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初步数据
BSO604NS2
OptiMOS
=
功率晶体管
特征
双N沟道
增强型
逻辑电平
150 °C
工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
产品概述
V
DS
R
DS ( ON)
I
D
55
35
5
V
m
A
TYPE
BSO604NS2
P-DSO-8-6
订购代码
Q67060-S7309
记号
2N604L
最大额定值,在
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
连续漏电流
T
A
=25°C,
一个通道激活
T
A
=70°C,
一个通道激活
符号
I
D
价值
5
4
20
90
6
±20
2
-55... +150
55/150/56
单位
A
脉冲漏极电流,
一个通道激活
T
A
=25°C
I
PULS
E
AS
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
雪崩能量,单脉冲
I
D
=5 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
mJ
KV / μs的
V
W
°C
反向二极管的dv / dt
I
S
=5A,
V
DS
= 44V ,的di / dt = 200A / μs的,
T
JMAX
=150°C
门源电压
功耗,
一个通道激活
T
A
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
第1页
2000-10-06
初步数据
热特性
参数
特征
热阻,结 - 焊接点
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。足迹;吨
≤=10
s
@ 6厘米
2
散热面积
1)
;
BSO604NS2
分钟。
典型值。
-
-
-
马克斯。
50
100
62.5
K / W
单位
符号
R
thjs
R
thJA
-
-
t
≤10
s
-
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
符号
分钟。
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
-
-
-
55
1.2
典型值。
-
1.6
马克斯。
-
2
单位
V
栅极阈值电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
=30A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=55V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=55V,
V
GS
=0V,
T
j
=150°C
A
0.01
1
1
34
27
1
100
100
44
35
nA
m
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V,
I
D
=2.6A
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=2.6A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm (一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
2000-10-06
初步数据
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=27.5V,
V
GS
=4.5V,
I
D
=5A,
R
G
=75
V
DS
2
*
I
D *
R
DS ( ON)最大值
=0.4V,
I
D
=5A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
BSO604NS2
分钟。
6.7
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
13.4
735
174
118
9
16
52
8
马克斯。
-
920
220
160
14
24
78
12
ns
S
pF
单位
符号
条件
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流,
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=5A
V
R
=27.5V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=44V,
I
D
=5A
-
-
-
-
2
6
19
2.9
3
8
24
-
nC
V
DD
=44V,
I
D
=5A,
V
GS
= 0至10V
V
(高原)
V
DD
=44V,
I
D
=5A
V
I
S
I
SM
T
A
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
0.9
32
34
5
20
1.3
40
43
A
V
ns
nC
第3页
2000-10-06
初步数据
1功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
BSO604NS2
BSO604NS2
2漏极电流
I
D
=
f
(T
A
)
参数:
V
GS
10 V
BSO604NS2
2.2
5.5
thJC
thJA
W
1.8
1.6
R
A
4.5
4.0
P
合计
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
I
D
°C
160
1.4
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0 ,
T
A
= 25 °C
10
2
BSO604NS2
4瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
2
BSO604NS2
A
=
V
D
S(
)
on
/
I
D
S
K / W
t
P = 46.0μs
10
1
10
1
R
D
100 s
Z
thJC
1毫秒
10
0
I
D
10
0
10毫秒
10
-1
D = 0.50
0.20
10
-2
0.10
0.05
0.02
10
-3
10
-1
单脉冲
0.01
DC
10
-2 -1
10
10
-4 -7
10
10
0
10
1
V
10
2
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
第4页
t
p
2000-10-06
初步数据
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 80 s
BSO604NS2
BSO604NS2
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS ( ON)
=
f
(I
D
)
参数:
V
GS
BSO604NS2
12
P
合计
= 2W
gf
E D
V
GS [ V]
a
3.0
b
3.2
3.4
3.6
3.8
4.0
4.5
10.0
h
120
A
10
9
8
c
m
c
100
c
d
e
R
DS ( ON)
90
80
70
60
50
40
f
e
d
I
D
7
6
5
4
3
2
1
a
b
f
g
h
g
h
V
GS
[V] =
30
20
10
5.0
0
0
c
3.4
d
3.6
e
f
3.8 4.0
g
h
4.5 10.0
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
V
1
2
3
4
5
6
7
8
A
10
V
DS
I
D
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS ( ON)最大值
参数:
t
p
= 80 s
20
8典型。正向跨导
g
fs
= F(我
D
);
T
j
=25°C
参数:
g
fs
24
A
16
14
12
10
8
6
4
S
20
18
g
fs
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
V
V
GS
I
D
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
A
I
D
20
第5页
2000-10-06
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    -
    -
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