技术说明
HIGH GRADE规格高可靠性系列
SPI总线串行EEPROM
☆
电源电压2.5V 5.5V
工作温度-40 ° C + 125°C的类型
☆
：开发中
°说明
BR25H
□□□
-W系列的SPI总线接口方法的串行EEPROM 。
BR25H010 -W BR25H020 -W BR25H040 -W BR25H080 -W BR25H160 -W BR25H320瓦
☆
■特点
●
高速时钟操作高达5MHz （最大）
●
等待功能通过HOLDB终端。
●
部分或整个存储阵列可设置为按程序只读存储器区。
●
2.5½5.5V single power source action most suitable for battery use.
●
页写模式，在出厂初始值写有用的。
●
由金片，金线高度可靠的连接。
●
SPI总线接口（ CPOL ， CPHA ）=（ 0，0 ），（1 ，1）
●
自动擦除和自动结束函数在数据重写。
“页
写
●
低电流消耗
数
网页
在写入动作（ 5V ）
： 1.5毫安（典型值）。
在读操作（ 5V ）
： 1.0毫安（典型值）。
产品
在待机动作（ 5V ） （典型值）， 0.1μA
数
●
在读操作的地址自动增量功能
●
写错误预防功能
写禁止在电源上。
写禁止通过命令代码（ WRDI ） 。
写禁止通过WPB引脚。
通过写状态寄存器（ BP1 ， BP0 ）禁止块设置
写错误保护功能，在低电压。
●
SOP8 ， SOP- J8封装
●
在装运存储器阵列的数据： FFH ，状态寄存器WPEN ， BP1 ， BP0 ： 0
●
数据保存40年。
●
数据重写达1,000,000times 。
16字节
BR25H010-W
BR25H020-W
BR25H040-W
32字节
BR25H080-W
BR25H160-W
BR25H320-W
●BR25H
系列
容量
1Kbit
2Kbit
4Kbit
8Kbit
16Kbit
32Kbit
位格式
128×8
256×8
512×8
1K×8
2K×8
4Kx8
TYPE
BR25H010-W
BR25H020-W
BR25H040-W
BR25H080-W
BR25H160-W
BR25H320-W
电源
电压
2.5~5.5V
2.5~5.5V
2.5~5.5V
2.5~5.5V
2.5~5.5V
2.5~5.5V
SOP8
●
●
●
●
●
●
SOP-J8
●
●
●
●
●
●
2007年版A.八月
“绝对
最大额定值（Ta = 25 ° C）
参数
外加电压
可允许的
耗散
存储
温度范围
操作
温度范围
端电压
“推荐
操作条件
单位
参数
符号
符号
范围
VCC
Pd
TSTG
TOPR
–
-0.3~+6.5
450(SOP8)
450(SOP-J8)
-65~150
-40~125
-0.3~Vcc+0.3
V
*1
*2
mW
°C
°C
V
电源电压
输入电压
VCC
VIN
范围
2.5
~
5.5
单位
0~Vcc
V
- 输入
/输出容量（ TA = 25 ℃，频率= 5MHz时）
参数
输入容量
输出容量
ж
1
ж
1
符号
条件
V
IN
= GND
V
OUT
= GND
分钟。
马克斯。
单位
当
使用在TA = 25 ℃或更高， 3.6MW （ * 1 ， * 2）将每1 ℃降低
C
IN
C
OUT
–
–
8
8
pF
内存
cell characteristics (Vcc=2.5V½5.5V)
参数
数据的数
重写倍
ж1
数据保持十年
ж1
* 1 ：未经100％测试
民
1,000,000
500,000
300,000
40
20
范围
典型值。
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
单位
时
时
时
岁月
岁月
ж
条件
Ta
≤
85℃
Ta
≤
105℃
Ta
≤
125℃
Ta
≤
25°C
Ta
≤
85°C
1 ：未经100％测试
ⅵELECTRICAL
特性（除非另有说明， TA = -40 + 125°C ， VCC = 2.5 5.5V ）
参数
“H”输入电压
“L”，输出电压
“L”，输出电压
“H”时的输出电压
输入漏电流
输出电流引线
符号
VIH
VIL
VOL
VOH
ILI
国际劳工组织
I
CC
1
消耗电流在写
行动
I
CC
2
–
–
3.0
mA
分钟。
0.7x
VCC
-0.3
0
VCC
-0.5
-10
-10
–
范围
典型值。马克斯。
VCC
–
+0.3
0.3x
–
VCC
–
0.4
–
–
–
–
VCC
10
10
2.0
单位
V
V
V
V
μA
μA
mA
2.5≤Vcc≤5.5V
2.5≤Vcc≤5.5V
IOL=2.1mA
IOH=-0.4mA
V
IN
=0~Vcc
V
OUT
= 0 VCC ， CSB = VCC
VCC = 2.5V时，fsck = 5MHz时， TE / W = 5ms的
VIH/VIL=0.9Vcc/0.1Vcc,
字节写入，页写入
写状态regisuter
VCC = 5.5V时，fsck = 5MHz时， TE / W = 5ms的
VIH/VIL=0.9Vcc/0.1Vcc
字节写入，页写入
写状态寄存器
Vcc=2.5V,fSCK=5MHz
VIH/VIL=0.9Vcc/0.1Vcc,
读取，读取状态寄存器
Vcc=5.5V,fSCK=5MHz
VIH/VIL=0.9Vcc/0.1Vcc
读取，读取状态寄存器
Vcc=5.5V
CSB = HOLDB = WPB = VCC ， SCK = SI = VCC或= GND ， SO = OPEN
○辐射
性的设计不言
条件
I
CC
3
消耗电流在读
行动
I
CC
4
待机电流
ISB
–
–
1.5
mA
–
–
–
–
2.0
10
mA
μA
块
图
CSB
SCK
电压
指令译码
控制时钟
GENERATION
写
抑制
高压
发电机
发现
*1
SI
HOLDB
指令
注册
地址
注册
7½12bit *1
状态寄存器
地址
解码器
读/写
AMP
7½12bit *1
1½32K
EEPROM
7位： BR25H010 -W
