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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第343页 > BD9123MUV
数据表
2.7V至5.5V ， 1.2A 1路
同步降压转换器集成FET
BD9123MUV
■一般
描述
ROHM的高效率降压型开关
调节器BD9123MUV是设计成一个电源
产生一个低电压，包括0.85至1.2伏
从5.5 / 3.3伏的电源线。提供高
我们原来的脉冲跳跃控制效率
技术和同步整流器。采用
电流模式控制的系统，以提供更快的
瞬态响应于负载突然变化。
■特点
■
提供电流模式快速瞬态响应
PWM控制系统。
■
提供高效率，为所有负载范围内
同步整流器（ N沟道/ P沟道FET ）和SLLM
（简单轻负载模式）
■
采用内部控制输出电压
功能（ 3位）
■
结合PGOOD功能。
■
集成软启动功能。
■
结合过热保护和ULVO
功能。
■
包含短路保护电路与
时间延迟功能。
■
集成的关断功能的Icc = 0μA （典型值）。
●钥匙
特定网络阳离子
输入电压范围：
输出电压范围：
输出电流：
开关频率：
P沟道FET导通电阻：
N沟道FET的导通电阻：
工作温度范围：
█Package
VQFN016V3030 ：
2.7V至5.5V
0.85V至1.2V
1.2A （最大）
1MHz(Typ.)
0.35Ω(Typ.)
0.25Ω(Typ.)
0μA （典型值）。
-40 ℃至+ 95 ℃
3.00毫米X 3.00毫米X 1.00毫米
■应用
电源的LSI ，包括DSP ，微型计算机
和ASIC
Typical
应用电路
VCC
CIN
EN
VOUT
VID<2 ： 0>
VOUT
VID<2 ：0）
第i个
RITH
SW
GND ， PGND
ESR
RO
VCC ， PVCC
PGOOD
L
VOUT
RPG
VCC
CITH
CO
图1典型应用电路
“产品
结构：硅单片集成电路
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TSZ22111½14½001
本
产品并非设计防止放射性射线。
1/20
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02.MAR.2012 Rev.001
BD9123MUV
针
CON组fi guration
（ TOP VIEW ）
VID<0> VID<1> VID<2> V
OUT
＆ GT ;
12
11
10
9
数据表
EN
13
14
15
16
1
SW
8
（ TOP VIEW ）
7
6
5
2
SW
第i个
V
CC
PGOOD
PV
CC
PV
CC
GND
保护地
3
SW
4
保护地
图2引脚配置
针
描述
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
块
图
V
CC
EN
13
VREF
14
PV
CC
15
100Ω
V
CC
0.1F
引脚名称
SW
功能
P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
保护地
GND
PGOOD
第i个
V
OUT
VID<2>
VID<1>
VID<0>
EN
VCC
PV
CC
N沟道FET的源极引脚
地
电源良好引脚
通用放大器输出引脚/连接相
补偿电容
输出电压引脚
输出电压控制pin<2>
输出电压控制pin<1>
输出电压控制pin<0>
使能引脚（高电平有效）
VCC电源输入引脚
P沟道FET的源极引脚
VID<0>
VID<1>
VID<2>
12
11
10
通用AMP
选择器
当前
COMP
输入
10F
R Q
S
坡
CLK
当前
SENSE /
保护
+
司机
逻辑
16
SW
4.7H
1
2
3
产量
V
OUT
V
CC
OSC
9
软
开始
VCC
UVLO
22F
保护地
4
5
6
GND
7
PGOOD
PGOOD
TSD
8
第i个
R
第i个
C
第i个
图3框图
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TSZ22111½15½001
2/20
TSZ02201-0J3J0AJ00120-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
BD9123MUV
“绝对
最大额定值
(Ta=25℃)
参数
VCC电压
PVCC电压
EN ， SW ， ITH电压
逻辑输入电压
功耗1
功耗2
功耗3
功耗4
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
