添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第675页 > BAS85
BL
特点
银河电子
电压范围： 30 V
电流： 0.2 A
BAS85
小信号肖特基二极管
对于一般用途的应用
该二极管具有极低的导通电压
和快速切换。这些设备被保护
通过防过PN结保护环
电压，例如静电放电
小型晶圆电阻
可焊ENDS
1ST BAND
第二个波段
D2
机械数据
案例： JEDEC
MINI- MELF玻璃
例
极性：颜色频带端为负极
重量： Approx.0.031
克
0.022(0.559)
0.016(0.406)
0.145(3.683)
0.131(3.327)
D1=
0.066
0.060
(1.676)
(1.
524
)
0.022(0.559)
0.016(0.406)
D2=D1
0
0.008(0.20)
绝对额定值
符号
连续反向电压
FORW ARD连续电流
峰值FORW ARD电流
浪涌FORW ARD电流
POW ER耗散
结温
工作温度范围
存储温度范围
@
@
@
T
A
=25
T
A
=25
t
p
<1s,T
A
=25
价值
30.0
200
1)
300
1)
600
1)
200
1)
125
c-55
---+ 125
c-55
---+ 150
单位
V
mA
mA
mA
mW
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
合计
T
J
T
A
T
英镑
@ T
A
=65
1）有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度下
电气特性
符号
反向breakdow N个电压
FORW ARD电压
脉冲测试tp<300 S， <2 ％
@ I
F
=0.1mA
@ I
F
=1mA
@ I
F
=10mA
@ I
F
=30mA
@ I
F
=100mA
漏电流V
R
=25V
结电容在V
R
=1V,f=1MHz
反向恢复时间@我
F
=10mA,I
R
=10mA,I
R
=1mA
热阻结到环境
分钟。
30.0
典型值。
马克斯。
单位
V
V
R
V
F
0.5
0.24
0.32
0.4
0.8
V
V
V
V
V
A
pF
ns
/W
I
R
C
J
t
rr
R
θ
JA
2.0
10
5
430
1)
1）有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度下
www.galaxycn.com
文档编号0265016
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - ADMISSIBLEPOWERDISSIPATIONVS 。 AMBIENT
温度
图。 2 - 典型瞬时FORWORD
特征
BAS85
1000
P
合计
- 功率（毫瓦）
200
正向电流（mA ）
100
T
J
=125
T
J
= 25
10
100
1
T
J
= -4 0
0 .1
0
0 .0 1
100
200
0
0 .2 0 .4
0 .6
0 .8
1 .0
1 .2
T
A
- 环境温度（℃）
V
F
- 正向电压（ V）
图。 3 - 典型的反向特性
图4 - 典型结电容
反向漏电流（ A）
结电容（PF ）
1000
T
J
= 1 2 5
100
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
100
10
75
1
50
25
0 .1
0 .0 1
5
10
15
20
25
30
V
R
- 反向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
www.galaxycn.com
文档编号0265016
BL
银河电子
2.
BAS85
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
这个二极管具有极低的导通电压
该装置由一个PN保护
防止过度结保护环
电压，例如静电放电
这个二极管也可在DO- 35
例类型名称BAT85
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
94 9371
应用
应用程序，其中一个非常低的正向电压
需要
机械数据
案例：
MiniMELF SOD- 80
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
BAS85
订购代码
BAS85 - GS18或BAS85 - GS08
键入标记
-
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
连续反向电压
正向连续电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
1)
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
价值
30
200
1)
300
1)
600
1)
200
1)
单位
V
mA
mA
mA
mW
t
p
< 1秒
T
AMB
= 65 °C
I
FSM
P
合计
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
430
1)
125
- 55 + 150
单位
K / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
文档编号85510
修订版1.9 ， 05 - 8 - 10
BAS85
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
漏电流
测试条件
I
R
= 10 μA （脉冲）
V
R
= 25 V
脉冲测试吨
p
< 300微秒，
I
F
- 0.1毫安
脉冲测试吨
p
< 300微秒，我
F
= 1毫安
正向电压
脉冲测试吨
p
< 300微秒，
I
F
= 10毫安
脉冲测试吨
p
< 300微秒，
I
F
= 30毫安
脉冲测试吨
p
< 300微秒，
I
F
= 100毫安
二极管电容
反向恢复时间
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
I
F
= 10 mA时，我
R
= 10毫安，
I
rr
= 1毫安，
符号
V
（ BR ）
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
t
rr
500
800
10
5
分钟。
30
0.2
2
240
320
400
典型值。
马克斯。
单位
V
A
mV
mV
mV
mV
mV
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
15822
1000
V
R
= 30
V
V
R
=
V
RRM
100
R
thJA
= 540千瓦
P
R
- 限制
在100％的
V
R
P
R
- 限制
at
80
%
V
R
I
