BFP196T/BFP196TR/BFP196TW
威世半导体
硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
对于低噪声，低失真宽带放大器
电信和天线系统和电源
amplifiersfor DECT和PCN系统的集热器
20毫安和80 mA的电流高达2 GHz的
特点
D
低噪声系数
D
高转换频率f
T
= 7.5 GHz的
D
出色的大信号行为
2
1
1
2
3
4
4
13628
3
13629
BFP196T标记： 196
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
BFP196TR标志： R96
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
2
1
3
4
13632
BFP196TW标记： W96
塑料外壳（ SOT 343 ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25°C,
除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
TYPE
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
20
12
2
100
500
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
AMB
60
°C
文档编号85091
第2版， 29月， 02
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威世半导体
最大热阻
T
AMB
= 25°C,
除非另有说明
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀30μm的铜
符号
R
thJA
价值
180
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25°C,
除非另有说明
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 20 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
C
= 70 mA时，我
B
= 7毫安
V
CE
= 8 V，I
C
= 50毫安
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
h
FE
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
1
0.5
150
单位
A
nA
A
V
V
12
50
0.1
100
AC电气特性
T
AMB
= 25°C,
除非另有说明
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
测试条件
符号
V
CE
= 8 V，I
C
= 50 mA时， F = 1 GHz的
f
T
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
C
cb
V
CE
= 10 V ， F = 1兆赫
C
ce
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
C
eb
V
CE
= 8 V，I
C
能力= 20 mA ，Z
S
= Z
SOPT
,
F
Z
L
= 50
W,
F = 900兆赫
V
CE
= 8 V，I
C
能力= 20 mA ，Z
S
= Z
SOPT
,
F
Z
L
= 50
W,
F = 2 GHz的
V
CE
= 8 V，I
C
= 50毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
G
pe
Z
L
= 50
W,
F = 900兆赫
V
CE
= 8 V，I
C
= 50毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
G
pe
Z
L
= 50
W,
F = 2 GHz的
V
CE
= 8 V，I
C
= 50毫安，Z
0
= 50
W,
S
21e
2
F = 900兆赫
V
CE
= 8 V，I
C
= 50毫安，Z
0
= 50
W,
S
21e
2
F = 2 GHz的
V
CE
= 8 V，I
C
= 50 mA时， F = 900兆赫
IP
3
分钟。
6
典型值。
7.5
1.0
0.3
3.5
1.5
2.5
16
10
12.5
6.5
36
马克斯。
1.4
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
功率增益
传感器增益
在三阶截点
产量
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BFP196T/BFP196TR/BFP196TW
威世半导体
BFP196T的mm尺寸
96 12240
BFP196TR的mm尺寸
96 12239
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第2版， 29月， 02
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威世半导体
BFP196TW的mm尺寸
96 12237
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质，并禁止其
在未来十年之内使用。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用消耗臭氧层物质
下列文件中列出。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产
与不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿威世德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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