*1
*2
*3
*4
*5
数据表
符号
VCC
PVCC
EN ， SW ， ITH
VID<2 ： 0>
Pd1
Pd2
Pd3
Pd4
TOPR
TSTG
Tj
评级
-0.3到+7 *
-0.3到+7 *
-0.3到+7
-0.3到+7
0.27 *
0.62 *
1.77 *
2.66 *
2
3
4
5
1
1
单位
V
V
V
V
W
W
W
W
℃
℃
℃
-40到+95
-55到+150
+150
钯不应超过。
只有IC
1层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 10.29毫米
2
4层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板， 1
st
和4
th
铜箔面积： 10.29毫米
2
, 2
nd
和3
rd
铜箔面积： 5505毫米
2
4层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 5505毫米
2
在每个层
“操作
额定值（Ta = -40+ 95 ℃ ）
参数
电源电压
EN电压
逻辑输入电压
输出电压设定范围
SW平均输出电流
*6
钯不应超过。
符号
V
CC
PV
CC
V
EN
VID<2 ： 0>
V
OUT
I
SW
评级
分钟。
2.7
2.7
0
0
0.85
-
典型值。
3.3
3.3
-
-
-
-
马克斯。
5.5
5.5
VCC
5.5
1.2
1.2
*6
单位
V
V
V
V
V
A
ⅵELECTRICAL
特征
（ TA = 25 ℃ V
CC
？光伏
CC
= 5V ， EN = V
CC
， VID<2> = VID<1> = VID<0> = 0V）时，除非另有说明）。
范围
参数
符号
单位
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
待机电流
工作电流
EN低压
EN高压
EN输入电流
VID电压低
VID电压高
VID输入电流
振荡频率
P沟道FET导通电阻
N沟道FET导通电阻
输出电压
第i个
SI
NK电流
第i个
S
环境允许
C
光凭目前
UVLO阈值电压
UVLO电压版
电源正常阈值
电源良好发行
电源正常延时
PGOOD导通电阻
软启动时间
定时锁定时间
输出短路阈值电压
I
机顶盒
I
CC
V
ENL
V
ENH
I
EN
V
VIDL
V
VIDH
I
VID
F
OSC
R
ONP
R
ONN
V
OUT
I
THSI
I
THSO
V
UVLO1
V
UVLO2
V
PGOOD
1
V
PGOOD
2
T
PG
R
ONPG
T
SS
T
LATCH
V
SCP
-
-
-
2.0
-
-
2.0
-
0.8
-
-
0.98
25
25
2.4
2.425
70
85
2.5
-
0.4
1
-
0
10
300
500
GND
0.8
V
CC
-
5
10
GND
0.8
V
CC
-
5
10
1
1.2
0.35
0.60
0.25
0.50
1.0
1.02
50
-
50
-
2.5
2.6
2.55
2.7
75
80
90
95
5
10
140
280
0.8
1.6
2
4
V
OUT
×0.5
V
OUT
×0.7
A
A
V
V
A
V
V
A
兆赫
Ω
Ω
V
A
A
V
V
%
%
ms
Ω
ms
ms
V
EN = GND
待机模式
主动模式
V
EN
=5V
V
VID
=5V
PV
CC
=5V
PV
CC
=5V
VID<2 ： 0> = （ 0,0,0 ）
V
OUT
=1.2V
V
OUT
=0.8V
V
CC
=5V→0V
V
CC
=0V→5V
V
OUT
→0V
0V→V
OUT
V
OUT
→0V
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BD9123MUV
Typical
性能曲线
数据表
图4 VCC- VOU
T
图5 VEN - VOUT
图6我
OUT
-V
OUT
图。 7的Ta -V
OUT
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BD9123MUV
数据表
图8效率
图9电源电压 -
工作频率
图10的Ta - FOSC
图11的Ta -R
ONN
,R
ONP
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单芯片型内置式FET开关稳压器
输出1.5A或更少
高效率降压型开关稳压器
与内置功率MOSFET
BD9123MUV
No.11027EAT38
°说明
