BDW93/A/B/C
BDW93/A/B/C
锤司机，
音频放大器应用
达林顿功率TR
分别补到BDW94 ， BDW94A ， BDW94B和BDW94C
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
： BDW93
： BDW93A
： BDW93B
： BDW93C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： BDW93
： BDW93A
： BDW93B
： BDW93C
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
45
60
80
100
45
60
80
100
12
15
0.2
80
150
- 65 ~ 150
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
参数
价值
单位
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
热特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
R
θJC
参数
热阻
结到外壳
价值
1.5
单位
° C / W
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
BDW93/A/B/C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： BDW93
： BDW93A
： BDW93B
： BDW93C
集电极截止电流
： BDW93
： BDW93A
： BDW93B
： BDW93C
I
首席执行官
集电极截止电流
： BDW93
： BDW93A
： BDW93B
： BDW93C
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
*直流电流增益
V
CE
= 45V ，我
B
= 0
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
V
CE
= 80V ，我
B
= 0
V
CE
= 100V ，我
B
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 3V ，我
C
= 3A
V
CE
= 3V ，我
C
= 5A
V
CE
= 3V ，我
C
= 10A
I
C
= 5A ，我
B
= 20mA下
I
C
= 10A ，我
B
= 100毫安
I
C
= 5A ，我
B
= 20mA下
I
C
= 10A ，我
B
= 100毫安
I
F
= 5A
I
F
= 10A
1.3
1.8
1000
750
100
1
1
1
1
2
20000
2
3
2.5
4
2
4
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
V
CB
= 45V ，我
E
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CB
= 80V ，我
E
= 0
V
CB
= 100V ，我
E
= 0
100
100
100
100
A
A
A
A
测试条件
I
C
= 100mA时我
B
= 0
分钟。
45
60
80
100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
I
CBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
F
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
*并联二极管正向电压
*脉冲测试： PW = 300μS ，占空比= 1.5 ％脉冲
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
BDW93 ， BDW93A ， BDW93B ， BDW93C
NPN硅功率DARLINGTONS
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1993年9月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用带
BDW94 ， BDW94A ， BDW94B和BDW94C
80瓦，在25 ° C的温度
12一个连续集电极电流
最低
FE
750在3 V ， 5 A
B
C
E
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BDW93
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BDW93A
BDW93B
BDW93C
BDW93
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
BDW93A
BDW93B
BDW93C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注1 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
工作自由空气的温度范围内
注释：1.减额直线到150℃情况下以0.64的比率W / ℃。
2.减额直线到150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
T
j
T
英镑
T
A
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
45
60
80
100
45
60
80
100
5
12
0.3
80
2
-65到+150
-65到+150
-65到+150
V
A
A
W
W
°C
°C
°C
V
V
单位
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BDW93 ， BDW93A ， BDW93B ， BDW93C
NPN硅功率DARLINGTONS
1993年9月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BDW93
V
（ BR ） CEO
I
C
= 100毫安
I
B
= 0
（见注3 ）
BDW93A
BDW93B
BDW93C
V
CB
= 40 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 45 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= 100 V
V
CB
= 45 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
I
EBO
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
并联二极管
正向电压
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
I
E
=
I
E
=
5V
3V
3V
3V
20毫安
20毫安
5A
10 A
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
B
= 0
I
B
= 0
3A
（见注3和4）
5A
5A
5A
（见注3和4）
（见注3和4）
1000
100
750
20000
2
3
2.5
4
2
4
V
V
V
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
BDW93
BDW93A
BDW93B
BDW93C
BDW93
BDW93A
BDW93B
BDW93C
BDW93
BDW93A
BDW93B
BDW93C
民
45
60
80
100
1
1
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
5
5
5
5
2
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
I
C
= 10 A
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
EC
I
B
= 100毫安
I
B
= 100毫安
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
注： 3。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
4.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.56
62.5
单位
° C / W
° C / W
产品
信息
2
BDW93 ， BDW93A ， BDW93B ， BDW93C
NPN硅功率DARLINGTONS
1993年9月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
50000
TCS130AE
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
3·0
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
I
B
= I
C
/ 100
2·5
TCS130AG
h
FE
- 典型的直流电流增益
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
10000
2·0
1·5
1000
1·0
0·5
V
CE
= 3 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
