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BAT85
2012年7月24日
肖特基势垒二极管单
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面肖特基势垒二极管具有集成保护环应力保护,
封装在一个密闭的超小型SOD68 (DO- 34 )封装。二极管
是适合于安装在一个2 E( 5.08毫米)节距。
1.2特点和优点
低正向电压
保护环
密封的含铅玻璃包装
1.3应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管
1.4快速参考数据
表1中。
符号
I
F( AV )
V
R
V
F
快速参考数据
参数
平均正向
当前
反向电压
正向电压
I
F
= 10毫安;牛逼
AMB
= 25 °C
条件
δ≤ 0.5 ; F = 20 kHz的;印刷电路板安装,
导线长度= 4毫米;半正弦波
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
200
30
400
单位
mA
V
mV
2.管脚信息
表2中。
1
2
管脚信息
符号说明
K
A
阴极
阳极
简化的轮廓
k
a
图形符号
K
A
aaa-003679
DO- 34 ( SOD68 )
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恩智浦半导体
BAT85
肖特基势垒二极管单
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
BAT85
DO-34
描述
密封的玻璃封装;轴向引线; 2引线
VERSION
SOD68
类型编号
4.标记
表4 。
BAT85
标记代码
标识代码
标记带
类型编号
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
R
I
F
I
F( AV )
I
FRM
I
FSM
T
j
T
AMB
T
英镑
参数
反向电压
正向电流
平均正向电流
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向
当前
结温
环境温度
储存温度
δ≤ 0.5 ; F = 20 kHz的;印刷电路板安装,
导线长度= 4毫米;半正弦波
t
p
≤ 1 s; δ ≤ 0.5
t
p
= 10毫秒;牛逼
J(下INIT )
= 25 °C
条件
-
-
-
-
-
-
-65
-65
最大
30
200
200
300
5
125
125
150
单位
V
mA
mA
mA
A
°C
°C
°C
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
[1]
条件
在自由空气
[1]
-
典型值
-
最大
320
单位
K / W
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
BAT85
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产品数据表
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恩智浦半导体
BAT85
肖特基势垒二极管单
7.特点
表7中。
符号
V
F
特征
参数
正向电压
条件
I
F
= 0.1毫安;吨
AMB
= 25 °C
I
F
= 1毫安;牛逼
AMB
= 25 °C
I
F
= 10毫安;牛逼
AMB
= 25 °C
I
F
= 30毫安;牛逼
AMB
= 25 °C
I
F
= 100毫安;牛逼
AMB
= 25 °C
I
R
C
d
t
rr
反向电流
二极管电容
反向恢复时间
V
R
= 25 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25 ℃; V
R
= 1 V
I
F
= 10毫安;我
R
= 10毫安;
L
= 100 Ω;
I
R( MEAS )
= 1毫安;牛逼
AMB
= 25 °C
10
3
I
F
(MA )
10
2
10
3
(2)
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
240
320
400
500
800
2
10
4
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
ns
mld358
(1) (2) (3)
I
R
( nA的)
10
5
(1)
mgc682
10
4
10
10
2
10
1
1
(1)
(2) (3)
(3)
10
- 1
0
0.4
0.8
V
F
(V)
1.2
10
- 1
0
10
20
V
R
(V)
30
(1) T
AMB
= 125 °C
(2) T
AMB
= 85 °C
(3) T
AMB
= 25 °C
图。 1 。
正向电流为正向功能
电压;典型值
图。 2 。
(1) T
AMB
= 85 °C
(2) T
AMB
= 25 °C
(3) T
AMB
= 40 °C
反向电流反向的函数
电压;典型值
BAT85
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恩智浦半导体
BAT85
肖特基势垒二极管单
12
C
d
(PF )
8
mgc681
I
F( AV )
(MA )
250
mra540
200
150
100
4
50
0
0
10
20
V
R
(V)
30
0
0
50
100
T
AMB
(°C)
150
F = 1兆赫。
图。 3 。
二极管电容反向的函数
电压;典型值
图。 4 。
正向平均电流的一个函数
环境温度;典型值
8.测试信息
t
r
D.U.T.
R
S
= 50
Ω
V = V
R
+ I
F
× R
S
I
F
采样
示波器
R
i
= 50
Ω
mga881
t
p
t
+ I
F
TRR
10 %
t
(1)
V
R
90 %
输入信号
输出信号
(1) I
R
= 1毫安
图。 5 。
反向恢复时间测试电路和波形
BAT85
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BAT85
肖特基势垒二极管单
9.封装外形
0.55
最大
25.4
3.04
最大
25.4
1.6
最大
尺寸(mm)
97-06-09
图。 6 。
DO- 34 ( SOD68 )
10.修订历史记录
表8 。
BAT85 V.5
莫迪科幻阳离子:
修订历史
发布日期
20120724
数据表状态
产品数据表
变更通知
-
SUPERSEDES
BAT85第4节
数据表ID
这个文件的格式已重新设计,以符合新的身份指引
恩智浦半导体。
法律文本已适应了新的公司名称在适当情况下。
第"Marking"添加
封装外形图改为最小化封装ouline图纸
增加部分"Test information"
产品speci fi cation
产品speci fi cation
-
-
BAT85第3节
-
BAT85第4节
BAT85第3节
20000525
19960320
BAT85
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    联系人:杨小姐
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    BAT85.133
    -
    -
    -
    -
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BAT85.133
NXP
24+
9850
DO-34(SOD68)
100%原装正品,可长期订货
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电话:0755-83231869
联系人:张
地址:福田区上步工业区505栋六楼608室(钟表市场楼上)
BAT85.133
NXP
2020+
8700
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全新原装正品,可售样,可开13%增值税
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联系人:刘经理
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BAT85.133
NXP/恩智浦
22+
32570
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联系人:刘先生
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