R
- 反向电流（ μA ）
10
1
50
75
100
125
150
15823
25
50
75
100
125
150
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
图1.最大。反向功耗对比
结温
图2.反向电流与结温
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85510
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.9 ， 05 - 8 - 10
BAS85
威世半导体
1000
10
C
D
- 二极管电容（pF ）
I
F
- 正向电流（mA ）
T
j
= 125 °C
100
T
j
= 25 °C
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
F = 1 MHz的
1
0.1
0
15824
0
0.5
1.0
1.5
15825
0.1
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
MiniMELF SOD- 80
阴极indification
*
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大。
1.25 （ 0.49 ）分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 （ 0.197 ）参考。
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录
8
- 日期： 07.June.2006
96 12070
文档编号85510
修订版1.9 ， 05 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
2 （ 0.079 ）分钟。
www.vishay.com
3
法律免责声明
www.vishay.com
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
BAS85
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
这个二极管具有极低的导通电压
该装置由一个PN保护
防止过度结保护环
电压，例如静电放电
这个二极管也可在DO- 35
例类型名称BAT85
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
94 9371
应用
应用程序，其中一个非常低的正向电压
需要
机械数据
案例：
MiniMELF SOD- 80
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
BAS85
订购代码
BAS85 - GS18或BAS85 - GS08
键入标记
-
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
连续反向电压
正向连续电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
1)
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
价值
30
200
1)
300
1)
600
1)
200
1)
单位
V
mA
mA
mA
mW
t
p
< 1秒
T
AMB
= 65 °C
I
FSM
P
合计
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
430
1)
125
- 55 + 150
单位
K / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
文档编号85510
修订版1.9 ， 05 - 8 - 10
BAS85
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
漏电流
测试条件
I
R
= 10 μA （脉冲）
V
R
= 25 V
脉冲测试吨
p
< 300微秒，
I
F
- 0.1毫安
脉冲测试吨
p
< 300微秒，我
F
= 1毫安
正向电压
脉冲测试吨
p
< 300微秒，
I
F
= 10毫安
脉冲测试吨
p
< 300微秒，
I
F
= 30毫安
脉冲测试吨
p
< 300微秒，
I
F
= 100毫安
二极管电容
反向恢复时间
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
I
F
= 10 mA时，我
R
= 10毫安，
I
rr
= 1毫安，
符号
V
（ BR ）
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
t
rr
500
800
10
5
分钟。
30
0.2
2
240
320
400
典型值。
马克斯。
单位
V
A
mV
mV
mV
mV
mV
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
15822
1000
V
R
= 30
V
V
R
=
V
RRM
100
R
thJA
= 540千瓦
P
R
- 限制
在100％的
V
R
P
R
- 限制
at
80
%
V
R
I
R
- 反向电流（ μA ）
10
1
50
75
100
125
150
15823
25
50
75
100
125
150
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
图1.最大。反向功耗对比
结温
图2.反向电流与结温
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85510
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.9 ， 05 - 8 - 10
BAS85
威世半导体
1000
10
C
D
- 二极管电容（pF ）
I
F
- 正向电流（mA ）
T
j
= 125 °C
100
T
j
= 25 °C
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
F = 1 MHz的
1
0.1
0
15824
0
0.5
1.0
1.5
15825
0.1
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
MiniMELF SOD- 80
阴极indification
*
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大。
1.25 （ 0.49 ）分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 （ 0.197 ）参考。
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录
