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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D088

BRY61

可编程单结

晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据07月21日

1999年04月27

飞利浦半导体

产品speci fi cation

可编程单结晶体管

描述

在平面PNPN触发装置

SOT23塑料包装。

应用

切换应用，如：

电机控制

振荡器

- 继电器更换

- 定时器

- 脉冲整形器等。

记号

手册， 2列

BRY61

钉扎

针

阳极

阴极

门

描述

手册， halfpage

阳极

门

TYPE

数

BRY61

记

记号

CODE

(1)

阴极

MGL167

顶视图

MGC421

= P ：香港制造。

= T：在马来西亚。

Fig.1简化外形SOT23和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

A（ AV ）

ARM

ASM

/ DT

合计

英镑

AMB

参数

栅阳极电压

平均阳极电流

重复峰值阳极电流

速度阳极电流上升

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

= 10

s; δ

= 0.01

≤

2.5 A

AMB

≤

°C

非重复峰值阳极电流吨

= 10

条件

分钟。

马克斯。

175

2.5

250

+150

150

+150

A / μs的

°C

单位

1999年04月27

飞利浦半导体

产品speci fi cation

可编程单结晶体管

热特性

符号

日J-一

参数

从结点到环境的热阻

条件

在自由空气

价值

500

BRY61

单位

K / W

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

OFFSET

GAO

GKS

参数

峰值电流点

谷点电流

失调电压

门阳极漏电流

栅极 - 阴极泄漏电流

阳极 - 阴极电压

峰值输出电压

上升时间

条件

= 10 V ;

= 10 kΩ的; （见图7）

= 10 V ;

= 100 kΩ的; （见图7）

= 10 V ;

= 10 kΩ的; （见图7）

= 10 V ;

= 100 kΩ的; （见图7）

典型曲线;我

= 0; （见图7）

= 0; V

= 70 V ; （见图5）

= 0; V

= 70 V ; （见图6）

= 100毫安

= 20V; C = 10 nF的;

（参见图8和9）

= 20V; C = 10 nF的; （参见图9）

分钟。

典型值。

马克斯。

0.2

0.06

100

1.4

单位

手册，全页宽

+40

BZY88-

C8V2

5 k

100

BY206

(2x)

750

40 K

1 nF的

D.U.T

10 k

OSC 。

MBK189

我

由R1的值来确定。

---- ;在R1 = 1 V.即最大电压降

示波器= 10 MΩ内阻。

图2测量电路的峰值和谷点电流。

1999年04月27

飞利浦半导体

产品speci fi cation

可编程单结晶体管

BRY61

手册， halfpage

RG =

R1 R2

DUT

VAK

DUT

VS =

R1 R2

MEA141

MBB699

Fig.4

图3 BRY61与“纲要”电阻R1和R2 。

等效试验电路，用于特征

测试。

手册， halfpage

DUT

我高

手册， halfpage

我GKS

DUT

VGA

VGK

MBB697

MBB696

Fig.5

等效测试电路的栅阳极

漏电流。

Fig.6

等效试验电路，用于栅极 - 阴极

漏电流。

1999年04月27

飞利浦半导体

产品speci fi cation

可编程单结晶体管

BRY61

手册， halfpage

VAA

1.5

DUT

16 k

I（ V）

我（p）的

VS V（ P）

VAK

MEA143

27 k

MBB698

图7偏置电压。

图8的试验电路，用于输出峰值电压。

手册， halfpage

MBB701

VOM

90 %

10 %

时间

图9峰值输出电压。

1999年04月27

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