TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
N沟道240 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
TN2404K
TN2404KL/BS107KL
V
DS
敏（ V）
240
r
DS （ ON）
(W)
4 @ V
GS
= 10 V
4 @ V
GS
= 10 V
V
GS （ TH）
(V)
为0.8 2.0
为0.8 2.0
I
D
(A)
0.2
0.3
Q
g
（典型值）
4.87
4 87
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 4
W
二次击穿免费： 260 V
低功率/电压驱动
低输入和输出泄漏
优良的热稳定性
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
全电压运行
轻松驱动无缓冲器
低电压错误
没有高温
“失控”
TO-226AA
(TO-92)
S
3
D
G
2
1
应用
D
高电压驱动器：继电器，螺线管，
灯，锤子，显示器，
晶体管等。
D
电话静音开关，振铃电路
D
电源供应器，转换器
D
电机控制
TO-92-18RM
（ TO- 18引脚形式）
器件标识
前视图
“S”型的TN
2404KL
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
D
1
TO-236
(SOT-23)
G
1
器件标识
前视图
“S” BS
107KL
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
S
2
G
2
顶视图
TN2404K
标识代码： K1ywl
K1 =型号代码TN2404K
y
=年份代码
w
=周典
l
=批次追踪
D
3
顶视图
TN2404KL
S
3
顶视图
BS107KL
订购信息
标准
产品型号
TN2404K-T1
TN2404KL-TR1
BS107KL-TR1
铅（Pb ） - 免费
产品型号
TN2404K-T1—E3
TN2404KL-TR1—E3
BS107KL-TR1—E3
选项
与磁带和卷轴折叠选项
卷轴选项
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
TN2404K
TN2404KL/BS107KL
240
"20
单位
V
0.2
0.16
0.8
0.36
0.23
350
b
55
150
0.3
0.25
1.4
0.8
0.51
156
W
° C / W
_C
A
功耗
热阻，结到环境
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。表面安装在FR4板。
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
1
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 192 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55_C
V
DS
= 10 V, V
GS
=10 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.3 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
( )
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 0.1 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.3 A
I
S
= 0.3 A，V
GS
= 0 V
0.8
0.5
2.2
2.3
2.4
1.6
0.8
1.2
4
4
6
S
V
W
240
0.8
257
1.65
2.0
"100
1
10
V
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
导通状态
在国家漏极电流
b
I
D( )
D（上）
A
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开启
启动时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
r
V
DD
= 60 V ，R
L
= 200
W
I
D
]
0.3 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 25
W
V
DS
= 192 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
4.87
0.56
1.53
5
12
35
16
10
20
60
25
nS
8
nC
打开-O FF时间
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
1.8
V
GS
= 10直通3 V
1.5
I
D
漏电流（ A）
1.2
0.9
0.6
0.3
2V
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
I
D
漏电流（ A）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
T
C
=
55_C
25_C
125_C
传输特性
2.5 V
导通电阻与漏电流
5
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
300
250
C
电容（pF）
200
150
100
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
10
电容
4
3
C
国际空间站
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
2
1
C
RSS
C
OSS
20
30
40
50
0
0.0
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 192 V
I
D
= 0.5 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
0.4
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.3 A
6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.2 A
4
2
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
www.vishay.com
3
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
8
7
I
S
源电流（ A）
1
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
6
5
4
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 100毫安
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 50毫安
0.1
T
J
=
55_C
T
J
= 25_C
0.01
T
J
= 150_C
0.001
0.0
I
D
= 10毫安
阈值电压
0.3
0.2
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
50
I
D
= 250
mA
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境（ TO- 236 ， TN2404K只）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=350_C/W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
标准化的有效瞬态热阻抗，结到环境
（ TO- 226AA ， TN2404KL和TO- 92-18RM ， BS107KL只）
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
注意事项：
P
DM
t
1
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 156_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
t
1
t
2
1K
10 K
t
1
方波脉冲持续时间（秒）
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72225 。
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
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TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
N沟道240 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
TN2404K