8
- 日期： 07.June.2006
96 12070
文档编号85510
修订版1.9 ， 05 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
2 （ 0.079 ）分钟。
www.vishay.com
3
MiniMELF SOD80
威世半导体
包装尺寸
毫米（英寸）
阴极indification
*
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大。
1.25 （ 0.49 ）分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 （ 0.197 ）参考。
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录
8
- 日期： 07.June.2006
96 12070
文档编号： 84013
修订版1.3 12 -JAN- 07
如有技术问题，请联系： EMI-filter@vishay.com
2 （ 0.079 ）分钟。
www.vishay.com
21
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
www.vishay.com
1
MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BAS85
特点
湿度敏感度等级1
该二极管具有极低的导通电压
该设备通过对PN结保护环
过大的电压，例如静电放电
此二极管也是一个DO -35的情况下与类型指定可用的
BAT85
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
等级
连续反向电压
在环境温度Tamb正向直流电流= 25
℃
重复峰值正向电流吨
AMB
=25℃
正向电流浪涌时tp<1s ，T
AMB
=25
℃
在环境温度Tamb功耗= 65 ℃
热阻结到环境空气
结温
储存温度
等级
30
(2)
200
(2)
300
(2)
600
(2)
200
(2)
430
125
-55到+150
单位
V
mA
mA
mA
mW
℃/W
℃
℃
200mW
小信号肖特基
垒二极管
30伏特
MiniMELF
最大额定值
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
合计
R
JA
T
J
T
英镑
阴极标记
C
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
参数
反向击穿电压
(I
R
=10
μAdc
脉冲）
正向电压
I
F
= 0.1毫安，脉冲测试吨
p
<300μs
I
F
= 1.0毫安，脉冲测试吨
p
<300μs
I
F
= 10毫安，脉冲测试吨
p
<300μs
I
F
= 30mA时脉冲测试吨
p
<300μs
I
F
= 100mA时脉冲测试吨
p
<300μs
漏电流
(3)
(V
R
=25Vdc)
电容
(V
R
= 1.0V ， F = 1.0MHz的）
反向恢复时间
(I
F
= 10毫安，我
R
= 10毫安， IRR = 1.0毫安）
民
30
---
---
---
---
---
---
---
---
典型值
---
---
---
---
0.5
---
0.2
---
---
最大
---
0.24
0.32
0.40
---
0.80
2.0
10
5.0
单位
V
B
A
V
F
V
尺寸
I
R
C
合计
t
rr
A
pF
ns
暗淡
A
B
C
英寸
民
.130
.008
.055
最大
.146
.016
.059
MM
民
3.30
.20
1.40
最大
3.70
.40
1.50
记
注： 1 。铅玻璃中的应用豁免，见欧盟指令附件5 。
2.有效的规定，电极被保持在环境温度
建议焊料
焊盘布局
0.105
0.075”
0.030”
修订版：A
www.mccsemi.com
1第3
2011/01/01
BAS85
MCC
TM
微型商业组件
P - 反向功率耗散（MW ）
R
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
R
thJA
= 540 K / W
P
R
- 限制
1000
V
R
= 30 V
I
R
- 反向电流（
A
)
V
R
= V
RRM
100
@ 100% V
R
P
R
- 限制
@ 80% V
R
10
1
25
15823
50
75
100
125
150
15822
T
j
- 结温（
°
C )
T
j
- 结温（
°
C )
图1.最大。反向功率耗散与结
温度
图2.反向电流与结温
1000
C
D
- 二极管电容（pF ）
10
T
j
= 150
°
C
I
F
- 正向电流（ A）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
1
10
F = 1 MHz的
100
T
j
= 25
°
C
10
1
0.1
0
15824
0.5
1.0
1.5
15825
100
V
F
- 正向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图3.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
修订版：A
www.mccsemi.com
2 3
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel ：
2.5Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
3 3
2011/01/01
3
直流分量CO 。 ， LTD 。
R
BAS85
整流器SPECIALISTS
小信号肖特基势垒二极管技术规格
电压 - 30伏
电流 - 0.2安培
特点
*对于一般用途的应用
*该二极管具有极低的导通电压和
快速切换。该装置是由一个PN保护
防过电压结保护环，
如静电放电（ESD ）
*双段塞式建筑
赠送晶圆电阻（DL- 35）
机械数据
*案例：玻璃外壳迷你晶圆电阻（ DL -35 ）
*码头：焊接镀每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.05克约。
.142(3.6)
.134(3.4)
.016(0.4)
.008(0.2)
.016(0.4)
.008(0.2)
.059(1.5)
.055(1.4)
阴极标记
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
尺寸以英寸（毫米）
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
A
=75
o
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在0.1A DC
最大DC反向电流额定阻断电压DC ， TA = 25℃