ROHM的高效率降压型开关稳压器BD9123MUV是设计用来产生低电压的电源
包括0.85至1.2伏从5.5 / 3.3伏的电源线。提供高效率与我们原来的脉冲跳跃控制
技术和同步整流器。采用电流模式控制的系统，以提供对突然瞬态响应快
改变负载。
■特点
1 ）提供电流模式PWM控制系统快速瞬态响应。
2 ）提供高效率，为所有负载范围内同步整流器（ N沟道/ P沟道FET ）
和SLLM （简单轻负载模式）
3 ）采用输出电压控制功能中。 （ 3位）
4 ）采用PGOOD功能。
5 ）集成软启动功能。
6 ）采用热保护和ULVO功能。
7 ）采用了短路保护电路延时功能。
8 ）集成的关断功能的Icc = 0μA （典型值）。
9 ）雇用小型表面贴装型封装： VQFN016V3030
■应用
电源的LSI ，包括DSP ，微型计算机和ASIC
“绝对
最大额定值（Ta = 25℃）
参数
VCC电压
PVCC电压
EN ， SW ， ITH电压
逻辑输入电压
功耗1
功耗2
功耗3
功耗4
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
*1
*2
*3
*4
*5
符号
VCC
PVCC
EN ， SW ， ITH
VID<2 ： 0>
Pd1
Pd2
Pd3
Pd4
TOPR
TSTG
Tj
评级
-0.3½+7 *
1
-0.3½+7 *
1
-0.3½+7
-0.3½+7
0.27 *
2
0.62 *
3
1.77 *
4
2.66 *
5
-40½+95
-55½+150
+150
单位
V
V
V
V
W
W
W
W
℃
℃
℃
钯不应超过。
只有IC
1层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 10.29毫米
2
4层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板， 1
st
和4
th
铜箔面积： 10.29毫米
2
, 2
nd
和3
rd
铜箔面积： 5505毫米
2
4层。安装在74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板，占用面积铜箔： 5505毫米
2
在每个层
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2011.01 - Rev.A的
BD9123MUV
“操作
Conditions (Ta=-40½+95℃)
参数
电源电压
EN电压
逻辑输入电压
输出电压设定范围
SW平均输出电流
*6
钯不应超过。
技术说明
符号
V
CC
PV
CC
V
EN
VID<2 ： 0>
V
OUT
I
SW
评级
分钟。
2.7
2.7
0
0
0.85
-
典型值。
3.3
3.3
-
-
-
-
马克斯。
5.5
5.5
VCC
5.5
1.2
1.2
*6
单位
V
V
V
V
V
A
ⅵELECTRICAL
特性（Ta = 25 ℃ V
CC
？光伏
CC
= 5V ， EN = V
CC
， VID<2> = VID<1> = VID<0> = 0V）时，除非另有说明）。
范围
参数
符号
单位
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
待机电流
工作电流
EN低压
EN高压
EN输入电流
VID电压低
VID电压高
VID输入电流
振荡频率
P沟道FET导通电阻
N沟道FET导通电阻
输出电压
第i个
SI
NK电流
第i个
S
环境允许
C
光凭目前
UVLO阈值电压
UVLO电压版
电源正常阈值
电源良好发行
电源正常延时
PGOOD导通电阻
软启动时间
定时锁定时间
输出短路阈值电压
I
机顶盒
I
CC
V
ENL
V
ENH
I
EN
V
VIDL
V
VIDH
I
VID
F
OSC
R
ONP
R
ONN
V
OUT
I
THSI
I
THSO
V
UVLO1
V
UVLO2
V
PGOOD
1
V
PGOOD
2
T
PG
R
ONPG
T
SS
T
LATCH
V
SCP
-
-
-
2.0
-
-
2.0
-
0.8
-
-
0.98
25
25
2.4
2.425
70
85
2.5
-
0.4
1
-
0
300
GND
V
CC
5
GND
V
CC
5
1
0.35
0.25
1.0
50
50
2.5
2.55
75
90
5
140
0.8
2
10
500
0.8
-
10
0.8
-
10
1.2
0.60
0.50
1.02
-
-
2.6
2.7
80
95
10
280
1.6
4
A
A
V
V
A
V
V
A
兆赫
Ω
Ω
V
A
A
V
V
%
%
ms
Ω
ms
ms
V
V
OUT
→0V
PV
CC