TN2404KL/BS107KL
V
DS
敏（ V）
240
r
DS （ ON）
(W)
4 @ V
GS
= 10 V
4 @ V
GS
= 10 V
V
GS （ TH）
(V)
为0.8 2.0
为0.8 2.0
I
D
(A)
0.2
0.3
Q
g
（典型值）
4.87
4 87
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 4
W
二次击穿免费： 260 V
低功率/电压驱动
低输入和输出泄漏
优良的热稳定性
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
全电压运行
轻松驱动无缓冲器
低电压错误
没有高温
“失控”
TO-226AA
(TO-92)
S
3
D
G
2
1
应用
D
高电压驱动器：继电器，螺线管，
灯，锤子，显示器，
晶体管等。
D
电话静音开关，振铃电路
D
电源供应器，转换器
D
电机控制
TO-92-18RM
（ TO- 18引脚形式）
器件标识
前视图
“S”型的TN
2404KL
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
D
1
TO-236
(SOT-23)
G
1
器件标识
前视图
“S” BS
107KL
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
S
2
G
2
顶视图
TN2404K
标识代码： K1ywl
K1 =型号代码TN2404K
y
=年份代码
w
=周典
l
=批次追踪
D
3
顶视图
TN2404KL
S
3
顶视图
BS107KL
订购信息
标准
产品型号
TN2404K-T1
TN2404KL-TR1
BS107KL-TR1
铅（Pb ） - 免费
产品型号
TN2404K-T1—E3
TN2404KL-TR1—E3
BS107KL-TR1—E3
选项
与磁带和卷轴折叠选项
卷轴选项
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
TN2404K
TN2404KL/BS107KL
240
"20
单位
V
0.2
0.16
0.8
0.36
0.23
350
b
55
150
0.3
0.25
1.4
0.8
0.51
156
W
° C / W
_C
A
功耗
热阻，结到环境
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。表面安装在FR4板。
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
1
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 192 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55_C
V
DS
= 10 V, V
GS
=10 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.3 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
( )
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 0.1 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.3 A
I
S
= 0.3 A，V
GS
= 0 V
0.8
0.5
2.2
2.3
2.4
1.6
0.8
1.2
4
4
6
S
V
W
240
0.8
257
1.65
2.0
"100
1
10
V
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
导通状态
在国家漏极电流
b
I
D( )
D（上）
A
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开启
启动时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
r
V
DD
= 60 V ，R
L
= 200
W
I
D
]
0.3 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 25
W
V
DS
= 192 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
4.87
0.56
1.53
5
12
35
16
10
20
60
25
nS
8
nC
打开-O FF时间
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
1.8
V
GS
= 10直通3 V
1.5
I
D
漏电流（ A）
1.2
0.9
0.6
0.3
2V
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
I
D
漏电流（ A）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
T
C
=
55_C
25_C
125_C
传输特性
2.5 V
导通电阻与漏电流
5
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
300
250
C
电容（pF）
200
150
100
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
10
电容
4
3
C
国际空间站
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
2
1
C
RSS
C
OSS
20
30
40
50
0
0.0
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 192 V
I
D
= 0.5 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
0.4
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.3 A
6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.2 A
4
2
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
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3
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
8
7
I
S
源电流（ A）
1
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
6
5
4
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 100毫安
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 50毫安
0.1
T
J
=
55_C
T
J
= 25_C
0.01
T
J
= 150_C
0.001
0.0
I
D
= 10毫安
阈值电压
0.3
0.2
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
50
I
D
= 250
mA
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境（ TO- 236 ， TN2404K只）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=350_C/W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
标准化的有效瞬态热阻抗，结到环境
（ TO- 226AA ， TN2404KL和TO- 92-18RM ， BS107KL只）
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
注意事项：
P
DM
t
1
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 156_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
t
1
t
2
1K
10 K
t
1
方波脉冲持续时间（秒）
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72225 。
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
5
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
N沟道240 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
TN2404K
TN2404KL/BS107KL
V
DS
敏（ V）
240
r
DS （ ON）
(W)
4 @ V
GS
= 10 V
4 @ V
GS
= 10 V
V
GS （ TH）
(V)
为0.8 2.0
为0.8 2.0
I
D
(A)
0.2
0.3
Q
g
（典型值）
4.87
4 87
