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bq2018

电源明德 IC

特点

多功能充电/放电

计数器

解决了信号小于12.5μV

内部失调校准im-

证明精度

1024位NVRAM中的配置

128 x 8

内部温度传感器，用于

自放电估算

单线串行接口

双操作模式：

概述

该bq2018是一种低成本的充电/显示

充电指示外围包装

采用8引脚TSSOP和SOIC封装。有用

与智能主控制器，亲

充电状态的人们提供信息。

可再充电电池。

该bq2018测量电压

跨越一个低价值的系列感下降

负termi-之间的电阻

纳尔电池和电池的

收拾地面接触。通过使用AC-

在电荷累积计数

放电，并且自放电寄存器

TER值，智能主机控制器可以

确定电池充电状态的IN-

形成。提高精度，一个

偏移计数寄存器可用。该

系统主控制器负责

通过复位 - 寄存器维修

鼎充电输入/输出和自

根据需要排出寄存器。

该bq2018还设有128个字节

NVRAM寄存器。上部13

NVRAM的字节包含capac-

性监测和状态信息

化。印度储备银行投入运营

外部电力存储源

如电容器或在一系列细胞

电池组，提供登记

非易失性的阶段时，

电池短路到地，或当

电池充电状态不suffi-

cient操作bq2018 。中

此模式中，寄存器的备份电流

租金低于100nA的。

封装采用8引脚TSSOP或

SOIC封装中， bq2018是足够小

两者之间，以适应在石缝A-

尺寸的电池或一个宽度范围内

棱柱形电池。

操作： <80μA

睡眠： <10μA

REG输出为低成本MI-

croregulation

内部时基消除EX-

外部元件

8引脚TSSOP和SOIC允许BAT-

tery包集成

引脚连接

引脚名称

REG

稳压器输出

电源电压输入

地

数据输入/输出

WAKE

SR1

SR2

RBI

唤醒输出

电流检测输入1

电流检测输入2

注册备份输入

REG

VCC

VSS

HDQ

WAKE

SR1

SR2

RBI

HDQ

8引脚TSSOP和窄体SOIC

PN-201801.eps

SLUS003月1999 C

bq2018

引脚说明

REG

稳压器输出

REG是操作反的输出

导放大器（ OTA），其驱动一个

外部通n沟道JFET提供一个

可选的稳压电源。供应量

在3.7V额定监管。

电源电压输入

当由REG输出， V稳压

3.7V

±200mV.

当REG输出不

使用时，有效工作范围为2.8V至

5.5V.

SR1–

SR2

地

电流检测输入

该bq2018解释充放电

通过监视和整合的活性

电压降（V

）在引脚SR1和SR2 。

在SR1输入端连接到所述感测电阻

与电池的负极端子。

在SR2的输入端连接到所述感测电阻

和电池组的负极端子。 V

SR1

＆ LT ; V

SR2

指示放电，和V

SR1

＆ GT ; V

SR2

显示充电。的有效电压下降，

SRO

如看到的bq2018 ，为V

+ V

有效输入范围是

200mV.

HDQ

数据输入/输出

这个双向输入/输出通信

凯茨寄存器信息到主机

系统。 HDQ为漏极开路，需要

上拉/下拉电阻的电池组

禁用/启用休眠模式，如果包是重

从系统中移动。

RBI

注册备份输入

该输入保持内部寄存器

在期间当V状态

低于

最小工作电压。

WAKE

唤醒输出

当断言，此输出用作从而提供与

美食的充电或放电活动

上述编程最低水平。

功能说明

一般操作

主机可以使用bq2018内部计数器和定时器

以测量的充电状态的电池，估计自

放电，并计算平均电荷与显示

充电电流流入和流出的可再充电电池。

该bq2018需要一个外部主机系统执行的所有

注册维护。从使用信息

bq2018 ，系统主机可以判断电池

充电状态的，估计的自放电，并计算

平均充电和放电电流。在包

存储周期，使用一个内部温度的森

感器兼作自放电计数率每10°以上

25°C.

