【BUK7208-40B的TrenchMOS 标准水平FETM3D300牧师02 - 2004年1月2】,IC型号BUK7208-40B,BUK7208-40B PDF资料,BUK7208-40B经销商,ic,电子元器件-51电子网

BUK7208-40B

的TrenchMOS 标准水平FET

M3D300

牧师02 - 2004年1月22日

产品数据

1.产品廓

1.1说明

N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管

飞利浦高性能汽车（ HPA ）的TrenchMOS 技术。

1.2产品特点

极低的通态电阻

185

°C

评级

Q101标准

标准电平兼容。

1.3应用

汽车系统

电机，灯具和螺线管

12 V负载

通用电源开关。

1.4快速参考数据

DS （ AL ）S

≤

242兆焦耳

≤

75 A

DSON

= 6.6毫欧（典型值）

合计

≤

167 W.

2.管脚信息

表1：

针

钢钉 - SOT428 （ D- PAK ），简化的外形和符号

简化的轮廓

[1]

描述

栅极（G ）

漏极（四）

源极（S ）

安装底座;

连接到

漏极（四）

符号

MBB076

顶视图

MBK091

SOT428 （ D- PAK ）

[1]

这是无法接受的连接到SOT428封装的管脚2 。

飞利浦半导体

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3.订购信息

表2：

订购信息

包

名字

BUK7208-40B

D- PAK

描述

塑料单端表面安装封装（飞利浦版本D- PAK的） ;

3导线（一条引线裁剪）。

VERSION

SOT428

类型编号

4.极限值

表3：

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

DGR

参数

漏极 - 源极电压（直流）

漏极 - 栅极电压（直流）

栅极 - 源极电压（直流）

漏电流（ DC ）

= 25

°C;

= 10 V;

图2

和

= 100

°C;

= 10 V;

图2

合计

英镑

DRM

DS （ AL ）S

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

结温

反向漏电流（DC）的

峰值反向漏电流

非重复性的漏极 - 源极

雪崩能量

= 25

°C

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

非钳位感性负载;我

= 75 A;

≤

40 V; V

= 10 V;

= 50

;

起始物为

= 25

°C

[1]

[2]

[1]

[2]

条件

= 20 k

民

最大

±20

105

420

167

+185

105

420

242

单位

°C

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

科幻gure 3

= 25

°C;

图1

源极 - 漏极二极管

雪崩耐用性

[1]

[2]

电流是由功耗芯片等级的限制。

连续电流通过封装的限制。

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120

PDER

(%)

03no96

150

(A)

100

03nl45

在75A ，由于封装封顶

100

150

200

TMB （ ° C）

100

150

200

TMB （ ° C）

DER

合计

----------------------

100%

合计

(

25 C

)

≥

10 V

看图1，归一化的总功耗为

功能安装基座的温度。

图2.连续漏电流的一个函数

安装基座的温度。

103

限制导通电阻= VDS / ID

03nl44

(A)

TP = 10

102

100

上限为75 a由于包

1毫秒

10毫秒

100毫秒

VDS （ V）

102

= 25

°C;

单脉冲。

图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。

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5.热特性

表4：

符号

号（j -a）的

日（ J- MB ）

热特性

参数

热阻结到

环境

热阻结到

安装底座

图4

条件

民

典型值

71.4

最大

0.95

单位

K / W

5.1瞬态热阻抗

= 0.5

第Z （ J- MB ）

（K / W）

03nk52

0.2

0.1

0.05

0.02

10-1

10-2

单发

10-3

10-6

10-5

10-4

10-3

10-2

10-1

TP （多个）

图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。

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6.特性

表5：

特征

= 25

C除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） DSS

参数

漏源击穿

电压

条件

= 0.25毫安; V

= 0 V

= 25

°C

55 °C

GS （ TH）

栅源阈值电压I

= 1毫安; V

= V

;

图9

= 25

°C

= 185

°C

55 °C

DSS

漏极 - 源极漏电流

= 40 V; V

= 0 V

= 25

°C

= 185

°C

GSS

DSON

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

±20

V; V

= 0 V

= 10 V ;我

= 25 A;

图7

和

= 25

°C

= 185

°C

动态特性

G（ TOT ）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

从漏测到

的模具中心

从源极引脚测

源焊盘

= 17 A; V

= 0 V;

图15

= 20 A;的dI

/ DT =

100

A / μs的

V; V

= 30 V

= 30 V ;

= 1.2

;

= 10 V ;

= 10

= 0 V; V

= 25 V;

F = 1兆赫;

图12

= 10 V; V

= 32 V;

= 25 A;

图14

9.8

11.5

1870

482

201

104

2.5

7.5

2493

578

275

6.6

15.6

0.02

500

100

0.9

4.4

民

典型值

最大

单位

静态特性

源极 - 漏极二极管

源极 - 漏极（二极管的正向）

电压

反向恢复时间

恢复电荷

0.85

1.2

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