bq4013/Y
功能说明
当功率是有效的，则bq4013 / Y作为标操作
准CMOS SRAM 。在断电和上电
周期中， bq4013 / Y作为非易失性存储器的作用，自动
matically保护和维护内存CON-
帐篷。
掉电/上电控制电路不断MONI-
器的V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4013显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5％容差的供应系统。该bq4013Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用
有10 ％的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，对SRAM盟
tomatically写保护的数据。所有输出成为
高阻抗，并且所有的输入都被视为“不
无所谓了。 “如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测，存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
，写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ，控制
电路切换到内部锂电池备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压，电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护
持续一段时间t
CER
（ 120ms的最大值） ，以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4013内部纽扣电池/ Y有EX-
tremely长的保质期，并提供了数据保存的
超过10年，在没有系统电源。
由于运到的Unitrode ，积分锂电池
对MA-型模块是从电隔离
内存。 （自放电在这种条件下是近似
三方共同每年0.5％ ）之后的第一个应用程序
V
CC
，这种隔离被打破，而备用锂电池
提供后续的断电数据保持。
框图
OE
WE
128K ×8
SRAM
块
A
0
–A
16
DQ
0
-DQ
7
CE
CON
动力
CE
电源故障
V
CC
控制
锂
CELL
BD-42
2
bq4013/Y
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
注意：
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
-40至+85
-40到+70
-40至+85
-10至+70
-40至+85
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
广告
工业“N”
广告
工业“N”
广告
工业“N”
10秒
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
3
bq4013/Y
建议的直流工作条件
（ TA = TOPR ）
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意：
参数
电源电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
最低
4.5
4.75
0
-0.3
2.2
典型
5.0
5.0
0
-
-
最大
5.5
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
bq4013Y
bq4013
笔记
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
DC电气特性
（ TA = TOPR ， VCCmin
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
典型
-
-
-
-
4
2.5
≤
VCC
≤
VCCmax ）
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
≥
V
CC
- 0.2V,
0V
≤
V
IN
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
- 0.2V
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
bq4013
bq4013Y
最大
±
1
±
1
-
0.4
7
4
I
CC
工作电源电流
-
4.55
75
4.62
4.37
3
105
4.75
4.50
-
mA
V
V
V
V
PFD
V
SO
注意：
掉电检测电压
4.30
电源开关过电压
-
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V.
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）
符号
C
I / O
C
IN
注意：
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
10
10
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
4
bq4013/Y/LY
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128 k
×
8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ）
特点
数据保存至少10年不
动力
在自动写保护
上电/掉电周期
传统的SRAM运行，包括
没有写次数限制
电池的电源之前，内部隔离
应用
5 V或3.3 V工作
工业标准的32引脚DIP引脚
概述
该CMOS bq4013 / Y / LY是一种非易失性
1,048,576位静态RAM组织为131,072
字由8位。积分控制电路和
锂能源提供了可靠的非易失性
再加上标准的无限写入周期
SRAM 。
控制电路持续监控单
供应超差的情况。当V
CC
属于出公差时， SRAM是无条件
写保护，以防止意外的写入
操作。
此时的积分能量源被接通
维持内存中，直到V后
CC
返回有效。
该bq4013 / Y / LY采用极低的待机
当前的CMOS静态存储器，加上小锂
钮扣电池提供非易失性不长
写周期时间和写周期的限制
与EEPROM相关联。
该bq4013 / Y / LY无需外部电路，并
随着行业标准的1 -MB SRAM兼容
引脚排列。
引脚连接
32引脚DIP模块
（ TOP VIEW ）
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
NC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有1999-2007 ，德州仪器
bq4013/Y/LY
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设备信息
表1.端子功能
终奌站
名字
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
NC
OE
V
CC
V
SS
WE
数
12
11
10
9
8
7
6
5
27
26
23
25
4
28
3
31
2
22
13
14
15
17
18
19
20
21
1
30
24
32
16
29
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
-
-
I
I
-
I
无连接
输出使能输入
电源电压输入
地
写使能输入
数据输入/输出
芯片使能输入
地址输入
描述
功能说明
当功率是有效的，则bq4013 / Y / LY用作标准CMOS SRAM中。在断电和上电
周期中， bq4013 / Y / LY用作非易失性存储器时，自动保护和保存在存储器
目录。
掉电/上电控制电路持续监控V
CC
供应电源故障检测阈值V
PFD
.