为了降低成本，功耗为bq2018可使用衍生

一个低成本的外部FET与所述REG销结合。

该bq2018工作电流小于80μA 。当

在HDQ线保持低电平大于10秒

和V

SRO

+ V

其中，V

是电压降BE-

吐温SR1和SR2和V

是偏移电压）低于

设定的最低水平（ WAKE是高Z）时，

bq2018进入<10μA的睡眠模式，所有操作

均被暂停。 HDQ高转换来重新启动

该bq2018 。

寄存器是可用于存储计算的偏移，从而允许

荷兰国际集团电流校准。该偏移取消寄存器

包组装期间所写的bq2018并且是可用

能够对主机系统来调整电流测量

求。通过添加或减去偏移值存储

中的氧自由基，真正的充放电次数可以是

计算的确定性程度高。

图1显示了bq2018的方框图，表

1概述了bq2018运行状态。

REG输出

该bq2018可以直接从三个或四个操作

镍化学电池或单节锂离子电池，只要

被限制为2.8至5.5V 。为方便功率支持

该bq2018的层要求， REG的输出存在

调节外部的低门槛正JFET 。一个微

电源V

源bq2018可以廉价地是

使用这个内置FET 。

bq2018

WAKE

SR1

SR2

迪FF erential

动态

平衡VFC

系统

I / O

和

控制

HDQ

校准

和权力

控制

内存

和

计数器

128 x 8

RBI

带隙

电压

参考

温度 -

补偿

精确

振荡器

定时器

计数器

控制

温度

传感器

VCC

VDD （内部）

可选

（外部）

REG

VREF

VSS

BD201801.eps

图1. bq2018框图

表1.操作状态

HDQ引脚

HDQ高

HDQ低

注意：

DCR / CCR / SCR

是的

WOE

SRO

| > V

WOE

SRO

|＆ LT ; V

WOE

SRO

|＆ LT ; V

WOE

WAKE

低

高Z

工作状态

正常

睡觉

SRO

是SR1和SR2加上偏移电压V之间的电压差

bq2018

BAT +

SST113

WAKE

0.01F

BZX84C5V6

REG

VCC

VSS

HDQ

WAKE

SR1

SR2

RBI

BAT-

0.1F

100K

VCC

0.1F

BQ2018

0.05

PACK-

100K

HDQ

100

0.1F

BZX84C5V6

RBI

0.1F

BAV99

2018typAp.eps

图2.典型应用

RBI输入

打点输入引脚用于与一个存储电容器或现

ternal供应到提供后备电势到内部

当RAM V

低于2.4V 。最大显示

充电电流为100nA在这种模式下。该bq2018输出

把V

上打点时的电源电压高于2.4V ，这样一个二

赋需要隔离的外部供应。

通过感测所述电压差横跨低计数

请对电池的负极端子之间的电阻值

tery包和电池的负极端子。该

DCR或CCR计数取决于之间的信号

SR1和SR2 。

在放电过程中，对DCR和放电时间

计数器（DTC）是活动的。如果V

SR1

小于V

SR2

， indi-

一条提示放电，对DCR进行计数以相当于一个速率

12.5μV每一小时， DTC的计数以1:1的比率

数/ 0.8789秒（元1小时4096计数）。对于应试

PLE ，一个-100mV信号产生8000 DCR计数和4096

DTC计算每个小时。电荷的去除量

从电池可以很容易地计算出来。

充电/放电计数操作

表2示出的主计数器和寄存器

bq2018 。该bq2018累积电荷和放电

计数为两个主要计数寄存器中，放电

计数寄存器（ DCR ）和充电计数寄存器

（CCR）。该bq2018产生充电和放电

表2. bq2018计数器

名字

DCR

CCR

SCR

