TSOP II和48球BGA封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV8001DC
BS62LV8001EC
BS62LV8001FC
BS62LV8001EI
BS62LV8001FI
产业
O
-40°C至+ 85°C
O
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
广告
O
O
0 ℃ + 70℃
25uA
4.0uA
9mA
39mA
75mA
1.5mA
19mA
30mA
TSOP II- 44
BGA-48-0912
50uA
8.0uA
10mA
40mA
76mA
2mA
20mA
31mA
TSOP II- 44
BGA-48-0912
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
NC
NC
DQ0
DQ1
VCC
VSS
DQ2
DQ3
NC
NC
WE
A19
A18
A17
A16
A15
1
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
DQ0
VSS
VCC
DQ3
NC
A18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
2
OE
NC
NC
DQ1
DQ2
NC
NC
A8
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
5
A2
CE1
NC
DQ5
DQ6
NC
WE
A11
6
CE2
NC
DQ4
VCC
VSS
DQ7
NC
A19
A5
A6
A7
OE
CE2
A8
NC
NC
DQ7
DQ6
VSS
VCC
DQ5
DQ4
NC
NC
A9
A10
A11
A12
A13
A14
框图
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
BS62LV8001EC
BS62LV8001EI
2048 x 4096
4096
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CE1
CE2
WE
OE
V
CC
V
SS
8
数据
产量
卜FF器
8
512
列解码器
18
控制
地址输入缓冲器
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A11 A9 A8 A3 A2 A1 A0 A10 A19
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62LV8001
1
调整
2.4
十月
2008
BS62LV8001
引脚说明
名字
A0 - A19地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
功能
这20个地址输入选择1,048,576中的x在RAM 8位中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
数据读形式或写入设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
有8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
RANG
广告
产业
环境
温度
0℃至+ 70℃
-40 ℃至+ 85℃
O
O
O
O
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
C
C
O
W
mA
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C，F = 1.0MHz的）
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2. -2.0V的情况下， AC脉冲宽度小于30纳秒。
R0201-BS62LV8001
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
2
调整
2.4
十月
2008
BS62LV8001
DC电气特性（T
A
=-40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流 - TTL
待机电流 - CMOS
O
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.8
3.5
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
1
1
0.4
--
31
76
2
10
1.0
2.0
8.0
50
(3)
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
mA
uA
2.2
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
最大
(4)
--
--
--
2.4
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
--
--
--
--
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
O
5. I
CC （ MAX 。 ）
为30mA / 75毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
O
6. I
CCSB1(MAX.)
为4.0uA / 25uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
数据保持特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
O
测试条件
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
分钟。
1.5
--
0
典型值。
(1)
--
0.4
--
马克斯。
--
4.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
t
RC
(2)
--
1. V
CC
= 1.5V ，T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2. t
RC
=读周期时间。
O
3. I
CCRD （最大）
为2.0uA在T
A
=70 C.
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ） （ CE1控制）
数据保持方式
V
CC
V
CC
V
DR
≧1.5V
V
CC
t
CDR
V
IH
CE1≧V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE1
R0201-BS62LV8001
3
调整
2.4
十月
2008
BS62LV8001
开关波形（读周期）
读周期1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
读周期2
(1,3,4)
CE1
t
ACS1
CE2
t
CLZ
(5)
t
ACS2
t
CHZ1
, t
CHZ2
(5)
D
OUT
读周期3
(1, 4)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE1
t
CLZ1
(5)
CE2
t
CLZ2
(5)
D
OUT
t
OLZ
t
ACS1
t
CHZ1
(1,5)
t
OHZ
(5)
t
OH
t
ACS2
t
CHZ2
(1,5)
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62LV8001
5
调整
2.4
十月
2008
QQ：2881677436 复制
