【SOT23封装N沟道增强模式垂直DMOS FET第3期 - 1996年1月特点* 60Volt VD】,IC型号BS170F,BS170F PDF资料,BS170F经销商,ic,电子元器件-51电子网

SOT23封装N沟道增强

模式垂直DMOS FET

第3期 - 1996年1月

特点

* 60Volt V

* R

DS （ ON）

= 5

BS170F

PARTMARKING详细信息 - MV

SOT23

绝对最大额定值。

参数

漏源电压

连续漏电流在T

AMB

=25°C

漏电流脉冲

门源电压

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

合计

英镑

价值

0.15

330

-55到+150

单位

°C

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

漏源

击穿电压

门极 - 源

电压

门体漏

零栅压漏

当前

静态漏源导通状态

电阻（1）

正向跨导

(1)(2)

输入电容（ 2 ）

导通延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

关断延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

国际空间站

D（上）

D（关闭）

200

MIN 。 TYP 。 MAX 。单位条件。

0.8

0.5

= 100μA ，V

=0V

= 1mA时， V

= V

=15V, V

=0V

=25V, V

=0V

= 10V ，我

=200mA

= 10V ，我

=200mA

=10V, V

=0V,

f=1MHz

≈-15V,

=600mA

（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比

≤2%

（ 2 ）样品测试。

（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器

辣妹参数数据可应要求提供此设备

对于典型特征图是指ZVN3306F数据表。

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模式垂直DMOS FET

第3期 - 1996年1月

特点

* 60Volt V

* R

DS （ ON）

= 5

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绝对最大额定值。

参数

漏源电压

连续漏电流在T

AMB

=25°C

漏电流脉冲

门源电压

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

合计

英镑

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单位

°C

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= 25 ° C除非另有说明）。

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漏源

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门极 - 源

电压

门体漏

零栅压漏

当前

静态漏源导通状态

电阻（1）

正向跨导

(1)(2)

输入电容（ 2 ）

导通延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

关断延迟时间（ 2 ）（ 3 ）

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

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D（上）

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200

MIN 。 TYP 。 MAX 。单位条件。

0.8

0.5

= 100μA ，V

=0V

= 1mA时， V

= V

=15V, V

=0V

=25V, V

=0V

= 10V ，我

=200mA

= 10V ，我

=200mA

=10V, V

=0V,

f=1MHz

≈-15V,

=600mA

（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比

≤2%

（ 2 ）样品测试。

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