内存插&播放
DDR2/DDR3
SPD存储器（内存模块）
BR34E02FVT-3,BR34E02NUX-3
°说明
BR34E02-3系列为256 × 8位电可擦除PROM （基于串行存在检测）
■特点
1 ） 256 × 8位结构的串行EEPROM
2 ）宽工作电压范围： 1.7V - 5.5V
3 ）两线串行接口
4 ）自定时擦除和写入周期
5 ）页写功能（ 16byte的）
6 ）写保护模式
可设置可逆写保护功能： 00H至7Fh
写保护1 （一次性光盘）
： 00H至7Fh
写保护2 （硬连线WP PIN）
： 00H - FFH
7 ）低功耗
写
（在1.7V ） ： 0.4毫安（典型值）。
读
（在1.7V ） ： 0.1毫安（典型值）。
待机（在1.7V ） ： 0.1μA （ TYP。）
8 ）数据安全
写保护功能（ WP引脚）
禁止把它们写在低V
CC
9 ）小型封装： TSSOP - B8 ， VSON008X2030
10）可靠性高精细图案的CMOS技术
11）可以改写高达百万倍
12 ）数据保存：40岁
13 ）降噪滤波的输入在SCL / SDA
在所有地址14 ）初步数据FFH
●BR34E02-3
系列
容量
2Kbit
位格式
256X8
TYPE
BR34E02-3
电源电压
1.7V½5.5V
TSSOP-B8
●
VSON008X2030
●
No.11002EAT05
“绝对
最大额定值（Ta = 25℃）
参数
电源电压
功耗
储存温度
工作温度
终端电压（ A0 ）
终端电压（诸如此类）
符号
V
CC
Pd
TSTG
TOPR
-
-
评级
-0.3½+6.5
330（ BR34E02FVT -3） * 1
300(BR34E02NUX-3)*2
-65½+125
-40½+85
-0.3½10.0
-0.3½V
CC
+1.0
单位
V
mW
℃
℃
V
V
*由3.3mW减少（ * 1 ） ， 3.0毫瓦（ * 2 ） / C超过25C
“推荐
工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
VIN
评级
1.7½5.5
0½V
CC
单位
V
V
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2011.11 - Rev.A的
BR34E02FVT-3,BR34E02NUX-3
内存
电池特性（ TA = 25 ℃ ，V
CC
=1.7½5.5V)
范围
参数
分钟。
典型值。
写入/擦除周期* 1
数据保留
* 1 ：未经100％测试
技术说明
马克斯。
－
－
单位
周期
岁月
1,000,000
40
－
－
*1
ⅵELECTRICAL
characteristics - DC(Unless otherwise specified Ta=-40½+85℃, V
CC
=1.7½5.5V)
范围
参数
符号
单位
分钟。
典型值。
马克斯。
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
"L"输出电压1
"L"输出电压2
输入漏电流1
输入漏电流2
输入漏电流3
输出漏电流
VIH
VIL
VOL1
VOL2
ILI1
ILI2
ILI3
国际劳工组织
ICC1
工作电流
ICC2
待机电流
A0高压电压
ISB
VHV
-
-
7
-
-
-
0.5
2.0
10
mA
A
V
0.7 V
CC
-0.3
-
-
-1
-1
-1
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Vcc+1.0
0.3 V
CC
0.4
0.2
1
15
20
1
2.0
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
测试条件
IOL = 2.1毫安， 2.5V VCC ≦ ≦ 5.5V （ SDA ）
IOL = 0.7毫安， ≦ 1.7V VCC \u003c 2.5V （ SDA ）
VIN=0V½VCC(A0,A1,A2,SCL)
VIN=0V½VCC(WP)
VIN=VHV(A0)
VOUT=0V½VCC
VCC = 5.5V ，的fSCL = 400kHz的， tWR的= 5ms的
字节写
页写
写保护
VCC = 5.5V ，的fSCL = 400kHz的
随机读取
当前的读
顺序读取
VCC = 5.5V ， SDA ， SCL = VCC
A0,A1,A2=GND,WP=GND
VHV-Vcc≧4.8V
注意：
这个IC没有设计成耐辐射。
ⅵELECTRICAL
characteristics - AC(Unless otherwise specified Ta=-40½+85℃, V
CC
=1.7½5.5V
参数
时钟频率
数据时钟周期高
数据时钟低电平时间
SDA和SCL上升时间* 1
SDA和SCL下降时间* 1
START条件保持时间
启动条件建立时间
输入数据保持时间
输入数据建立时间
输出数据的延迟时间
输出数据保持时间
停止条件的建立时间
总线空闲时间
写周期时间
噪声尖峰宽度
（ SDA和SCL ）
WP保持时间
WP建立时间
WP高发期
* 1：不100 ％
经过测试
符号
的fSCL
大腿
为tLOW
tR
tF
THD： STA
TSU： STA
THD： DAT
TSU： DAT
tPD的
