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BLF6G20-180P
UHF功率LDMOS晶体管
牧师01 - 2006年4月19日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
180对基站应用从频率W LDMOS功率晶体管
1800 MHz至2000 MHz的。
表1:
典型性能
射频性能在T
= 25
°
下在一个共同的来源AB类生产测试电路。
操作模式
2载波W-CDMA中
[1]
f
(兆赫)
1805年到1880年
V
DS
(V)
32
P
L( AV)在
(W)
50
G
p
( dB)的
17.5
η
D
(%)
27.5
ACPR
( DBC)
35
[1]
测试信号: 3GPP ;测试模型1 ; 64 DPCH ; PAR = 7.5分贝的每个载波的CCDF 0.01 %的概率;支架
间隔为5MHz
小心
该器件对静电放电( ESD )很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2产品特点
I
典型的2载波W-CDMA的性能在1805 MHz和1880 MHz的频率一
32 V和I电源电压
Dq
:1600毫安
N
平均输出功率= 50瓦
N
功率增益= 17.5分贝(典型值)
N
EF网络效率= 27.5 %
N
ACPR -
35
dBc的
I
简单的电源控制
I
集成ESD保护
I
出色的耐用性
I
高英法fi效率
I
优良的热稳定性
I
专为宽带运营( 1800 MHz至2000 MHz的)
I
内部匹配的易用性
1.3应用
I
RF功率放大器器用于W- CDMA基站和多载波应用
1800兆赫至2000兆赫的频率范围。
飞利浦半导体
BLF6G20-180P
UHF功率LDMOS晶体管
2.管脚信息
表2:
1
2
3
4
5
[1]
钉扎
描述
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
简化的轮廓
1
2
5
3
4
符号
<tbd>
连接法兰FL
3.订购信息
表3:
订购信息
名字
BLF6G20-180P
-
描述
FL anged平衡LDMOST陶瓷封装; 2
安装孔; 4引线
VERSION
SOT539A
类型编号
4.极限值
表4:
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
储存温度
结温
条件
-
0.5
-
65
-
最大
65
+13
<tbd>
+150
225
单位
V
V
A
°C
°C
BLF6G20-180P_1
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目标数据表
牧师01 - 2006年4月19日
2第8
飞利浦半导体
BLF6G20-180P
UHF功率LDMOS晶体管
5.热特性
表5:
符号
R
号(j -情况下)
热特性
参数
热阻结
到案
条件
T
= 80
°C;
P
L( AV)在
= 50 W
典型值
0.45
单位
K / W
6.特性
表6:
特征
T
j
= 25
°
每节;除非另有规定编
符号参数
V
( BR ) DSS
漏源击穿
电压
V
GS ( TH)
V
GSQ
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS ( ON)
C
rs
门源阈值电压
栅源电压静态
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
漏极 - 源极导通状态
阻力
反馈电容
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
- 0.5毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 144毫安
V
DS
= 28 V ;我
D
= 950毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V
V
GS
= V
GS ( TH)
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 8.5 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 7.2 A
V
GS
= V
GS ( TH)
+ 3.75 V;
I
D
= 5 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V;
F = 1 MHz的
65
典型值
-
最大
-
单位
V
<tbd> 1.6
<tbd> 2
-
-
-
-
-
-
-
26
-
13
0.1
<tbd> V
<tbd> V
5
-
450
-
A
A
nA
S
<tbd>
pF
<tbd> -
7.应用信息
表7:
应用信息
操作模式: 2载波W-CDMA方式; PAR 7.5分贝在CCDF上0.01 %的概率; 3GPP测试
模式1 ; 1至64 PDPCH ; F
1
= 1802.5兆赫; F
2
= 1807.5兆赫; F
3
= 1872.5兆赫; F
4
= 1877.5兆赫;
射频性能在V
DS
= 32 V ;我
Dq
= 1600毫安;牛逼
= 25
°
℃;除非另有规定ED ;在一个
AB类生产测试电路
符号
P
L( AV)在
G
p
η
D
ACPR
参数
平均输出功率
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
P
L( AV)在
= 50 W
P
L( AV)在
= 50 W
P
L( AV)在
= 50 W
条件
-
典型值
50
最大
-
单位
W
dB
%
dBc的
<tbd> 17.5 -
<tbd> 27.5 -
-
35
<tbd>
7.1耐用的AB类操作
该BLF6G20-180P能够经受对应于负载失配的
驻波比= 10 : 1通过下述条件下的所有阶段: V
DS
= 28 V;
I
Dq
= 1600毫安; P
L
= 180 W( CW) ; F = 1880兆赫。
BLF6G20-180P_1
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3 8
飞利浦半导体
BLF6G20-180P
UHF功率LDMOS晶体管
8封装外形
法兰式平衡LDMOST陶瓷封装; 2安装孔; 4引线
SOT539A
D
A
F
D1
U1
q
H1
C
B
w2
M
C
M
c
1
2
U2
p
E1
w1
M
A
M
B
M
E
5
L
A
3
b
e
4
w3
M
Q
0
5
规模
10 mm
尺寸(毫米尺寸从原始英寸的尺寸得到)
单位
mm
英寸
A
b
c
D
D1
e
E
E1
9.53
9.27
F
H
H1
L
p
3.30
3.05
Q
2.31
2.01
q
35.56
U1
U2
w1
w2
0.51
w3
0.25
9.50
5.33 11.81 0.15 31.55 31.52
13.72
9.30
3.96 11.56 0.08 30.94 30.96
1.75 17.12 25.53 3.73
1.50 16.10 25.27 2.72
41.28 10.29
0.25
41.02 10.03
0.374 0.375 0.069 0.674 1.005 0.147 0.130 0.091
0.210 0.465 0.006 1.242 1.241
1.625 0.405
1.400
0.010 0.020 0.010
0.540
0.366 0.365 0.059 0.634 0.995 0.107 0.120 0.079
0.156 0.455 0.003 1.218 1.219
1.615 0.395
概要
VERSION
SOT539A
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
99-12-28
00-03-03
图1.封装外形SOT539A
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飞利浦半导体
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9.缩写
表8:
缩写
3GPP
CCDF
CW
DPCH
LDMOS
PAR
PDPCH
RF
VSWR
W-CDMA的
缩略语
描述
第三代合作伙伴计划
互补累积分布函数
连续波
专用物理信道
横向扩散金属氧化物半导体
峰均功率比
的专用物理信道的发送功率
无线电频率
电压驻波比
宽带码分多址
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