=5V
PV
CC
=5V
VID<2 ： 0> = （ 0,0,0 ）
V
OUT
=1.2V
V
OUT
=0.8V
V
CC
=5V→0V
V
CC
=0V→5V
V
OUT
→0V
0V→V
OUT
V
VID
=5V
待机模式
主动模式
V
EN
=5V
EN = GND
V
OUT
×0.5
V
OUT
×0.7
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2011.01 - Rev.A的
BD9123MUV
█Package
大纲，符号
【BD9123MUV】
块
图中，应用电路
V
CC
EN
13
D 9
2
3
VID<0> 12
VID<1> 11
LOT号
技术说明
V
CC
14
PV
CC
15
16
当前
SENSE /
保护
+
司机
逻辑
0.1F
100Ω
1
VREF
当前
COMP
选择器
输入
10F
VID<2> 10
通用AMP
V
OUT
9
V
CC
R Q
S
坡
CLK
1
2
3
4
5
6
SW
4.7H
产量
OSC
VCC
软
开始
UVLO
TSD
22F
保护地
PGOOD
7
PGOOD
GND
8
第i个
R
第i个
C
第i个
VQFN016V3030 （单位：毫米）
图1 BD9123MUV封装外形
针
编号&函数表
图2 BD9123MUV框图
PIN号
VID<0> VID<1> VID<2> V
OUT
引脚名称
SW
功能
P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
12
13
14
15
16
1
SW
11
10
9
8
7
6
5
第i个
EN
保护地
GND
PGOOD
第i个
V
OUT
VID<2>
VID<1>
VID<0>
EN
VCC
PV
CC
N沟道FET的源极引脚
地
电源良好引脚
通用放大器输出引脚/连接相
补偿电容
输出电压引脚
输出电压控制pin<2>
输出电压控制pin<1>
输出电压控制pin<0>
使能引脚（高电平有效）
VCC电源输入引脚
P沟道FET的源极引脚
V
CC
PGOOD
PV
CC
GND
PV
CC
保护地
2
SW
3
SW
4
保护地
图3
顶视图
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2011.01 - Rev.A的
BD9123MUV
*特点
数据
2.0
2.0
2.0
技术说明
【V
OUT
=1.0V】
输出电压： VOUT [ V]
输出电压： VOUT [ V]
1.6
1.6
【V
OUT
=1.0V】
输出电压： VOUT [ V]
1.6
【VOUT=1.0V】
1.2
1.2
1.2
0.8
0.8
VCC=5V
Io=0A
Ta=25℃
0.8
0.4
Io=1.2A
Ta=25℃
0.4
0.4
VCC=5V
Ta=25℃
0.0
0
1
2
3
4
输入电压： VCC [ V]
5
0.0
0
1
2
3
4
EN电压： VEN [ V]
5
0.0
0
1
2
3
4
EN电压： VEN [ V]
5
图4 VCC- VOU
T
1.04
100
图5 V
EN
- V
OUT
2.0
图6我
OUT
-V
OUT
【VOUT=1.0V】
输出电压： VOUT [ V]
1.02
效率： η [ ％ ]
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
1
【VOUT=1.0】
频率： FOSC [兆赫]
1.5
1.00
1.0
0.98
0.5
VCC=5V
Io=0A
0.96
-40
-20
0
20
40
60
80
输入电压： VCC [ V]
Vcc=5.0V
Ta=25℃
Ta=25℃
0.0
10
100
IO [ A]
1000
10000
2.7
3.4
4.1
4.8
输入电压： VCC [ V]
5.5
图。 7的Ta -V
OUT
1200
1000
频率： FOSC [千赫]
导通电阻： RON [ O]
800
600
400
200
175
150
125
100
75
50
图8效率
2.0
图9电源电压 -
工作频率
1.9
1.8
EN电压： VEN [ V]
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
HIGH SIDE
（ PMOS FET ）
LOW SIDE
（ NMOS FET ）
VCC=5V
200
0
-40
-20
0
20
40 60
80
温度：钽[
℃
]
100
VCC=5.0V
25
0
-40
-20
0
20
40 60
80
温度：钽[
℃
]
100
VCC=5V
-40
-20