8位： BR25H020 -W
9位： BR25H040 -W
10位： BR25H080 -W
11位： BR25H160 -W
12位： BR25H320 -W
WPB
SO
数据
注册
8bit
8bit
图1框图
2/16
针
分配和说明
VCC
HOLDB SCK
SI
BR25H010-W
BR25H020-W
BR25H040-W
BR25H080-W
BR25H160-W
BR25H320-W
终端名称
VCC
GND
CSB
SCK
SI
SO
HOLDB
输入/输出
–
–
输入
输入
输入
产量
输入
功能
动力源相连
所有的输入/输出的参考电压， 0V
片选输入
串行时钟输入
起始位， OPE码，地址和串行数据输入
串行数据输出
HOLD输入
指挥通信，可以暂停
（ HOLD状态）
CSB
SO
WPB
GND
WPB
输入
图2引脚分配图
写保护输入
禁止写命令
*1
禁止写状态寄存器命令。
* 1： BR25H010 / 020 / 040 -W
“操作
时序特性
（ TA = -40 + 125°C ，除非另有规定，负载电容C
L1
=100pF)
2.5≤Vcc≤5.5V
参数
符号
单位
分钟。典型值。最大
SCK频率
fsck的
–
–
5
兆赫
SCK高时间
85
–
–
ns
tSCKWH
SCK低电平时间
85
–
–
ns
tSCKWL
CSB高时间
TCS
85
–
–
ns
CSB建立时间
TCSS
90
–
–
ns
CSB保持时间
TCSH
85
–
–
ns
SCK建立时间
90
–
–
ns
tSCKS
SCK保持时间
90
–
–
ns
tSCKH
SI建立时间
TDI发动机
20
–
–
ns
SI保持时间
tDIH
30
–
–
ns
tPD1
–
–
70
ns
数据输出延迟时间1
数据输出延迟时间1
●
同步数据的输入/输出
定时
TCS
TCSS
CSB
tSCKS
tSCKWL
tSCKWH
TRC
TFC
SCK
tDIS的tDIH
SI
SO
高-Z
图3输入时序
SI是考虑到IC内部的同步与数据上升SCK边缘。
从最显著位MSB输入地址和数据。
TCS
CSB
SCK
SI
tPD的
TCSH tSCKH
(C
L2
=30pF)
输出保持时间
输出禁止时间
HOLDB设置
建立时间
HOLDB设置
保持时间
HOLDB发布
建立时间
HOLDB发布
保持时间
从HOLDB时间
到输出高阻
从HOLDB时间
到输出变化
SCK上升时间
SCK下降时间
产量
上升时间
产量
下降时间
发表时间
tPD2
TOH
特兹
tHFS
tHFH
THRS
tHRH
tHOZ
THPD
–
0
–
0
40
0
70
–
–
–
–
–
–
–
Ж
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
55
–
100
–
–
–
–
100
70
1
1
50
50
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
ns
ns
ms
TOH
卓， TFO
特兹
SO
高-Z
图4输入/输出时序
SO是同步输出数据落在SCK的边缘。数据输出
从最显著位MSB 。
CSB
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;
tHFS
tHFH
THRS tHRH
SCK
TDI发动机
SI
n+1
tHOZ
高-Z
THPD
n
n-1
SO
Dn+1
Dn
Dn
Dn-1
HOLDB
Ж
Ж
Ж
1
1
1
TRC
TFC
卓
TFO
TE / W
图5 HOLD时机
Ж
1
1不是100 ％测试
“ AC
测量条件
参数
带载能力1
负载容量2
输入上升时间
输入下降时间
输入电压
输入/输出判决电压
符号
C
L1
C
L2
–
–
–
–
范围
分钟。典型值。最大
–
–
100
–
–
30
–
–
50
–
–
50
0.2Vcc/0.8Vcc
0.3Vcc/0.7Vcc
3/16
单位
pF
pF
ns
ns
V
V
特性
数据（以下特征数据是典型值值。 ）
6
5
4
VIH [V]的
3
2
1
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
6
1
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
VIL [ V]
5
4
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
VOL [ V]
0.8
0.6
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
规格
3
2
1
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
规格
0.4
0.2
规格
0
0
1
2
3
IOL [马]
4
5
6
Fig.6
= "H"
输入电压VIH （ CSB ， SCK ， SI ， HOLDB ， WPB ）
2.6
2.5
2.4
2.3
VOH [V]的
2.2
2.1
2
1.9
1.8
0
0.4
IOH [马]
0.8
1.2
ILI [ μA ]
8
6
4
2
0
12
Fig.7
= "L"
输入电压VIL （ CSB ， SCK ， SI ， HOLDB ， WPB ）
12
图8 "L"输出电压VOL - IOL （VCC = 2.5V ）
规格
10
10
规格
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
劳工组织[ μA ]
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
8
6
4
2
0
规格
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
0
1
0
1
2
3
VOUT [V]的
4
5
6
图9 "H"输出电压VOH - IOH （VCC = 2.5V ）
4