TDH
TSU： STO
TBUF
tWR的
tI
THD： WP
TSU： WP
大腿围： WP
范围
分钟。
－
0.6
1.2
－
－
0.6
0.6
0
100
0.1
0.1
0.6
1.2
－
－
0
0.1
1.0
典型值。
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
马克斯。
400
－
－
0.3
0.3
－
－
－
－
0.9
－
－
－
5
0.1
－
－
－
单位
千赫
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
s
s
s
ms
s
s
s
s
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2011.11 - Rev.A的
BR34E02FVT-3,BR34E02NUX-3
○同步
数据时序
技术说明
t
R
SCL
t
HD
： STA
SDA
（中）
t
BUF
SDA
（下）
t
F
t
高
SCL
t
SU
： DAT吨
低
t
HD
： DAT
SDA
DATA(1)
D1
D0
确认
数据（N ）
确认
t
PD
t
DH
WP
t
WR
停止位
t
SU
● WP
THD： WP
Fig.1- （一）同步数据时序
○
SDA数据在上升沿锁存到芯片
○
的SCL时钟。
○
输出数据的切换，在SCL时钟的下降沿。
Fig.1- （四） WP定时的写操作
SCL
SCL
t
SU
： STA
SDA
开始位
停止位
WP
DATA(1)
数据（N ）
D0
确认
大腿围： WP
确认
tWR的
t
HD
： STA
t
SU
： STO
SDA
D1
Fig.1- （二）启动/停止位时序
Fig.1- （五） WP定时写入取消操作
SCL
SDA
D0
确认
写入数据（ N）
停止
条件
t
WR
开始
条件
For
WRITE操作， WP必须"Low"从上升沿
时钟（其取入第一个字节的D0）直到tWR的末尾。
（参见Fig.1- （ d））的在此期间，写操作可以是
通过设置WP "High"取消。 （见Fig.1- （ e）条）
当
WP是tWR的过程中设置为"High" ，写操作
立刻停止，使数据不可靠。然后，它必须
被重新写入。
Fig.1- （三）写周期时序
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BR34E02FVT-3,BR34E02NUX-3
块
图
技术说明
A0 1
8bit
PROTECT_MEMORY_ARRAY
2Kbit_MEMORY_ARRAY
8 V
CC
8bit
A1 2
地址
解码器
8bit
SLAVE ， WORD
地址寄存器
数据
注册
7 WP
开始
停止
A2 3
contorol逻辑
确认
6 SCL
GND 4
高压GEN 。
V
CC
电平检测
5 SDA
图2框图
●引脚
图解和说明
引脚名称
A0 1
A1 2
A2 3
GND 4
图3引脚配置
BR34E02FVT-3
BR34E02NUX-3
输入/输出
－
－
IN
IN
输入/输出
IN
电源
地面0V
功能
8 V
CC
7 WP
6 SCL
5 SDA
V
CC
GND
A0,A1,A2
SCL
SDA
WP
从站地址设置。
串行时钟输入
从和字地址，
串行数据输入端，串行数据输出
写保护输入
*2
*1
* 1开漏输出，需要一个上拉电阻。
* 2 WP引脚有一个下拉电阻。请悬空或
连接到GND在不使用时。
ⅵELECTRICAL
特性曲线
下面的特征数据（典型值） 。值。
6
5
4
VIH1,2[V]
VIL1,2[V]
6
5
4
1
0.8
VOL1[V]
规格
3
2
1
0
0.6
3
2
Ta=85℃
Ta=-40℃
Ta=25℃
规格
0.4
Ta=85℃
0.2
Ta=85℃
Ta=-40℃
Ta=25℃
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
Ta=25℃
1
规格
0
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
0
0
1
2
IOL1[mA]
3
Ta=-40℃
4
2
34 ： I C
图4 "H"输入电压VIH
(A0,A1,A2,SCL,SDA,WP)
1
图5 "L"输入电压VIL
(A0,A1,A2,SCL,SDA,WP)
1.2
1
图6 "L"输出电压VOL1 - IOL1
(V
CC
=2.5V)
16
规格
规格
12
0.8
0.8
ILI1[
μ
A]
VOL2[V]
0.6
0.6
0.4
4
0.2
ILI2[μA]
8
0.4
规格
Ta=85℃
Ta=25℃
0.2
Ta=-40℃
0
0
1
2
IOL2[mA]
3
4
0
0
1
2
的Vcc [V]的
Ta=85℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
0
3
4
0
1
Ta=85℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
2
的Vcc [V]的
3
4
图7 "L"输出电压VOL2 ， IOL2
(V
CC
=1.7V)
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图8输入漏电流ILI1
