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分立半导体
数据表
BLV12
甚高频功率晶体管
产品speci fi cation
1991年9月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率晶体管
特点
发射极镇流电阻的
最适温度曲线
卓越的可靠性
可承受满负荷不匹配。
描述
NPN硅平面外延型晶体管
封装在一个4引线SOT123
法兰外壳用陶瓷帽。它
被设计为共发射极，
移动VHF B类操作
变送器的电源电压
12.5五，所有引线从分离
安装FL法兰。
钉扎 - SOT123
针
1
2
3
4
描述
集热器
辐射源
BASE
辐射源
手册， halfpage
BLV12
快速参考数据
射频性能在T
mb
= 25
°C
在一个共发射极的测试电路。
操作模式
C.W. B类
f
（兆赫）
175
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全规定
该氧化铍盘不被损坏。所有的人谁处理，使用或处置
该产品应该知道它的性质和所需的安全性的
预防措施。使用后，处理为根据化学品或特殊废物
规定施加于用户的位置。它绝不能丢
用一般的或生活垃圾。
V
CE
(V)
12.5
P
L
(W)
30
G
P
（ dB）的
＆ GT ;
9
η
C
(%)
＆ GT ;
60
引脚配置
halfpage
1
4
c
b
MBB012
e
2
3
MSB057
Fig.1简化外形和符号。
1991年9月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率晶体管
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
, I
C（ AV ）
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流
总功耗
条件
发射极开路
开基
集电极开路
直流或平均值
峰值
f
＆ GT ;
1兆赫
RF操作;
f
＆ GT ;
1兆赫;
T
mb
= 25
°C
分钟。
BLV12
马克斯。
36
16
3
6
18
100
单位
V
V
V
A
A
W
T
英镑
T
j
存储温度范围
结工作温度
65
150
200
°C
°C
MRA372
120
手册， halfpage
P合计
(W)
100
I
80
II
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
o
TH（ C）
（ I）连续直流操作。
（二）不匹配，在短时间的操作
(f
＆ GT ;
1兆赫）
图2电源/温度降额曲线。
热阻
符号
R
日J- MB （ RF）
R
日MB -H
参数
从结点到安装基座
从安装底座到散热片
条件
P
合计
= 100 W;
T
mb
= 25
°C
马克斯。
1.75
0.3
单位
K / W
K / W
1991年9月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C.
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
条件
发射极开路;
I
c
= 10毫安
分钟。
36
16
3
25
BLV12
典型值。马克斯。单位
35
1.6
10
GHz的
V
V
V
mA
集电极 - 发射极击穿电压开放的基础;
I
c
= 25毫安
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极开路;
I
E
= 2毫安
V
BE
= 0;
V
CE
= 16 V
V
CE
= 5 V;
I
C
= 4 A
V
CE
= 12.5 V;
I
E
= 4 A;
F = 500 MHz的
V
CB
= 12.5 V;
I
E
= I
e
= 0;
F = 1 MHz的
V
CE
= 12.5 V;
I
C
= 0;
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
C
c
集电极电容
90
100
pF
C
re
反馈电容
60
70
pF
C
C-F
集电极 - 佛罗里达州安格电容
2
pF
MRA378
MRA374.1
手册，
50
halfpage
250
手册， halfpage
Cc
（PF ）
200
VCE =
12.5 V
h
FE
40
30
VCE = 5 V
150
20
100
10
50
0
0
0
4
8
12
IC （ A）
16
0
4
8
12
16
VCB （ V）
I
E
= i
e
= 0; F = 1兆赫。
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
目前，典型值。
Fig.4
集电极电容的一个函数
集电极 - 基极电压，典型值。
1991年9月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频功率晶体管
BLV12
手册， halfpage
2
MRA375
fT
（千兆赫）
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
I E （ A）
V
CB
= 12.5 V.
10
Fig.5
过渡频率作为发射体的功能
目前，典型值。
1991年9月
5
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