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 4
W
二次击穿免费： 260 V
低功率/电压驱动
低输入和输出泄漏
优良的热稳定性
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
全电压运行
轻松驱动无缓冲器
低电压错误
没有高温
“失控”
TO-226AA
(TO-92)
S
3
D
G
2
1
应用
D
高电压驱动器：继电器，螺线管，
灯，锤子，显示器，
晶体管等。
D
电话静音开关，振铃电路
D
电源供应器，转换器
D
电机控制
TO-92-18RM
（ TO- 18引脚形式）
器件标识
前视图
“S”型的TN
2404KL
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
D
1
TO-236
(SOT-23)
G
1
器件标识
前视图
“S” BS
107KL
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
S
2
G
2
顶视图
TN2404K
标识代码： K1ywl
K1 =型号代码TN2404K
y
=年份代码
w
=周典
l
=批次追踪
D
3
顶视图
TN2404KL
S
3
顶视图
BS107KL
订购信息
标准
产品型号
TN2404K-T1
TN2404KL-TR1
BS107KL-TR1
铅（Pb ） - 免费
产品型号
TN2404K-T1—E3
TN2404KL-TR1—E3
BS107KL-TR1—E3
选项
与磁带和卷轴折叠选项
卷轴选项
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
脉冲漏
当前
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
TN2404K
TN2404KL/BS107KL
240
"20
单位
V
0.2
0.16
0.8
0.36
0.23
350
b
55
150
0.3
0.25
1.4
0.8
0.51
156
W
° C / W
_C
A
功耗
热阻，结到环境
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。表面安装在FR4板。
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
1
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 192 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55_C
V
DS
= 10 V, V
GS
=10 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.3 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
( )
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 0.1 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.3 A
I
S
= 0.3 A，V
GS
= 0 V
0.8
0.5
2.2
2.3
2.4
1.6
0.8
1.2
4
4
6
S
V
W
240
0.8
257
1.65
2.0
"100
1
10
V
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
导通状态
在国家漏极电流
b
I
D( )
D（上）
A
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开启
启动时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
r
V
DD
= 60 V ，R
L
= 200
W
I
D
]
0.3 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 25
W
V
DS
= 192 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
4.87
0.56
1.53
5
12
35
16
10
20
60
25
nS
8
nC
打开-O FF时间
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
1.8
V
GS
= 10直通3 V
1.5
I
D
漏电流（ A）
1.2
0.9
0.6
0.3
2V
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
I
D
漏电流（ A）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
T
C
=
55_C
25_C
125_C
传输特性
2.5 V
导通电阻与漏电流
5
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
300
250
C
电容（pF）
200
150
100
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
10
电容
4
3
C
国际空间站
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
2
1
C
RSS
C
OSS
20
30
40
50
0
0.0
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 192 V
I
D
= 0.5 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
0.4
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.3 A
6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.2 A
4
2
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
www.vishay.com
3
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
8
7
I
S
源电流（ A）
1
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
6
5
4
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 100毫安
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 50毫安
0.1
T
J
=
55_C
T
J
= 25_C
0.01
T
J
= 150_C
0.001
0.0
I
D
= 10毫安
阈值电压
0.3
0.2
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
50
I
D
= 250
mA
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境（ TO- 236 ， TN2404K只）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=350_C/W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
标准化的有效瞬态热阻抗，结到环境
（ TO- 226AA ， TN2404KL和TO- 92-18RM ， BS107KL只）
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
注意事项：
P
DM
t
1
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 156_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
t
1
t
2
1K
10 K
t
1
方波脉冲持续时间（秒）
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72225 。
文档编号： 72225
S- 41761 -REV 。 B， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
5
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
N沟道240 V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
部分
数
TN2404K
TN2404K,
BS107KL
240
4在V
GS
= 10 V
0.8-2
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
V
GS （ TH）
(A)
I
D
(A)
0.2
0.3
4.87 NC
Q
g
（典型值）。
低导通电阻： 4
二次击穿免费： 260 V
低功率/电压驱动
低输入和输出泄漏
优良的热稳定性
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
