BSI
特点
超低功率/电压CMOS SRAM
128K ×16位
描述
BS616UV2011
超低工作电压： 1.8 3.6V
超低功耗：
VCC = 2.0 V
C-等级： 15毫安（最大）工作电流
I级： 20毫安（最大）工作电流
0.08uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 3.0 V
C-等级： 20毫安（最大）工作电流
我优级： 25毫安（最大）工作电流
为0.1uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在VCC = 2.0V
-10
为100ns （最大值） ，在VCC = 2.0V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
该BS616UV2011是一款高性能，超低功耗的CMOS静态
随机存取存储器（16位）组织为131,072单词和
工作在广泛的1.8V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
的在2.0V操作70 / 100ns的0.08uA和最大访问时间。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE ） ，低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616UV2011具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV2011可在DICE的形式， JEDEC标准的44针
TSOP II型封装， JEDEC标准的48引脚TSOP I型包
和48焊球BGA封装。
产品系列
产品
家庭
操作
温度
VCC
范围
速度
(
NS ）
VCC-
2.0V
70/100
（我CCSB1 ，最大值）
功耗
待机
操作
（ I CC ，最大值）
PKG型
骰子
TSOP2-44
TSOP1-48
BGA-48-0608
骰子
TSOP2-44
TSOP1-48
BGA-48-0608
VCC-
2.0V
0.5uA
VCC-
3.0V
0.7uA
VCC-
2.0V
15mA
VCC-
3.0V
20mA
BS616UV2011DC
BS616UV2011EC
BS616UV2011TC
BS616UV2011AC
BS616UV2011DI
BS616UV2011EI
BS616UV2011TI
BS616UV2011AI
+0
O
C至+70
O
C
1.8V ~ 3.6V
-40
O
C至+ 85
O
C
1.8V ~ 3.6V
70/100
1uA
1.5uA
20mA
25mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
BS616UV2011EC
BS616UV2011EI
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
北卡罗来纳州
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
北卡罗来纳州
A8
3
A0
A3
A5
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
北卡罗来纳州
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
北卡罗来纳州
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
百联半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616UV2011
48球BGA俯视图
1
修订版2.5
2002年4月
BSI
引脚说明
BS616UV2011
名字
A0 - A16地址输入
CE芯片使能输入
功能
这17个地址输入选择在RAM中的131,072个16位字中的一个。
CE为低电平有效。芯片使必须被激活时，数据从读或写
装置。如果芯片使能未激活，取消选择器件，是一个备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
VCC
GND
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
CE
H
L
L
WE
X
H
H
OE
X
H
L
LB
X
X
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
UB
X
X
L
L
H
L
L
H
DQ0~DQ7
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
DQ8~DQ15
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
R0201-BS616UV2011
2
修订版2.5
2002年4月
BSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
BS616UV2011
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
1.8V ~ 3.6V
1.8V ~ 3.6V
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是测试。
DC电气特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流
待机电流
TTL
CMOS
测试条件
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
MIN 。 TYP 。
-0.5
1.4
2.0
--
--
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
(1)
马克斯。
0.6
0.8
Vcc+0.2
1
1
0.4
--
15
20
0.1
0.5
0.5
0.7
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.08
0.1
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 1毫安
VCC =最小，我
OH
= -0.5mA
CE = V
IL
, I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(3)
CE = V
IH
, I
DQ
= 0毫安
CE
V
IN
Vcc-0.2V,
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
--
1.6
2.4
--
--
--
--
--
--
Vcc=3.0V
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
数据保持特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
CE
V
IN
CE
V
IN
测试条件
VCC - 0.2V
VCC - 0.2V或V
IN
VCC - 0.2V
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
0.2V
分钟。
1.5
--
0
T
RC
(2)
典型值。
(1)
--
0.05
--
--
马克斯。
--
0.5
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
R0201-BS616UV2011
3
修订版2.5
2002年4月
BSI
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
数据保持方式
BS616UV2011
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
Vcc/0V
5ns
0.5Vcc
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
1333
输出
必须是
稳定
会
变化
从H到L
会
变化
以L至H
变化：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
交流测试负载和波形
2V
产量
100PF
INCLUDING
夹具
范围
1333
2V
产量
可能改变
以L至H
不会在意：
任何改变
许可
不
申请
5PF
2000
INCLUDING
夹具
范围
,
2000
图1A
戴维南等效
800
图1b
产量
1.2V
所有的输入脉冲
VCC
GND
10%
90% 90%
10%
→
←
→
←
5ns
图2
AC电气特性
（ TA = 0 + 70
o
C， VCC = 2.0V ）
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
数据字节控制到输出高Z
输出禁止到输出中高Z
输出禁止到地址变更
BS616UV2011-70
分钟。典型值。马克斯。
BS616UV2011-10
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
BA
t
GLQV
t
ELQX
t
BE
t
GLQX
t
EHQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
(1)
70
--
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
--
--
--
10
10
10
0
0
0
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
35
35
--
--
--
35
35
30
--
100
--
--
--
--
15
15
15
0
0
0
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
100
100
50
50
--
--
--
40
40
35
--
注意：
1. t
BA
是为35ns / 50ns的（ @ =速度为70ns / 100ns的）与地址切换。 ; .T
BA
是为70ns / 100ns的（ @ =速度为70ns / 100ns内）没有地址切换。
R0201-BS616UV2011
4
修订版2.5
2002年4月
QQ：2881677436 复制
