【分立半导体数据表书， halfpageM3D099BLV861UHF线性推挽功率晶体管产品speci】,IC型号BLV861,BLV861 PDF资料,BLV861经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D099

BLV861

UHF线性推挽功率

晶体管

产品speci fi cation

取代1998年的数据1月14日

1998年01月16日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

UHF线性推挽功率晶体管

特点

双级内部输入和输出匹配

网络的一个最佳的宽带能力和

高增益

多晶硅发射极镇流电阻器的最佳

温度曲线

镀金保证了出色的可靠性。

应用

电视共射AB类输出级

变送器放大器（声音和视觉）经营

带4和5 （470 860兆赫）。

描述

在两节NPN硅平面外延晶体管

推挽配置。该设备被封装在一个

SOT289A 4-引线矩形法兰封装，具有一个

陶瓷帽。

钉扎

针

笔记

符号

BLV861

描述

集热器1 ;注1

集热器2 ;注1

基地1

基地2

共发射极输出;注意2

1.收藏家C1和C2内部连接。

2.常见的发射极连接到所述凸缘。

手册， halfpage

顶视图

MAM374

Fig.1简化外形（ SOT289A ）和符号。

快速参考数据

射频性能在T

= 25

°C

在一个共发射极推挽测试电路。

的模式

手术

CW AB类

（兆赫）

860

(V)

(W)

100

（ dB）的

≥8.5

(%)

≥55

（ dB）的

≤1

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。

所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

1998年01月16日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

UHF线性推挽功率晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

储存温度

工作结温

= 25

°C

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

BLV861

马克斯。

220

+150

200

单位

°C

热特性

符号

日J- MB

日MB -H

记

1.热敏电阻在特定射频操作条件来确定。

参数

从结热阻安装基座

从安装底座到散热片的热阻

条件

合计

= 220瓦;注1

价值

0.8

0.2

单位

K / W

手册， halfpage

MGK766

(A)

(2)

(1)

VCE （ V）

总的设备;这两部分同样装载。

(1) T

= 25

°C.

(2) T

= 70

°C.

图2 DC飙升。

1998年01月16日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

UHF线性推挽功率晶体管

特征

值适用于任一晶体管部;牛逼

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

记

1. C值

是，只有在模具;这是因为内部匹配网络的不可测量的。

应用信息

射频性能在T

= 25

°C

在一个共发射极推挽AB类测试电路。

操作模式

CW AB类

（兆赫）

860

(V)

(A)

0.1

(W)

100

（ dB）的

≥8.5

(%)

≥55

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极漏电流

直流电流增益

这两部分的直流电流增益比

集电极电容

条件

= 0; I

= 35毫安

= 0; I

= 90毫安

= 2毫安;我

= 0

= 28 V

= 2.8 A; V

= 10 V

= 4.5 A; V

= 10 V

= i

= 0; V

= 28 V;

F = 1兆赫;注1

分钟。

0.67

典型值。

BLV861

马克斯。

120

1.5

单位

（ dB）的

≤1

坚固耐用的AB类操作

该BLV861是能够承受相应的VSWR = 3的负载失配：通过在各个阶段1

条件：T已

= 25

°C;

F = 860 MHz的; V

= 28 V ;我

= 0.1 A; P

= 100瓦;

日MB -H

= 0.2 K / W 。

1998年01月16日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

UHF线性推挽功率晶体管

BLV861

手册， halfpage

MGK768

手册， halfpage

150

MGK769

（ dB）的

(%)

(W)

100

120

PL （W）的

160

PD （W）的

= 25

°C;

F = 860 MHz的; V

= 28 V ;我

= 0.1 A.

= 25

°C;

F = 860 MHz的; V

= 28 V ;我

= 0.1 A.

Fig.3

功率增益和集电极英法fi效率为

负载功率的功能;典型值。

Fig.4

负载功率为驱动电源的功能;

典型值。

手册， halfpage

MGK770

手册， halfpage

MGK771

暗淡

（ dB）的

暗淡

（ dB）的

100

200

300

400

宝同步（分贝）

100

150

200

250

宝同步（ W）

= 25

°C;

= 28 V ;我

= 0.1 A;

2音：

视力

= 855.25兆赫（ -8分贝） ;

边带

= 859.68兆赫（-16分贝）。

= 25

°C;

= 28 V ;我

= 0.1 A;

3音：

视力

= 855.25兆赫（ -8分贝） ;

边带

= 859.68兆赫（ -16分贝） ;

声音

= 860.75兆赫（ -10分贝）。

Fig.5

互调失真的函数

输出功率;典型值。

Fig.6

互调失真的函数

输出功率;典型值。

1998年01月16日

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