DTC

CTC

模式/

WOE

描述

放电计数寄存器

负责计数寄存器

自放电计数寄存器

放电时间计数器

充电时间计数器

模式/

唤醒输出使能

范围

SR1

＆ LT ; V

SR2

（最大值= -200mV ） 12.5μVh增量

SR1

＆ GT ; V

SR2

（最大值= + 200mV的） 12.5μVh增量

1计数/小时@ 25°C

1计数/ 0.8789s默认

如果STD设置1计数/ 225S

1计数/ 0.8789s默认

如果STC设定1计数/ 225S

—

RAM大小

16-bit

8-bit

bq2018

放电次数高字节

7E放电计数低字节

7D费算高字节

7C费算低字节

7B自放电高字节

7A自放电低字节

79放电时间的高字节

78放电时间的低字节

用户

内存

77充电时间高字节

76充电时间的低字节

75模式/唤醒输出使能

74温度/清除

73偏移寄存器

FG201801.eps

图3.地址地图

在充电时， CCR和充电时间计数器

（ CTC ）是活动的。如果V

SR1

大于V

SR2

，表示

的电荷， CCR的计数以相当于12.5μV的速率

每一小时，四氯化碳计数以1:1的比率

数/ 0.8789秒。例如，一个+ 100mV的信号亲

duces 8000 CCR数和4096 CTC计数每一个小时。

添加到电池的电荷量可以很容易地

计算出来的。

在DTC和CTC是16位寄存器和翻转

超越FFFFH 。如果发生翻转时，在相应的位

该模式/ WOE寄存器被设置，并且计数器将子

以正常速率的1/256 sequently增量（ 16

数/小时）。

每当SR1和SR2之间的信号电平高于

唤醒输出使能（ WOE ）阈值和HDQ

引脚为高电平时， bq2018处于完全操作状态。在

该状态下，对DCR ，CCR的DTC ，CTC和SCR是完全

操作，并且唤醒输出为低电平。在这

模式时， bq2018的内部RAM寄存器可以是

访问过HDQ引脚，如在部分所述

“沟通随着2018年”

如果SR1和SR2之间的信号是WOE以下

阈值（请参阅有关详细信息， WAKE部分）和

HDQ保持为低的时间大于10秒，则

bq2018进入睡眠模式时，所有的寄存器数量是

暂停。该bq2018保持在这个模式下，直到HDQ

返回高电平。

对自放电的计算，自放电计数

寄存器（ SCR）计算相等于1的计数率

每隔一小时在标称25℃和大约一倍

每隔10 ℃至60℃。可控硅计数率减半

每10

°C

低于25℃下降到0℃。在SCR的值是

在确定电池的估计有用的自

基于放电容量和储存温度

条件。

该bq2018可以被编程以测量电压

在组组件或SR1和SR2之间的偏移

任何时候通过调用校准模式。偏移

寄存器（ OFR），用于存储所述bq2018偏移。 8-

存储在OFR位2的补值换算到

相同的单位的DCR和CCR ，代表

的正或负的量在bq2018偏移。该

最大为bq2018偏移被指定为

500V.

应注意，以确保正确的PCB布局。我们 -

荷兰国际集团OFR ，系统主机可以取消大部分的影响

bq2018偏移更大的分辨率和精度。

图3示出了bq2018寄存器地址映射。该

bq2018采用上13的位置。其余

存储器可以特定于用户的信息存储，如

化学，序列号和制造日期。

WAKE输出

此输出用于通知系统的电压

SR1和SR2之间的差异是高于或低于

唤醒输出使能（ WOE ）阈值编程

在MODE / WOE寄存器。当电压差

SR1和SR2之间，低于V

WOE

，唤醒输出

进入高阻并保持这种状态，直到解散

充电或充电电流超过指定

值。在MODE / WOE复位后，上电到0EH

复位。 V

WOE

通过将3.84mV由一个值设置BE-

根据表3吐温1和7（ 1-7h ）。