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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第347页 > BFR181T
BFR181T
NPN硅晶体管RF
初步数据
对于低噪声,高增益宽带放大器在
集电极电流为0.5 mA至12毫安
f
T
= 8 GHz的
F
= 1.45分贝在900MHz
3
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
2)
R
thjs
1
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S
2For计算的
R
请参考应用笔记热阻
thJA



2
1
VPS05996
防静电:静电放电
敏感的设备,观察处理防范!
TYPE
BFR181T
最大额定值
参数
记号
RFS
1=B
引脚配置
2=E
3=C
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
SC75
价值
12
20
20
2
20
2
175
150
mW
°C
mA
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
T
S
79°C
1)
-65 ... 150
-65 ... 150

405
K / W
1
Aug-09-2001
BFR181T
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安,
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 8 V
h
FE
50
100
200
-
I
EBO
-
-
1
A
I
CBO
-
-
100
nA
I
CES
-
-
100
A
V
( BR ) CEO
12
-
-
V
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
2
Aug-09-2001
BFR181T
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
符号
参数
分钟。
AC特性
(通过随机抽样核实)
跃迁频率
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益,最大稳定
1)
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 900兆赫
功率增益,最大可用
2)
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
1
G
ms
2
G
ma
单位
马克斯。
-
0.4
-
-
dB
GHz的
pF
典型值。
8
0.26
0.17
0.3
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
6
-
-
-
-
-
G
ms
-
1.45
1.8
19.5
-
-
-
G
ma
-
13.5
-
|S
21e
|
2
,
-
-
15.5
10.5
-
-
= |
S
21
/
S
12
|
= |
S
21
/
S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)

I
C
= 5毫安,
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
3
Aug-09-2001
BFR181T
SPICE参数(的Gummel -潘型号,伯克利- SPICE 2G.6语法) :
晶体管芯片数据
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
0.0010519为fA
22.403
1.7631
5.1127
1.6528
6.6315
1.8168
17.028
1.0549
1.1633
2.7449
0
3
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
96.461
0.12146
16.504
0.24951
9.9037
2.1372
0.73155
0.33814
0
0.30013
0
0
0.99768
-
A
-
A
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
0.90617
12.603
0.87757
0.01195
0.69278
2.2171
0.43619
0.12571
319.69
0.082903
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
mA
-
V
-
V
fF
-
V
eV
K
-
fF
-
-
所有的参数都可以使用了,没有scalling是必要的。
提取的代表英飞凌科技股份公司通过:
研究所献给美孚- UND Satellitentechnik ( IMST )
包装等效电路:
L
1
=
C
4
C
1
L
2
B
L
3
C
0.762
0.706
0.382
62
84
180
7
40
48
L
2
=
L
3
=
C
1
=
C’
B’
晶体管
芯片
E’
C
2
=
C
3
=
C
4
=
C
5
=
C
6
=
C
6
C
2
L
1
C
3
C
5
fF
fF
E
EHA07524
有效高达6GHz
有关示例,并准备使用参数,请联系您当地的英飞凌科技分销商或销售
办公室获得英飞凌科技的CD -ROM或参阅网址: http://www.infineon.com/silicondiscretes
4
Aug-09-2001

nH
nH
nH
fF
fF
fF



BFR181T
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
200
mW
160
140
P
合计
120
100
80
60
40
20
0
0
120
°C
20
40
60
80
100
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
2
P
totmax
/ P
totDC
R
thjs
10
2
10
1
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
5
Aug-09-2001
BFR181T/BFR181TW
威世德律风根
硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
对于低噪声和高增益宽带放大器在
集电极电流为0.5 mA至12毫安。
特点
D
低噪声系数
D
高功率增益
1
1
13 581
94 9280
13 652
13 570
2
3
2
3
BFR181T标记: RF
塑料外壳( SOT 23 )
1 =收藏家, 2 =基地3 =发射器
BFR181TW标记: WRF
塑料外壳( SOT 323 )
1 =收藏家, 2 =基地3 =发射器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
价值
15
10
2
20
2
160
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
T
AMB
78
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境( 25×20× 1.5) mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
文档编号85024
第2版, 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BFR181T/BFR181TW
威世德律风根
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 15 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
EB
= 1 V,I
C
= 0
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
I
C
= 15毫安,我
B
= 1.5毫安
V
CE
= 6 V,I
C
= 5毫安
V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
符号最小值
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
10
V
CESAT
h
FE
50
h
FE
典型值
最大单位
100
m
A
100 nA的
1
m
A
V
0.4
V
0.1
100
100
AC电气特性
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
跃迁频率
q
y
测试条件
V
CE
= 3 V,I
C
= 6毫安, F = 500 MHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 20 mA时, F = 500 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
集电极 - 发射极电容V
CE
= 10 V , F = 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V , F = 1兆赫
噪声系数
V
CE
= 5 V,I
C
= 3毫安,Z
S
= Z
SOPT
,
F = 900兆赫
V
CE
= 5 V,I
C
= 3毫安,Z
S
= Z
SOPT
,
F = 1.75 GHz的
功率增益
V
CE
= 8 V,I
C
= 8毫安,Z
S
= 50
W
,
Z
L
= Z
LOPT
, F = 900兆赫
V
CE
= 8 V,I
C
= 8毫安,Z
S
= 50
W
,
Z
L
= Z
LOPT
, F = 1.75 GHz的
传感器增益
V
CE
= 8 V,I
C
= 8毫安, F = 900兆赫,
Z
0
= 50
W
符号
f
T
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
F
G
pe
G
pe
S
21e
2
典型值
6.8
8.0
0.3
0.2
0.4
1.5
2.2
14.8
12
14
最大
单位
GHz的
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
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FaxBack + 1-408-970-5600
2 (4)
文档编号85024
第2版, 20 -JAN- 99
BFR181T/BFR181TW
威世德律风根
BFR181T的mm尺寸
95 11346
BFR181TW的mm尺寸
96 12236
文档编号85024
第2版, 20 -JAN- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (4)
BFR181T/BFR181TW
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统,以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BFR181T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BFR181T
VISHAY/威世
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8640
SOT23
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BFR181T
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BFR181T
INFINEON/英飞凌
2024
20918
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原装现货上海库存,欢迎咨询
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电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
BFR181T
INFINEON
20+
150000
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地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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