典型热阻（注1）
典型结电容（注2 ）
贮藏工作温度范围
注意事项：保持在环境温度规定1.终端。
2.测得1 MHz和应用1.0伏的反向电压。
o
BAS85
30
21
30
0.2
4.0
0.8
2.0
300
10
-55到+125
单位
伏
伏
伏
安培
安培
伏
μAMPS
0
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JA
C
J
T
J
, T
英镑
C / W
pF
0
C
额定值和特性曲线（ BAS85 ）
图。 1 - 典型正向电流
降额曲线
0.5
平均正向电流，
(A)
瞬时正向电流，
(A)
图。 2 - 典型正向
特征
T
J
= 75 C
o
0.1
o
0.4
T
J
= 100 C
0.3
0.2
0.01
T
J
= 25 C
o
0.1
0
20
40
60
80
100
120
大气中铅的温度， （
o
C)
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
瞬时正向电压（V）的
图。 3 - 典型的反向特性
10
反向电流（ μA ）
10000
图。 4 - 典型的反向特性
反向电流（ μA ）
1
T
J
= 100 C
o
T
J
= 25 C
o
0.1
1000
T
J
= 75 C
o
0.01
0.001
10
15
20
25
30
35
反向电压， （V）的
100
0
5
10
15
20
25
反向电压， （V）的
图。 5 - 典型结电容
16
结电容（PF ）
14
12
10
8
6
4
2
0
5
10
15
20
25
反向电压， （V）的
直流分量CO 。 ， LTD 。
R
德昌
半导体
密封的玻璃快速开关肖特基
垒二极管
表面贴装
LL34
绝对最大额定值
符号
P
D
T
英镑
T
J
V
RRM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
功耗
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
200
-65到+125
+125
30
30
200
4
单位
mW
°C
°C
V
V
mA
A
阴极带颜色：黑色
设备标记图
参数
存储温度范围
工作结温
反向重复峰值电压
最大直流阻断电压
正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
规格特点：
低正向压降
LL- 34封装（ JEDEC ）
通孔设备安装型
密封的玻璃
压接施工
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
符合RoHS
焊接热浸锡（Sn ），铅完成
阴极
电气符号
阳极
电气特性
符号
B
V
I
R
V
F
击穿电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
I
R
=10A
V
R
=25V
TCBAT42
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=30mA
I
F
=100mA
30
2
0.24
0.32
0.40
0.50
0.80
伏
范围
典型值
最大
伏
uA
单位
反向漏电流
正向电压
T
RR
反向恢复时间
I
F
=I
R
=10mA
R
L
=100
I
RR
=1mA
5
nS
C
电容
V
R
= 1V ， F = 1M
HZ
7
10
pF
2007年11月/ A
第1页
BAS85
200毫瓦LL- 34气密
德昌
半导体
包装外形
包
案例外形
B
LL-34
暗淡
LL34
A
A
B
C
C
民
3.302
1.397
0.350
MILLIMETERS
最大
3.505
1.499
0.500
民
0.130
0.055
0.014
英寸
最大
0.138
0.059
0.020
注意事项：
1.
2.
所有尺寸都在DO213AC JEDEC标准。
LL- 34的极性表示由阴极频带。
该数据表呈现德昌的肖特基二极管的技术数据。规格齐全，适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
所需的特定的应用程序组件。有关更多信息，请访问我们的网站
http://www.takcheong.com 。
虽然此数据表中的信息已经过仔细核对，对错误的责任可以承担德
畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
德昌保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，进一步提高可靠性的权利，
功能和设计方面，成本和生产率。
德昌
2007年11月/ A
和
注册德昌电子（集团）有限公司的商标。
第2页
德昌
半导体
密封的玻璃快速开关肖特基
垒二极管
表面贴装
LL34
绝对最大额定值
符号
P
D
T
英镑
T
J
V
RRM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
功耗
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
200
-65到+125
+125
30
30
200
4
单位
mW
°C
°C
V
V
mA
A
阴极带颜色：黑色
设备标记图
参数
存储温度范围
工作结温
反向重复峰值电压
最大直流阻断电压
正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
规格特点：
低正向压降
LL- 34封装（ JEDEC ）
通孔设备安装型
密封的玻璃
压接施工
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
符合RoHS
焊接热浸锡（Sn ），铅完成
阴极
电气符号
阳极
电气特性
符号
B
V
I
R
V
F
击穿电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
I
R
=10A
V
R
=25V
TCBAT42
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=30mA
I
F
=100mA
30
2
0.24
0.32
0.40
0.50
0.80
伏
范围
典型值
最大
伏
uA
单位
反向漏电流
正向电压
T
RR
反向恢复时间
I
F
=I
R
=10mA
R
L
=100
I
RR
=1mA
5
nS
C
电容
V
R
= 1V ， F = 1M
HZ
7
10
pF
编号： DB- 095
一月， 2011 / B
第1页
BAS85
200毫瓦LL- 34气密
德昌
半导体
包装外形
包
案例外形
B
LL-34
暗淡
LL34
A
A
B
C
C
民
3.30
1.40
0.35
MILLIMETERS
最大
3.60
1.50
0.50
民
0.130
0.055
0.014
英寸
最大
0.142
0.059
0.020
注意事项：
1.