0
20
40 60
80
温度：钽[
℃
]
100
图10的Ta - FOSC
400
350
导通电阻： RON [ O]
300
250
200
150
100
50
0
-40
-20
0
20
40 60
80
温度：钽[
℃
]
100
图11的Ta -R
ONN
,R
ONP
图12的Ta -V
EN
【VOUT=1.0V】
· SLLM
控制
VOUT=1.0V】
VCC=5V
IO = 0A TA = 25 ℃
SW
SW
VO
VCC=5V
VCC=5V
Io=1.2A
Ta=25℃
VO
图13的Ta -ICC
图14软启动波形
图15 SW波形木卫一= 0毫安
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2011.01 - Rev.A的
BD9123MUV
技术说明
SW
V
O
Vo
V
O
VCC=5V
Io=1.2A
Ta=25℃
I
O
Ta=25℃
Io
Ta=25℃
图16 SW波形木卫一= 1.2A
图17瞬态响应
Io=125mA→850mA(2A)
VID [2：0 ] = （ 1,1,1） → 0,0,1 ）
图18瞬态响应
Io=850mA→125mA(2A)
VID [2：0 ] = （ 0,0,1 ） → （ 1,1,1）
VID
VID
PGOOD
1.2V
VO
0.85V
VO
1.2V
V
OUT
0.85V
0.9V
0.75V
TPG
VCC=5V
Vo=1V
Ta=25℃
图19 BIT CHANCE响应
图20 BIT CHANCE响应
图21 PGOOD延迟
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2011.01 - Rev.A的
1/4
结构
产品名称
TYPE
特点
硅单片集成电路
1路DC / DC转换器IC内置同步整流器
BD9123MUV
产量
电压： 3位可调设置（ 0.85 1.2V ）
产量
Current：1.2A
高
效率和快速瞬态响应
“绝对
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
EN ， SW ， ITH电压
逻辑输入电压
功耗1
功耗2
功耗3
功耗4
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
1
符号
V
CC
PV
CC
EN ， SW ， ITH
VID<2 ： 0>
Pd1
Pd2
Pd3
Pd4
TOPR
TSTG
TJMAX
极限
-0.3½+7 *
-0.3½+7 *
-0.3½+7
-0.3½+7
0.27 *
0.62 *
1.77 *
2.66 *
2
3
4
5
1
1
单位
V
V
V
V
W
W
W
W
℃
℃
℃
-40½+95
-55½+150
+150
* PD， ASO和TJMAX = 150 ℃ ，不应超出。
2
*只有IC 。
3
2
* 1层，安装在电路板上74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃 - 环氧树脂印刷电路板（铜箔面积： 6.28毫米）
4
2
* 4层，安装在电路板上74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃 - 环氧树脂印刷电路板（铜箔区中1,4layer ： 6.28毫米，
2
铜箔面积2,3layer ： 5505毫米）
5
2
* 4层，安装在电路板上74.2毫米× 74.2毫米× 1.6毫米玻璃 - 环氧树脂印刷电路板（铜箔面积： 5505毫米）
铜箔在各个层中。
“操作
CONDITIONS (Ta=-40½+95℃)
参数
VCC电压
PVCC电压
EN电压
逻辑输入电压
输出电压范围
SW平均输出电流
* Pd和ASO不应超过。
本产品并非设计用于防止放射性射线。
本文档的状态
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6
符号
V
CC
PV
CC
EN
VID<2 ： 0>
V
OUT
I
SW
分钟。
2.7
2.7
0
0
0.85
-
典型值。
3.3
3.3
-
-
-
-
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
5.5
1.2
1.2*
6
单位
V
V
V
V
V
A
版本B
2/4
ⅵELECTRICAL
特征
（除非另有说明， TA = 25 ℃ ，V
CC
？光伏
CC
= 5V ， EN = V
CC
， VID<2> = VID<1> = VID<0> = 0V
)
参数
待机电流
偏置电流
EN低压
EN高压
EN输入电流