图10输入漏电流ILI （ CSB ， SCK ， SI ， HOLDB ， WPB ）
2.5
12
图11输出漏电流国际劳工组织（ SO ） （ VCC = 5.5V ）
ICC3,4(READ)[mA]
3
ICC1,2[mA]]
fSCK=5MHz
DATA=00h
规格
规格
2
1.5
1
0.5
fSCK=5MHz
数据= AAH
规格
规格
10
8
ISB [ μA ]
6
4
2
0
规格
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
2
1
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
图12电流消耗在写入操作
ICC1,2
100
图13消耗电流在读操作
ICC3,4
100
80
tSCKWH [ NS ]
100
图14消耗电流在待机操作ISB
规格
tSCKWL [ NS ]
80
规格
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
10
fsck的[兆赫]
60
40
20
0
规格
1
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
60
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
40
20
0.1
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
图15 SCK频率的fsck
100
100
图16 SCK高时间tSCKWH
100
图17 SCK低电平时间tSCKWL
80
规格
TCSS [ NS ]
80
规格
TCSH [ NS ]
80
TCS [ NS ]
60
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
60
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
规格
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
60
40
40
40
20
20
20
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
图18 CSB高时间TCS
图19 CSB建立时间TCSS
图20 CSB保持时间TCSH
4/16
30
50
100
20
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
40
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
tPD1 [ NS ]
80
规格
规格
tDIH [ NS ]
30
tDIS的[ NS ]
10
规格
60
0
20
40
-10
10
20
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
-20
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
0
1
2
图21设置SI tDIS的时间
100
120
图22 SI保持时间tDIH
3
的Vcc [V]的
4
5
6
图23数据输出延迟时间tPD1 （ CL = 100pF的）
80
80
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
100
规格
60
规格
特兹[ NS ]
80
60
40
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
tHFH [ NS ]
tPD2 [ NS ]
60
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
40
规格
20
40
20
20
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
0
-20
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
图24数据输出延迟时间tPD2 （ CL- 30pF的）
80
120
100
图25输出禁止时间特兹
80
图26 HOLDB设定保持时间tHFH
60
tHOZ [ NS ]
60
40
THPD [ NS ]
tHRH [ NS ]
40
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
60
规格
80
规格
40
规格
20
20
0
20
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
0
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
-20
-20
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
图27 HOLDB释放保持时间tHRH
100
图28时间从HOLDB输出高阻tHOZ
100
图29时间从HOLDB输出变化THPD
8
80
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
TFO [ NS ]
80
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
TE / W [毫秒]
6
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
规格
TRO [ NS ]
60
60
4
40
规格
40
规格
20
20
2
Ta=125℃
Ta=-40℃
Ta=25℃
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
图30输出上升时间TRO
图31输出下降时间TFO
图32写周期时间Te / W
5/16
QQ：2881677436 复制
