BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
256K ×16位
描述
BS616LV4011
极低的工作电压： 2.4 5.5V
极低的功耗：
VCC = 3.0V
C-等级： 20毫安（最大）工作电流
I级： 25毫安（最大）工作电流
0.25uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V
C-等级： 45毫安（最大）工作电流
I级： 50毫安（最大）工作电流
1.5uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在Vcc = 3.0V
-10
为100ns （最大值）在Vcc = 3.0V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
该BS616LV4011是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为262144的单词和
工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
的在3V操作70 / 100ns的0.25uA和最大访问时间。
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供
使能（ CE ） ，低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV4011具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV4011可在DICE的形式， JEDEC标准的44针
TSOP II型封装， 48引脚BGA封装。
产品系列
产品
家庭
BS616LV4011DC
BS616LV4011EC
BS616LV4011BC
BS616LV4011AC
BS616LV4011DI
BS616LV4011EI
BS616LV4011BI
BS616LV4011AI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
VCC-
3.0V
( I
CCSB1
马克斯）
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
PKG型
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0810
BGA-48-0608
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0810
BGA-48-0608
VCC-
3.0V
1.5uA
VCC-
5.0V
15uA
VCC-
3.0V
20mA
VCC-
5.0V
45mA
0 ℃ + 70℃
O
O
2.4V ~ 5.5V
70/100
-40
O
C至+ 85
O
C
2.4V ~ 5.5V
70/100
3uA
50uA
25mA
50mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
A12
框图
A4
A3
A2
A1
A0
A17
A16
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 2048
BS616LV4011EC
BS616LV4011EI
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5
百联半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV4011
1
修订版2.4
2002年4月
BSI
引脚说明
BS616LV4011
名字
A0 - A17地址输入
CE芯片使能输入
功能
这18个地址输入选择在RAM中的262,144个16位字中的一个。
CE为低电平有效。芯片使必须是活动的，从读取或写入到该设备。如果
芯片启动是不活动的，则取消选择器件并处于待机功率模式。
DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
VCC
GND
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
CE
H
L
L
WE
X
H
H
OE
X
H
L
LB
X
X
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
UB
X
X
L
L
H
L
L
H
DQ0~DQ7
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
DQ8~DQ15
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
R0201-BS616LV4011
2
修订版2.4
2002年4月
BSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
BS616LV4011
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~5.5V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是测试。
DC电气特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
MIN 。 TYP 。
-0.5
2.0
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
(1)
马克斯。
0.8
Vcc+0.
2
1
1
0.4
--
20
45
1
2
1.5
15
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
,
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE = V
IL
,I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(3)
CE = V
IH
,I
DQ
= 0毫安
CE
V
IN
VCC -0.2V ，
VCC - 0.2V或V
IN
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流
-
TTL
按目前的立场
-
CMOS
--
--
--
--
0.25
1.5
0.2V
Vcc=5.0V
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
数据保持特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
CE
V
IN
CE
V
IN
测试条件
VCC - 0.2V
VCC - 0.2V或V
IN
VCC - 0.2V
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
0.2V
分钟。
1.5
--
0
T
RC
(2)
典型值。
(1)
--
0.1
--
--
马克斯。
--
1
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
R0201-BS616LV4011
3
修订版2.4
2002年4月
BSI
低V
CC
数据保存波形
（ CE控制）
数据保持方式
BS616LV4011
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
Vcc/0V
5ns
0.5Vcc
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
可能改变
以L至H
5PF
1404
输出
必须是
稳定
会
变化
从H到L
会
变化
以L至H
变化：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
交流测试负载和波形
3.3V
产量
100PF
INCLUDING
夹具
范围
1269
3.3V
产量
INCLUDING
夹具
范围
1269
1404
不会在意：
任何改变
许可
不
申请
,
图1A
戴维南等效
667
所有的输入脉冲
图1b
产量
1.73V
VCC
GND
10%
90% 90%
10%
→
←
→
←
5ns
图2
AC电气特性
（ TA = 0 + 70
o
C， VCC = 3.0V ）
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
数据字节控制到输出高Z
输出禁止到输出中高Z
输出禁止到地址变更
BS616LV4011-70
分钟。典型值。马克斯。
BS616LV4011-10
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
BA
t
GLQV
t
ELQX
t
BE
t
GLQX
t
EHQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
(1)
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
70
--
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
--
--
--
10
10
10
0
0
0
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
35
35
--
--
--
35
35
30
--
100
--
--
--
--
15
15
15
0
0
0
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
100
100
50
50
--
--
--
40
40
35
--
注意：
1. t
BA
是为35ns / 50ns的（ @ =速度为70ns / 100ns的）与地址切换。 ;吨
BA
是为70ns / 100ns的（ @ =速度为70ns / 100ns内）没有地址切换。
R0201-BS616LV4011
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QQ：2881677436 复制
