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BC 846S
NPN硅AF晶体管阵列
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
二（电流）的内部分离晶体管
具有高匹配在一个封装
4
5
6
2
1
3
VPS05604
TYPE
BC 846S
订购代码标识
1Ds
Q62702-C2529
引脚配置
1/4=E1/E2
2/5=B1/B2
3/6=C2/C1
包
SOT-363
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
总功耗，
T
S
= 115 °C
结温
储存温度
符号
价值
65
80
80
6
100
200
250
150
- 65...+150
mW
°C
mA
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
热阻
交界处的环境
1)
结 - 焊接点
R
thJA
R
thjs
≤275
≤140
K / W
1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米2铜
半导体集团
半导体集团
1
1
Ma
1998-11-01
-12-1998
BC 846S
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
每个晶体管直流特性
集电极 - 发射极击穿电压
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-
15
5
单位
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CBO
h
FE
65
80
80
6
-
-
V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
B
= 0
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
nA
A
-
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流增益1 ）
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
-
200
250
290
90
200
700
900
660
-
-
450
mV
250
650
-
-
700
770
V
CESAT
-
-
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极饱和电压1）
V
BESAT
-
-
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极电压1）
V
BE（上）
580
-
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％
半导体集团
半导体集团
2
2
Ma
1998-11-01
-12-1998
BC 846S
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
每个晶体管的交流特性
跃迁频率
典型值。
250
2
10
4.5
2
330
30
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
单位
f
T
C
cb
C
eb
h
11e
h
12e
h
21e
h
22e
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
pF
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
k
10
-4
-
S
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
开路反向电压传输比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
短路正向电流传输比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
开路输出导纳
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
半导体集团
半导体集团
3
3
Ma
1998-11-01
-12-1998
BC 846S
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
300
mW
T
S
P
合计
200
T
A
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
K / W
10
3
P
totmax
/ P
totDC
-
10
2
10
2
10
1
10
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
半导体集团
半导体集团
4
4
Ma
1998-11-01
-12-1998
BC 846S
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
集电极 - 基极capacitt
C
CB
=
f
(V
CBO
)
发射极 - 基capacitt
C
EB
=
f
(V
EBO
)
EHP00363
公元前846 ... 850
EHP00361
V
CE
= 5V
10
3
兆赫
f
T
5
C
CB0
(
C
EB0
)
12
pF
10
8
C
EB
10
2
6
5
4
C
CB
2
10
1
10
-1
5 10
0
5
10
1
mA
10
2
0
10
-1
5
10
0
V
Ι
C
V
CB0
10
1
(
V
EB0
)
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(T
A
)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CB
= 30V
10
4
nA
EHP00381
I
C
=
f
(V
CESAT
),
h
FE
= 20
10
2
EHP00367
Ι
CB0
10
3
5
10
2
5
10
1
5
10
5
10
-1
0
Ι
C
mA
100 C
25 C
-50 C
最大
10
1
5
典型值
10
5
0
0
50
100
C
150
10
-1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V 0.5
T
A
V
CESAT
半导体集团
半导体集团
5
5
Ma
1998-11-01
-12-1998
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BL-HJD33A
BL-B4538A
B45396R2477M599
B57620C0471M062
B43305A5127M000
BYY58-1300
BS-CB43RD
BLV861
B82792C2475N365
B82792-C2475-N365
BAF-1
BZY47-C39
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