2.
所有尺寸都在DO213AC JEDEC标准。
LL- 34的极性表示由阴极频带。
编号： DB- 095
一月， 2011 / B
第2页
德昌
DISC LA MER我ê诺蒂奇
通告
本文档中提供的信息仅供参考。德昌保留做出正确的
更改，恕不另行通知此处显示的产品规格。
这里所列出的产品被设计成与普通的电子设备或装置，并且不使用
设计成与设备或需要高度可靠的设备和与故障用
将直接危及人的生命（如医疗器械，交通运输设备，航空航天
机械，核反应控制器，燃料控制器等安全装置） ，德昌半导体
有限责任公司，或任何代表其承担此类产生的任何damagers不承担任何责任
使用不当销售。
本出版物取代&替换reviously提供的所有信息。有关更多信息，请访问：
我们的网站
http://www.takcheong.com ，
或咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
编号： DB- 100
2008年4月14日/ A
BAS85
威世德律风根
肖特基二极管
特点
D
对综合保护环
静电放电
D
极低的正向电压
应用
应用中一个非常低的正向电压
是必须的
94 9371
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
平均正向电流
结温
存储温度范围
测试条件
t
p
= 10毫秒
t
p
≤1s
V
RWM
=25V
TYPE
符号
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
T
j
T
英镑
价值
30
5
300
200
200
125
–65...+150
单位
V
A
mA
mA
mA
°
C
°
C
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
在PC板50mmx50mmx1.6mm
符号
R
thJA
价值
320
单位
K / W
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
g
测试条件
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=30mA
I
F
=100mA
V
R
= 25V ，T
p
=300
m
s
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
TYPE
符号
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值
最大
240
320
400
500
800
2.3
10
单位
mV
mV
mV
mV
mV
m
A
pF
反向电流
二极管电容
文档编号85510
第3版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BAS85
威世德律风根
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
200
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
15822
1000
V
R
= 30 V
I
F
- 正向电流（ A）
100
T
j
= 150°C
R
thJA
=
540K/W
P
R
-limit
@100%V
R
T
j
= 25°C
10
P
R
-limit
@80%V
R
1
0.1
50
75
100
125
150
15824
0
0.5
1.0
1.5
T
j
- 结温（
°C
)
V
F
- 正向电压（ V）
图1.最大。反向功耗对比
结温
1000
V
R
= V
RRM
图3.正向电流与正向电压
10
9
C
D
- 二极管电容（pF ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
15825
f=1MHz
I
R
- 反向电流（
m
A )
100
10
1
25
15823
50
75
100
125
150
1.0
10.0
100.0
T
j
- 结温（
°C
)
V
R
- 反向电压（ V）
图2.反向电流与结温
图4.二极管电容与反向电压
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (4)
文档编号85510
第3版， 01日至4月99
BAS85
威世德律风根
尺寸（mm）
96 12070
文档编号85510
第3版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (4)
BAS85
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响，以及其上的冲击
环境。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到已知的大气中
臭氧消耗物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的
申请时，买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，因
直接或间接的个人损害，伤害或死亡索赔等意外或相关
未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号85510
第3版， 01日至4月99
RECTRON
半导体
技术规格
BAS85
肖特基二极管
特点
*快速切换装置（T
RR
<4.0nS)
*迷你MELF玻璃外壳（ SOD- 80 ）
*通孔设备类型安装
*密封式玻璃
*压接施工
*所有外部表面耐腐蚀和导线
很容易焊
SOD-80
.016(0.40)
.008(0.20)
.059(1.5)
.055(1.4)
.142(3.6)
.134(3.4)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
尺寸以英寸（毫米）
最大RATINGES
( @ T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
最大正向Comtinuous反向电压
最大正向电流Comtinuous @ T A = 25℃
最大峰值正向电流@ T A = 25℃
正向电流浪涌@ tp<1s ， T A = 25
O
C
最大功率耗散@ T A = 65℃
结温
存储温度范围
O
O
O
o
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