材料分类：
TO-92-18RM
（ TO- 18引脚形式）
D
1
TO-226AA
(TO-92)
S
1
应用
高电压驱动器：继电器，
螺线管，照明灯，锤子，
显示器，晶体管等。
电话静音开关，
振铃电路
电源供应器，转换器
电机控制
TO-236
(SOT-23)
G
2
G
2
G
1
3
D
D
3
顶视图
TN2404KL
器件标识
前视图
“S”型的TN
2404KL
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY =日期代码
S
3
顶视图
BS107KL
器件标识
前视图
“S” BS
107KL
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY =日期代码
S
2
好处
顶视图
TN2404K
标识代码： K1ywl
低失调电压
K1 =型号代码TN2404K
Y =年代码
全电压运行
W =周典
轻松驱动无缓冲器
L =批次追踪
低电压错误
无高温“失控”
ORDRING信息
标准部分号码
TN2404K
TN2404KL
BS107KL
订货型号
TN2404K-T1-E3
TN2404K-T1-GE3
TN2404KL-TR1-E3
BS107KL-TR1-E3
选项
铅（Pb ）免费
铅（Pb ），无卤素免费
与磁带和卷轴
卷轴选项
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
最大功率耗散
热阻结到环境
工作结存储温度范围
注意事项：
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。表面安装在FR4板。
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
0.2
0.16
0.8
0.36
0.23
350
b
- 55 150
TN2404K
TN2404KL/BS107KL
240
± 20
0.3
0.25
1.4
0.8
0.51
156
W
° C / W
°C
A
符号
V
文档编号： 72225
S12-1767 -REV 。 C， 23 -JUL- 12
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 100 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 192 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 192 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
½10
V, V
GS
= 10 V
V
DS
½10
V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
½10
V，I
D
= 0.3 A
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 60 V ，R
L
= 200
I
D
0.3 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 25
V
DS
= 192 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
4.87
0.56
1.53
5
12
35
16
10
20
60
25
ns
8
nC
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
½4.5
V，I
D
= 0.2 A
V
GS
½2.5
V，I
D
= 0.1 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.3 A
0.8
0.5
2.2
2.3
2.4
1.6
0.8
1.2
4
4
6
S
V
240
0.8
257
1.65
2
± 100
1
10
A
A
V
nA
符号
测试条件
范围
分钟。
典型值。
a
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
文档编号： 72225
S12-1767 -REV 。 C， 23 -JUL- 12
本文如有更改，恕不另行通知。
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TN2404K/TN2404KL/BS107KL
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
1.8
V
GS
= 10直通3
V
1.5
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
0
1
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
6
1.4
T
C
= 55 C
25 C
1.2
125 C
2.5
V
0.9
0.6
0.3
2
V
0.0
输出特性
5
300
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（
- 电容（pF ）
4
250
)
200
3
C
国际空间站
V
GS
= 4.5
V
V
GS
= 10
V
150
2
100
1
50
C
RSS
C
OSS
20
30
40
50
0
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
10
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
R
DS （ ON）
- 在- Resiistance （归）
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
DS
= 192
V
I
D
= 0.5 A
8
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
50
电容
V
GS
= 10
V
I
D
= 0.3 A
6
V
GS
= 4.5
V
I
D
= 0.2 A
4
2
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
25
0
25
50
75
100
T
J
=结温（ C）
125
150
栅极电荷
导通电阻与结温
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
10
8
7
I
S
- 源电流（ A）
1
R
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
6
I
D
= 50毫安
5
4
3
2
I
D
= 10毫安
1
0
0
2
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
10
I
D
= 100毫安
0.1
T
J
= 55 C
T
J
= 25 C
0.01
T
J
= 150 C
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
= SO
u
RCE到漏
V
oltage （
V
)
1.4
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
0.3
0.2
I
D
= 250
A
0.1
V
GS （ TH）
方差
(V)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
50
25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（ _C ）
125
150
阈值电压
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4
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（25℃ ，除非另有说明）
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 350℃ / W
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
（TO- 236 ， TN2404K只）
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
注意事项：
P
DM
t
1
0.02
0.01
单脉冲
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 156℃ / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
t
1
t
2
0.01
0.1
1
10
100
1K
10 K
t
1
- 广场
WAVE
脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
（ TO- 226AA ， TN2404KL和TO- 92-18RM ， BS107KL只）
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
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