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BSO200N03
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
快速开关MOSFET的开关电源
优化技术的笔记本电脑的DC / DC
根据JEDEC合格
1
为目标的应用
双N沟道
逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
额定雪崩
dv / dt的额定
无铅电镀;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
30
20
7.9
V
m
A
P-DSO-8
TYPE
BSO200N03
包
PG-DSO-8
记号
200N3
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号条件
10秒]
连续漏电流
I
D
T
A
=25 °C
2)
T
A
=70 °C
2)
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
A
=25 °C
2)
2.0
-55 ... 150
55/150/56
T
A
=25 °C
3)
I
D
=7.9 A,
R
GS
=25
I
D
=7.9 A,
V
DS
=20 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=150 °C
7.9
6.3
32
27
6
±20
1.4
mJ
KV / μs的
V
W
°C
价值
稳定状态
6.6
5.3
A
单位
修订版1.2
第1页
2006-05-09
BSO200N03
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 焊接点
热阻，
结 - 环境
R
thjs
最小的足迹，
t
p
≤10
s
最小的足迹，
稳定状态
6厘米
2
散热面积
2)
,
t
p
≤10
s
6厘米
2
散热面积
2)
,
稳定状态
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
50
K / W
R
thJA
-
-
110
-
-
150
-
-
63
-
-
90
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=13 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=6.8 A
V
GS
=10 V,
I
D
=7.9 A
栅极电阻
跨
1)
2)
30
1.2
-
-
1.6
0.1
-
2
1
V
A
-
-
-
-
-
10
10
21.7
16.7
1.5
18
100
100
27
20
-
-
S
nA
m
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=7.9 A
9
J- STD20和JESD22
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
3)
见图3
修订版1.2
第2页
2006-05-09
BSO200N03
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
4)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
A
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=2 A,
T
j
=25 °C
V
R
=12 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.77
2
32
1
V
A
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
G（同步）
Q
OSS
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0至5伏
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=3.9 A,
V
GS
= 0至5伏
-
-
-
-
-
-
-
-
2.2
1.2
1.5
2.5
6
2.9
5.1
6
2.9
1.6
2.3
3.5
8
-
7
8
V
nC
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=3.9 A,
R
G
=2.7
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
756
270
37
3.9
3.2
14
2.2
1010
360
56
5.8
4.8
22
3.3
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复电荷
Q
rr
-
-
8
nC
4)
参见图16栅极电荷参数定义
修订版1.2
第3页
2006-05-09
BSO200N03
1功耗
P
合计
= F （T
A
);
t
p
≤10
s
2漏极电流
I
D
= F （T
A
);
V
GS
≥10
V;
t
p
≤10
s
2.5
10
2
8
1.5
6
P
合计
[W]
1
I
D
[A]
4
0.5
2
0
0
40
80
120
160
0
0
40
80
120
160
T
A
[°C]
T
A
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
A
=25 °C
1)
;
D
=0
参数：
t
p
10
2
100
4最大。瞬态热阻抗
Z
thjs
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
2
1 s
10 s
100 s
0.5
100
10
1
10
10毫秒
1毫秒
0.2
10
1
10
10
0
1
限于由导通状态
阻力
Z
thjs
〔 K / W〕
0.1
I
D
[A]
0.05
0.02
10
0
10
-1
0.1
1
0.01
DC
单脉冲
10
-2
0.01
0.1
1
10
100
10
-1
2
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
10
-1
10
0
V
DS
[V]
10
1
10
10
-5
10
-4
10
-3
t
p
[s]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
修订版1.2
第4页
2006-05-09
BSO200N03
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
12
10 V
4.5 V
3.3 V
3.4 V
3.6 V
3.8 V
4V
3.2 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
40
30
4.2 V
8
R
DS （ ON）
[m
]
3.1 V
4.5 V
5V
I
D
[A]
20
10 V
3V
4
2.8 V
10
2.6 V
0
0
1
2
3
0
0
10
20
30
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
30
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
40
25
30
20
15
g
fs
[S]
125 °C
25 °C
I
D
[A]
20
10
10
5
0
0
1
2
3
4
0
0
10
20
30
V
GS
[V]
I
D
[A]
修订版1.2
第5页
2006-05-09
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