D
T
J
T
英镑
BAS85
30
200
300
600
200
125
-65到+ 150
单位
V
毫安
毫安
毫安
mW
O
C
C
O
电气特性
( @ T
A
= 25
o
C除非另有说明）
特征
反向击穿电压（I
R
=10A)
反向电压漏电流（V
R
=25V)
(I
F
=0.1mA)
(I
F
=1mA)
正向电压脉冲Tesx tp<300μs ， δ<2 ％
(I
F
=10mA)
(I
F
=30mA)
(I
F
=100mA)
二极管电容（V
R
=1,f=1MHz)
尊恢复时间（我
F
=I
R
=10mA,IR=1mA)
C
D
-
-
V
F
-
符号
V
（ BR ）R
I
R
分钟。
30
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.5
-
-
-
马克斯。
-
2
0.24
0.32
0.4
-
0.8
10
5
pF
nS
2006-3
V
单位
V
A
t
rr
SMD型
肖特基二极管Darrier
KAS85
(BAS85)
LL-34
二极管
单位：mm
特点
低正向电压
高的击穿电压
保护环
3.60
3.30
2.64REF
0.50
0.35
1.50
1.30
绝对最大额定值大= 25
参数
连续反向电压
连续正向电流
平均正向电流（V
RWM
= 25 V ; A = 1.57 ; △= 0.5 ）
重复峰值正向电流（ TP
1 s;
0.5)
符号
V
R
I
F
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
R
日J-一
T
AMB
T
j
T
英镑
等级
30
200
200
300
5
320
-65到+125
125
-65到+150
单位
V
mA
mA
mA
A
K / W
非重复性峰值正向电流（T
p
= 10毫秒）
从结点到环境的热阻
工作环境温度
结温
储存温度
电气特性TA = 25
参数
符号
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
正向电压
V
F
I
F
= 10毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安
反向电流
二极管电容
*脉冲测试：吨
p
= 300 ìs; = 0.02.
I
R
C
d
V
R
= 25 V *
F = 1兆赫; V
R
= 1 V
Testconditons
最大
240
320
400
500
800
2.3
10
A
pF
mV
单位
www.kexin.com.cn
1
查看更多BAS85PDF信息
推荐型号
B40C800DM
BS-C344RD
BDW24C
BQ2057CDGKG4
B43456A5228M000
BYT12P800A
BS616LV4011BC
B32653A2682
BR93LC46
B37982N1222M051
B65684
BCR10PN
B41821A3228M002
BYG21K-TR3
BYG21KTR3
B37942K5104M60
BXZ84C22
BH5510KV-E2
BP03YE
B82496C3181J
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAS85
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
BAS85
NXP(恩智浦)
22+
29808
原装原厂公司现货
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
BAS85
NXP
16+
68000
LL34
原装进口,样品可出
深圳市合一方科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：960030175 复制

电话：13480301972
联系人：陈先生
地址：福田区中航路华强北街道国利大厦2030
BAS85
KF香港科范微半导体
24+
898000
LL34
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BAS85
NXP
15+
87500
LL-34
只做原装实单申请
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
BAS85
NXP
25+
4500
LL34
全新原装，欢迎查询
深圳市凯鑫跃电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885514887 复制

电话：0755-83987779
联系人：洪小姐
地址：福田区中航路都会电子城2C020A室（本公司可以开13%增票，3%增票和普票）
BAS85
NXP
2023+PB
60000
SOT-23
★专业经营贴片二，三极管，桥堆★现货库存低价抛售★
深圳市嘉万骏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：657995889 复制

电话：0755*83682918
联系人：林小姐
地址：深圳市福田区华强花园A座30E
BAS85
中性
22+
16000
LL-34
原装正品自家库存
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BAS85
PHILIPS
21+
15000.00
原厂封装
全新原装正品/质量有保证
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ：936045363 复制

电话：13424184668
联系人：肖佳欣
地址：广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
BAS85
PHILIPS
24+
8000000
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
深圳市福田区吉富昌电子商行
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2290748171 复制
电话：83682693
联系人：关先生
地址：深圳市福田区赛格广场57楼5704
BAS85
SUNMATE
2018
66778
SOD-80
品质保证★免费送样★售后无忧★可开发票
查询更多BAS85供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！