对于V的bq4013显示器
PFD
= 4.62 V典型的5 -V系统中使用了5％的供应能力。该bq4013Y
显示器的V
PFD
= 4.37 V典型的5 -V系统中使用10％的电源容限。该bq4013LY监视
V
PFD
= 2.90 V（典型值）在3.3 V系统中使用。
2
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bq4013/Y/LY
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当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，会自动SRAM写保护数据。所有输出成为
高阻抗，并且所有的输入都被视为
不在乎。
如果一个有效的访问是在处理时的时间掉电
检测时，存储器周期继续进行到完成。如果存储周期未能在时间t终止
WPT
,
写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
和方法V
SO
时，控制电路转换到内部锂备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到上面的内部备用电池电压电平，电源被切换回至V
CC
。 V后
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护持续时间t
CER
（最多5 -V系统120毫秒， 85
MS最大的3.3 -V系统） ，让处理器稳定。普通内存手术后可以恢复
这次。
所使用的bq4013内部纽扣电池/ Y / LY有一个非常长的保质期和提供数据保留
超过10年，在没有系统电源。
由于运到TI的MT型模块的积分锂电池电从内存中分离出来。
（自放电在这种条件下是每年约0.5％。 ）按照Ⅴ的第一应用
CC
这
隔离被打破，而锂备份提供了数据保留在随后的断电。
框图
DIP模块
bq4013/Y/LY
MA包装
OE
128 k × 8
SRAM
块
A
0
- A
16
DQ
0
- DQ
7
WE
动力
CE
CON
CE
电源故障
控制
V
CC
+
锂
CELL
UDG-06075
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
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3
bq4013/Y/LY
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订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录数据表的末尾，或者查看
TI网站www.ti.com 。
选购指南
设备号
bq4013MA-85
bq4013MA-120
bq4013YMA-70
bq4013YMA-85
bq4013YMA-120
bq4013YMA-70N
bq4013YMA-85N
bq4013LYMA-70N
最大
ACCESS
时间（纳秒）
85
120
70
85
120
70
85
70
3.3
-10
-40到85
5
负电源
公差
(%)
-5
0到70
额定输入
电压
V
CC
(V)
温度
(°C)
零件编号
产品
LINE
bq40
内存
密度
13
10 = 8 k
×
8
11 = 32 k
×
8
13 = 128 k
×
8
14 = 256 k
×
8
15 = 512 k
×
8
16 = 1024 k
×
8
17 = 2048 k
×
8
输入
电压
(V)
L
空白= 5
L= 3.3
负
供应
公差
Y
空白= 5 ％
Y = 10%
包
MA
MA = DIP
速度
（纳秒）
70
70
85
100
120
150
200
N =工业
（-40到85）的
温度
(°C)
N
空白=商业
（ 0-70 ）
4
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bq4013/Y/LY
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绝对最大额定值
(1)
参数
V
CC
直流电压施加在相对VCC和VSS
条件
bq4013Y
bq4013
bq4013LY
bq4013Y
V
T
直流电压施加在任意引脚除外
V
VT
≤
V
CC
+0.3 V
VCC相对于VSS
广告
产业
广告
产业
广告
产业
10秒
bq4013
bq4013LY
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
(1)
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
-0.3 6.0
-0.3 7.0
-0.3 7.0
-0.3 （V
CC
+ 0.3)
0到70
-40到85
-10到70
-40到85
-10到70
-40到85
260
°C
V
V
单位
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作应限于该
建议的直流工作条件详见本数据表。置身于超越经营范围条件下，其
时间会影响器件的可靠性。
推荐工作条件（T
A
= T
OPR
)
民
bq4013Y
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
(1)
电源电压
电源电压
低电平输入电压
高电平输入电压
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
bq4013
bq4013LY
4.50
4.75
3.00
0
–0.3
2.2
典型值
(1)
5.00
5.00
3.30
0
最大
5.50
5.50
3.60
0
0.8
V
CC
+ 0.3
V
单位
DC电气特性
T
A
= T
OPR
, V
CC（分钟）
≤
V
CC
≤
V
CC（ MAX）的
参数
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
bq4013
I
CC
工作电源电流
bq4013Y
bq4013LY
bq4013
V
PFD
掉电检测电压
bq4013Y
bq4013LY
bq4013
V
SO
电源开关过电压
bq4013Y
bq4013LY
(1)
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5.0 V或V
CC
= 3.3 V.
