【订购数量： ENA1907BMS3003三洋半导体数据表BMS3003特点P沟道MOSFET硅通用开】,IC型号BMS3003,BMS3003 PDF资料,BMS3003经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA1907

BMS3003

三洋半导体

数据表

BMS3003

特点

P沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

导通电阻RDS （ ON） 1 = 5.0米

（典型值）。

输入电容西塞= 13200pF （典型值）。

4V DRIVE

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

雪崩能量（单脉冲） * 1

雪崩电流* 2

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

EAS

IAV

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

Tc=25°C

条件

评级

--60

±20

-78

--312

2.0

150

--55到150

420

--60

单位

°C

注意：

VDD = - 36V ， L = 100

H， IAV = -

-60A （图1）

≤

100

H，单脉冲

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7525-002

10.0

3.5

3.2

4.5

2.8

产品&包装信息

包

： TO- 220ML （ LS ）

JEITA ， JEDEC

： SC - 67 ， SOT- 186A

最小包装数量： 100个/袋或50PCS /杂志。

记号

电气连接

16.0

7.2

MS3003

LOT号

3.6

1.6

1.2

14.0

0.75

1 2 3

0.7

1 ：门

2 ：排水

3 ：源

三洋： TO- 220ML （ LS ）

2.55

2.4

http://semicon.sanyo.com/en/network

D2210QA TKIM TC- 00002546号A1907-1 / 5

BMS3003

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

TRR

QRR

IS = - 78A ， VGS = 0V

看科幻G.3

IS = - 78A ， VGS = 0V ，的di / dt = - 100A / μs的

VDS = - 36V ， VGS = - 10V ， ID = - 78A

见图2

VDS = - 20V ， F = 1MHz的

条件

-1mA,

VGS=0V

ID = -

VDS = - 60V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

-10V,

ID = -

-1mA

VDS = -

-10V,

ID=--39A

VDS = -

-10V

ID = - 39A ， VGS = -

-4V

ID = - 39A ， VGS = -

评级

民

--60

-10

±10

--1.2

130

5.0

6.5

13200

1300

950

360

1200

680

285

-0.95

150

470

-1.5

6.5

9.0

--2.6

典型值

最大

单位

μA

mΩ

图1雪崩电阻测试电路

图2开关时间测试电路

VIN

VDD = --36V

≥50Ω

--10V

VIN

BMS3003

PW=10μs

D.C.≤1%

ID = --39A

RL=0.92Ω

VOUT

--10V

50Ω

VDD

P.G

BMS3003

50Ω

图3反向恢复时间测试电路

BMS3003

VDD

MOSFET驱动器

第A1907-2 / 5

BMS3003

--160

--140

--120

--100

--80

--60

--40

ID - VDS

--8

--6

Tc=25

--160

ID - VGS

TC = --2

--1.5

--2.0

--2.5

--4

漏极电流ID -

--140

--120

--100

--80

--60

--40

--20

漏极电流ID -

--1

--20

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

--1.4

--0.5

--1.0

VGS = --3V

Tc=7

--25

--3.0

--3.5

--4.0

--4.5

VDS = --10V

--5.0

漏极至源极电压VDS - V

RDS （ ON） - VGS

IT16239

栅极 - 源极电压VGS - V

RDS （ ON） - 锝

IT16240

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

ID = --39A

单脉冲

--50

Tc=75

--25

--39A

= --4

VGS

--10V

--1

--2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

--9

--10

--25

100

125

150

栅极 - 源极电压VGS - V

1000

100

1.0

--0.1

5 7 --1.0

5 7 --10

- ID

IT16241

--1000

外壳温度，TC -

IS - VSD

IT16242

正向转移导纳，

-- S

VDS = --10V

VGS=0V

单脉冲

源出电流，是 - 个

--100

--10

5 7 --100

IT16243

--0.1

--0.01

--0.2

--0.4

TC =

--0.6

--25

--0.8

--2

--1.0

--1.2

--1.4

漏极电流ID -

10000

SW时间 - ID

VDD = --36V

VGS = --10V

TD （关闭）

100000

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

IT16244

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

1000

100

--0.1

5 7 --1.0

西塞，科斯，的Crss - pF的

西塞

10000

1000

科斯

TD （上）

CRSS

5 7 --10

5 7 --100

IT16245

100

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT16246

漏极电流ID -

漏极至源极电压VDS - V

第A1907-3 / 5

BMS3003

--10

--9

VGS - 的Qg

VDS = --36V

ID = --78A

栅极 - 源极电压VGS - V

漏极电流ID -

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

100

150

200

250

300

IT16247