(A0,A1,A2,SCL,SDA)
图9输入漏电流ILI2
（ WP ）
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BR34E02FVT-3,BR34E02NUX-3
技术说明
3.5
3
2.5
ICC1,2[mA]
2
1.5
1
0.5
0
0
1
2
的Vcc [V]的
Ta=25℃
Ta=85℃
Ta=-40℃
SPEC1
0.6
规格
2.5
规格
2
0.5
½SCL=400kHz(V
CC
≧2.5V)
fSCL=100kHz(1.7V≦Vcc＜２．５V)
DATA = AA
SPEC2
0.4
ICC3[mA]
0.3
Ta=85℃
ISB [ μA ]
½ＳＣＬ=100kHz
数据= AAH
1.5
0.2
0.1
Ta=25℃
1
0.5
Ta=85℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
Ta=-40℃
0
0
3
4
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
图10写工作电流ICC1,2
(fSCL=100kHz,400kHz)
图11读取工作电流ICC 3
(fSCL=400kHz)
图12待机电流ISB
10000
Ta=85℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
5
5
SPEC2
4
4
SPEC2
1000
SPEC1
的fSCL [千赫]
大腿[微秒]
100
SPEC2
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
2
为tLOW微秒
3
3
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
2
10
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
1
0
1
2
VC C [ V]
3
4
1
Ta=25℃
Ta=-40℃
Ta=85℃
SPEC1
SPEC1
Ta=85℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
1
0
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
0
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
图13时钟频率的fSCL
图14数据时钟高电平时间大腿
图15数据时钟低电平时间TLOW
5
5
SPEC2
4
SPEC2
50
0
THD：DAT （高） [微秒]
-50
-100
-150
-200
SPEC1,2
4
THD： STA微秒
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
TSU： STA [微秒]
3
3
Ta=85℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
2
2
1
SPEC1
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC1
1
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
0
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
0
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
图16开始条件保持时间
THD： STA
启动条件建立时间
图。
图18数据保持时间
THD： DAT （高）
50
SPEC1,2
300
300
SPEC2
0
THD： DAT （ LOW ） [微秒]
200
TSU： DAT （高） [ NS ]
SPEC1
Ta=85℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
200
TSU： DAT （ LOW ） [ NS ]
100
Ta=85℃
SPEC1 ：快速模式
-50
SPEC2 ：标准模式
100
-100
Ta=85℃
0
0
Ta=25℃
-150
Ta=25℃
Ta=-40℃
-100
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
-100
-200
Ta=-40℃
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
-200
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
-200
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
图19数据保持时间
THD： DAT （ LOW ）
图20输入数据建立时间
TSU： DAT （ HIGH ）
图21输入数据建立时间
TSU： DAT （ LOW ）
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