VID电压低
VID电压高
VID输入电流
振荡频率
P沟道FET导通电阻
N沟道FET导通电阻
输出电压
I
TH
S
墨
当前
I
TH
源出电流
UVLO阈值电压
UVLO电压版
电源正常阈值
电源良好发行
电源正常延时
电源良好导通电阻
软启动时间
定时锁定时间
输出短路
阈值电压
符号
I
机顶盒
I
CC
V
ENL
V
ENH
I
EN
V
VIDL
V
VIDH
I
VID
F
OSC
R
ONP
R
ONN
V
OUT
I
THSI
I
THSO
V
UVLO
1
V
UVLO
2
V
PGOOD
1
V
PGOOD
2
T
PG
R
ONPG
T
SS
T
LATCH
V
SCP
分钟。
-
-
-
2.0
-
-
2.0
-
0.8
-
-
0.98
25
25
2.4
2.425
70
85
2.5
-
0.4
1
-
极限
典型值。
0
300
GND
VCC
5
GND
VCC
5
1
0.35
0.25
1.0
50
50
2.5
2.55
75
90
5
140
0.8
2
马克斯。
10
500
0.8
-
10
0.8
-
10
1.2
0.60
0.50
1.02
-
-
2.6
2.7
80
95
10
280
1.6
4
单位
μA
μA
V
V
μA
V
V
μA
兆赫
V
μA
μA
V
V
%
%
ms
ms
ms
V
V
OUT
→0V
PVcc=5V
PVcc=5V
VID<2 ： 0> = （ 0,0,0 ）设置
V
OUT
=1.2V
V
OUT
=0.8V
Vcc=5V→0V
Vcc=0V→5V
V
OUT
→0V
0V→V
OUT
V
VID
=5V
待机模式
主动模式
V
EN
=5V
EN = GND
条件
V
OUT
×0.5
V
OUT
×0.7
●物理
维
3.0
±
0.1
块
电路图·应用电路
V
CC
EN
13
3.0
±
0.1
D
9 1
VCC 0.1μF
VREF
当前
COMP
选择器
+
坡
OSC
V
CC
软
开始
7
PGOOD
PGOOD
UVLO
TSD
R Q
S
CLK
14
2 3
100Ω
15
16
LOT号
1PIN MARK
1.0MAX
VID<0>
12
VID<1>
11
VID<2>
10
通用AMP
+
V
OUT
V
CC
9
输入
10μF
PV
CC
当前
SENSE /
保护
+
司机
逻辑
S
0.02
+
0.03
0.02
(0.22)
1
2
3
SW
4.7μH
产量
0.08 S
保护地
4
5
6
GND
10μF
C0.2
1.4
±
0.1
0.5
1
4
1.4
±
0.1
0.4
±
0.1
16
5
13
12
9
8
0.75
0.25
+
0.05
0.04
8
第i个
R
第i个
VQFN016V3030 （单位：毫米）
C
第i个
版本B
3/4
针
布局
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
PV
CC
引脚名称
SW
保护地
GND
PGOOD
第i个
V
OUT
VID<2>
VID<1>
VID<0>
EN
V
CC
PV
CC
功能
P沟道/ N沟道FET的漏极输出引脚
N沟道FET的源极引脚
GND引脚
电源良好引脚
通用放大器输出/
相位补偿滤波器
连接引脚
输出电压设定引脚
输出电压设定引脚<2>
输出电压设定引脚<1>
输出电压设定引脚<0>
使能引脚（高电平有效）
VCC电源输入引脚
P沟道FET的源极引脚
VID<0> VID<1> VID<2> V
OUT
12
13
14
15
16
1
SW
11
10
9
8
7
6
5
第i个
EN
V
CC
PGOOD
GND
PV
CC
保护地
2
SW
3
SW
4
保护地
9
10
11
12
13
14
15
16
顶视图
产量
电压设置表
VID<2>
VID<1>
VID<0>
V
OUT
0
0
0
1.0V
0
0
1
0.85V
0
1
0
0.9V
0
1
1
0.95V
1
0
0
1.05V
1
0
1
1.1V
1
1
0
1.15V
1
1
1
1.2V
*V
OUT
变化开始10μs的妙传位改变后。
* 1步的V时间
OUT
（ 50mV的偏移）需要5微秒（最大值） 。
*该输出电压达到设定值的时间t
VID
（max）是0.06ms 。
版本B
4/4
注意事项
对于使用
（ 1 ）绝对最大额定值
我们很小心，有关此IC的质量控制。所以，存在在正常操作下没有问题，
不包括超过绝对最大额定值。然而，这种IC可能被破坏时，
绝对最大额定值，如印象深刻的电压或工作温度范围，被超过，并
是否破坏是短路模式或开路模式不能被指定。恣考虑
考虑物理对策安全，如熔化，如果特定模式超过了
绝对最大额定值是假定的。