--1000

--100

--10

--1.0

ASO

IDP = --312A （ PW≤10μs ）

ID = --78A

操作

这个区域是

受限于RDS （ ON）。

ERA

TIO

--0.1

Tc=25°C

单脉冲

5 7 --1.0

5 7 --10

总栅极电荷QG - 数控

2.5

PD - TA

漏极至源极电压VDS - V

PD - 锝

5 7 --100

IT16248

允许功耗， PD - 含

100

120

140

160

100

120

140

160

2.0

1.5

1.0

0.5

环境温度，钽 -

°C

120

EAS - TA

IT16249

外壳温度，TC -

°C

IT16250

雪崩能量降额因子 - ％

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT16251

第A1907-4 / 5

BMS3003

注意使用情况：由于BMS3003是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备

高电荷的物体。

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，

通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得

被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，

航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号

系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁

人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得

其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用

我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序

应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前

使用目的，我们的客户须自行负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并

不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该

客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估

独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的

产品或设备。

三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任

超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）

有限公司。本文描述或包含的产品。

三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有

半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障

或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给

上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，

采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但

不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及

结构设计。

倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为

在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要

从有关根据上述法律，当局出口许可证。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或

机械，包括影印和录音，或任何信息存储或检索系统，或

否则，没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。

任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化

产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的

三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。

本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证

量产。

当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照应

授予有关知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或

第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任

党的它，是由于使用的技术信息和产品的知识产权

上面提到的。

该目录规定的12月， 2010年说明和信息，在此受

更改，恕不另行通知。

PS第A1907-5 / 5

订购数量： ENA1907A

BMS3003

三洋半导体

数据表

BMS3003

特点

P沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

导通电阻RDS （ ON） 1 = 5.0米

（典型值）。

输入电容西塞= 13200pF （典型值）。

4V DRIVE

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

雪崩能量（单脉冲） * 1

雪崩电流* 2

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

EAS

IAV

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

Tc=25°C

条件

评级

--60

±20

-78

--312

2.0

150

--55到150

420

--60

单位

°C

注意：

VDD = - 36V ， L = 100

H， IAV = -

-60A （图1）

≤

100

H，单脉冲

包装尺寸

单位：mm （典型值）。

7529-001

10.16

3.18

3.3

4.7

2.54

产品&包装信息

包

： TO- 220F - 3SG

JEITA ， JEDEC

： SC- 67

最小包装数量： 50个/盒。

BMS3003-1E

记号

电气连接

15.87

6.68

15.8

3.23

MS3003

LOT号

2.76

1.47 MAX

0.8

12.98

DETAIL -A

(0.84)

0.5

FRAME

EMC

( 1.0)