最小周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
4.55
4.30
2.85
4.62
4.37
2.90
3
3
2.9
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE = V
CC
– 0.2 V, 0V
≤
V
IN
≤
0.2 V,
或V
IN
≥
V
CC
– 0.2
1
0.1
2.4
0.4
2
1
50
50
4.75
4.50
2.95
V
民
典型值
(1)
最大
±1
±1
单位
A
V
A
mA
mA
提交文档反馈
5
bq4013/Y
功能说明
当功率是有效的，则bq4013 / Y作为标操作
准CMOS SRAM 。在断电和上电
周期中， bq4013 / Y作为非易失性存储器的作用，自动
matically保护和维护内存CON-
帐篷。
掉电/上电控制电路不断MONI-
器的V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4013显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5％容差的供应系统。该bq4013Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用
有10 ％的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，对SRAM盟
tomatically写保护的数据。所有输出成为
高阻抗，并且所有的输入都被视为“不
无所谓了。 “如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测，存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
，写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ，控制
电路切换到内部锂电池备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压，电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护
持续一段时间t
CER
（ 120ms的最大值） ，以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4013内部纽扣电池/ Y有EX-
tremely长的保质期，并提供了数据保存的
超过10年，在没有系统电源。
由于运到的Unitrode ，积分锂电池
对MA-型模块是从电隔离
内存。 （自放电在这种条件下是近似
三方共同每年0.5％ ）之后的第一个应用程序
V
CC
，这种隔离被打破，而备用锂电池
提供后续的断电数据保持。
框图
OE
WE
128K ×8
SRAM
块
A
0
–A
16
DQ
0
-DQ
7
CE
CON
动力
CE
电源故障
V
CC
控制
锂
CELL
BD-42
2
bq4013/Y
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
注意：
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
-40至+85
-40到+70
-40至+85
-10至+70
-40至+85
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
广告
工业“N”
广告
工业“N”
广告
工业“N”
10秒
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
3
bq4013/Y
建议的直流工作条件
（ TA = TOPR ）
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意：
参数
电源电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
最低
4.5
4.75
0
-0.3
2.2
典型
5.0
5.0
0
-
-
最大
5.5
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
bq4013Y
bq4013
笔记
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
DC电气特性
（ TA = TOPR ， VCCmin
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
典型
-
-
-
-
4
2.5
≤
VCC
≤
VCCmax ）
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
≥
V
CC
- 0.2V,
0V
≤
V
IN
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
- 0.2V
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
bq4013
bq4013Y
最大
±
1
±
1
-
0.4
7
4
I
CC
工作电源电流
-
4.55
75
4.62
4.37
3
105
4.75
4.50
-
mA
V
V
V
V
PFD
V
SO
注意：
掉电检测电压
4.30
电源开关过电压
-
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V.
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）
符号
C
I / O
C
IN
注意：
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
10
10
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
4
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