（2）接地电势
使GND端子的电位的设置，以使得它可以保持在最小，在任何操作状态。
此外，检查，以确保没有任何终端在比接地电压，除了SW ， PGND ， GND电位低
终端包括实际的电瞬变。
(3)
热设计
不要超过封装规格额定功耗（ PD）在实际操作中，并请
设计足够的温度余量。
(4)
终端与错之间安装短路模式
为了安装IC上的一组印刷电路板时，要彻底注意方向和IC的偏移。错误
安装会破坏芯片。此外，如果发生短路时，由于异物的进入
终端或终端与电源或GND端子之间，所述集成电路可以破坏
（ 5 ）操作在强电磁场
要注意的是，使用IC在强电磁辐射可能导致操作失败。
（ 6 ） ASO （安全操作区。 ）
不要超过最大ASO和输出驱动器的绝对最大额定值。
(7)
TSD （热关闭）电路
热关断电路（ TSD电路）建于该产品。当IC芯片温度变高时，
热关断电路开始工作，输出变成关闭。保障和保护IC都没有用。
因此，请不要使用此IC TSD电路工作后，也用它来假设操作TSD
电路。
（8） GND引线图案
使用单独的接地线控制信号和大电流电源驱动器输出。由于这些大电流
流到导线阻抗输出改变GND电压控制信号。因此，每个接地
集成电路的终端必须在一个点上的一组电路板来连接。至于外部零件的GND ，它是
类似于上面提到的。
（ 9 ）在工作电源电压范围
功能电路的操作中的操作环境温度下保证的，只要它是内操作
电源电压范围。电特性的标准值不能保证。
然而，存在于这些值没有急剧的变化，只要它是内操作电源电压范围。
（ 10 ）我们有信心在建议上述应用电路的例子，但我们要求您仔细检查
这个电路的使用前的特性。如果使用该电路修改其他外部电路常数后，将
谨慎，以确保足够的利润用于外部设备，该IC之间的差异，不仅包括静态的
特性，而且瞬态特性。如果开关噪声高，请插入肖特基势垒
SW引脚和PGND引脚之间的二极管。
（ 11 ）过电流保护电路
过电流保护电路内置在输出中。如果保护电路工作超过特定
小时（当负载是短暂的。 ） ，该输出将被锁存于OFF位置。当EN被打开输出或返回
UVLO再次释放。这些保护电路，可有效的防止破坏了断事故。
请不要在连续电路的工作使用。
（ 12 ）选择电感
它建议用一个电感与串联的电阻元件（DCR） 0.15Ω或更小。需要注意的是使用了
高的DCR电感将引起电感器损耗，从而导致降低的输出电压。应此条件
继续在指定时间内（软启动时间+定时器锁存时间） ，输出短路保护功能将被激活
并输出将被锁存关。当使用一个电感超过0.15Ω ，小心以确保有足够的利润
外部设备和该IC ，包括瞬态和静态特性之间的变化。
版本B
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
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感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
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B84115-E-A110
BZV48C180
B-18-7
B37872K2102K070
B82730U3751A020
BC548CZL1
BK2125HM102
BD-A54DRD
BZX85B7V5G
BL-R4421D
B43540A2108M062
供货商
型号
厂家
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数量
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单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BD9123MUV
    -
    -
    -
    -
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电话：0755-23996734
联系人：李先生
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联系人：何小姐
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地址：深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
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假一罚十，原装进口正品现货供应，长期供货
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