1 ：门

2 ：排水

3 ：源

三洋： TO- 220F - 3SG

2.54

http://www.sanyosemi.com/en/network/

91212 TKIM TC- 00002812 / D2210QA TKIM TC- 00002546号A1907-1 / 7

BMS3003

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

TRR

QRR

IS = - 78A ， VGS = 0V

看科幻G.3

IS = - 78A ， VGS = 0V ，的di / dt = - 100A / μs的

VDS = - 36V ， VGS = - 10V ， ID = - 78A

见图2

VDS = - 20V ， F = 1MHz的

条件

-1mA,

VGS=0V

ID = -

VDS = - 60V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

-10V,

ID = -

-1mA

VDS = -

-10V,

ID=--39A

VDS = -

-10V

ID = - 39A ， VGS = -

-4V

ID = - 39A ， VGS = -

评级

分钟。

--60

--10

±10

--1.2

130

5.0

6.5

13200

1300

950

360

1200

680

285

-0.95

150

470

-1.5

6.5

9.0

-2.6

典型值。

马克斯。

单位

μA

mΩ

图1非钳位感应开关测试电路

≥50Ω

BMS3003

--10V

50Ω

VDD

图2开关时间测试电路

--10V

VIN

VDD = --36V

VIN

PW=10μs

D.C.≤1%

ID = --39A

RL=0.92Ω

VOUT

P.G

BMS3003

50Ω

图3反向恢复时间测试电路

BMS3003

VDD

MOSFET驱动器

订购信息

设备

BMS3003-1E

包

TO-220F-3SG

航运

50pcs./magazine

备忘录

无铅

第A1907-2 / 7

BMS3003

--160

--140

--120

--100

--80

--60

--40

ID - VDS

--8

--6

Tc=25°C

--160

ID - VGS

TC = --2

--1.5

--2.0

--2.5

--4

漏极电流ID -

--140

--120

--100

--80

--60

--40

--20

漏极电流ID -

--1

--20

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

--1.4

--0.5

--1.0

VGS = --3V

Tc=7

--25

--3.0

--3.5

--4.0

--4.5

VDS = --10V

--5.0

漏极至源极电压VDS - V

RDS （ ON） - VGS

IT16239

栅极 - 源极电压VGS - V

RDS （ ON） - 锝

IT16240

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

ID = --39A

单脉冲

--50

Tc=75

--25

--39A

= --4

VGS

--10V

--1

--2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

--9

--10

--25

100

125

150

栅极 - 源极电压VGS - V

1000

100

1.0

--0.1

5 7 --1.0

5 7 --10

- ID

IT16241

--1000

外壳温度，TC -

IS - VSD

IT16242

正向转移导纳，

-- S

VDS = --10V

VGS=0V

单脉冲

源出电流，是 - 个

--100

--10

5 7 --100

IT16243

--0.1

--0.01

--0.2

--0.4

TC =

--0.6

--25

--0.8

--2

--1.0

--1.2

--1.4

漏极电流ID -

10000

SW时间 - ID

VDD = --36V

VGS = --10V

TD （关闭）

100000

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

IT16244

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

1000

100

--0.1

5 7 --1.0

西塞，科斯，的Crss - pF的

西塞

10000

1000

科斯

TD （上）

CRSS

5 7 --10

5 7 --100

IT16245

100

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT16246

漏极电流ID -

漏极至源极电压VDS - V

第A1907-3 / 7

BMS3003

--10

--9

VGS - 的Qg

VDS = --36V

ID = --78A

栅极 - 源极电压VGS - V

漏极电流ID -

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

100

150

200

250

300

IT16247

--1000

--100

--10

--1.0

ASO

IDP = --312A （ PW≤10μs ）

ID = --78A

操作

这个区域是

受限于RDS （ ON）。

ERA

TIO

--0.1

Tc=25°C

单脉冲

5 7 --1.0

5 7 --10

总栅极电荷QG - 数控

2.5

PD - TA

漏极至源极电压VDS - V

PD - 锝

5 7 --100

IT16248

允许功耗， PD - 含

100

120

140

160

100

120

140

160

2.0

1.5

1.0

0.5

环境温度，钽 -

°C

120

EAS - TA

IT16249

外壳温度，TC -

°C

IT16250

雪崩能量降额因子 - ％

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT16251

第A1907-4 / 7

BMS3003

杂志的特定网络阳离子

BMS3003-1E

第A1907-5 / 7