100
0·5
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
20
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
20
0
0·5
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
集电极电流
3·0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
TCS130AI
2·5
2·0
1·5
1·0
I
B
= I
C
/ 100
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
0·5
0·5
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
20
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BDW93 ， BDW93A ， BDW93B ， BDW93C
NPN硅功率DARLINGTONS
1993年9月 - 修订1997年3月
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
100
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS130AA
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图4中。
产品
信息
4
BDW93 ， BDW93A ， BDW93B ， BDW93C
NPN硅功率DARLINGTONS
1993年9月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BDW93/A/B/C
描述
-collector
目前-I
C
=
12A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 45V （最小值） - BDW93 ; 60V （最小值） - BDW93A
80V （最小值） - BDW93B ; 100V （最小） - BDW93C
.Complement
到类型BDW94 / A / B / C
应用
·设计
对于锤驱动器，音频放大器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BDW93
集电极 - 基
电压
BDW93A
BDW93B
BDW93C
BDW93
集电极 - 发射极
电压
BDW93A
BDW93B
BDW93C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
价值
45
60
单位
V
CBO
V
80
100
45
60
V
80
100
5
12
15
0.2
80
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
首席执行官
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BDW93/A/B/C
描述
-collector
目前-I
C
=
12A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 45V （最小值） - BDW93 ; 60V （最小值） - BDW93A
80V （最小值） - BDW93B ; 100V （最小） - BDW93C
.Complement
到类型BDW94 / A / B / C
应用
·设计
对于锤驱动器，音频放大器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BDW93
价值
45
单位
V
CBO
集电极 - 基
电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
BDW93A
BDW93B
60
80
V
BDW93C
100
45
BDW93
BDW93A
BDW93B
60
80
V
BDW93C
100
5
12
15
0.2
80
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BDW93/A/B/C
描述
-collector
目前-I
C
=
12A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 45V （最小值） - BDW93 ; 60V （最小值） - BDW93A
80V （最小值） - BDW93B ; 100V （最小） - BDW93C
.Complement
到类型BDW94 / A / B / C
应用
·设计
对于锤驱动器，音频放大器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BDW93
价值
45
单位
V
CBO
集电极 - 基
电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
BDW93A
BDW93B
60
80
V
BDW93C
100
45
BDW93
BDW93A
BDW93B
60
80
V
BDW93C
100
5
12
15
0.2
80
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
BDW93 ， BDW93A ， BDW93B ， BDW93C
NPN硅功率DARLINGTONS
●
●
●
●
专为配套使用带
BDW94 ， BDW94A ， BDW94B和BDW94C
80瓦，在25 ° C的温度
12一个连续集电极电流
最低
FE
750在3V ， 5 A
B
C
E
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
BDW93
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BDW93A
BDW93B
BDW93C
BDW93
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
BDW93A
BDW93B
BDW93C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注1 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
工作自由空气的温度范围内
注释：1.减额直线到150℃情况下以0.64的比率W / ℃。
2.减额直线到150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
T
j
T
英镑
T
A
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
45
60
80
100
45
60
80
100
5
12
0.3
80
2
-65到+150
-65到+150
-65到+150
V
A
A
W
W
°C
°C
°C
V
V
单位
1993年9月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
BDW93 ， BDW93A ， BDW93B ， BDW93C
NPN硅功率DARLINGTONS
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BDW93
V
（ BR ） CEO
I
C
= 100毫安
I
B
= 0
（见注3 ）
BDW93A
BDW93B
BDW93C
V
CB
= 40 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 45 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= 100 V
V
CB
= 45 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
I
EBO
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
并联二极管
正向电压
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
I
E
=
I
E
=
5V
3V
3V
3V
20毫安
20毫安
5A
10 A
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
B
= 0
I
B
= 0
3A
（见注3和4）
5A
5A
5A
（见注3和4）
（见注3和4）
1000
100
750
20000
2
3
2.5
4
2
4
V
V
V
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
BDW93
BDW93A
BDW93B
BDW93C
BDW93
BDW93A
BDW93B
BDW93C
BDW93
BDW93A
BDW93B
BDW93C
民
45
60
80
100
1
1
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
5
5
5
5
2
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
I
C
= 10 A
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
EC
I
B
= 100毫安
I
B
= 100毫安
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
注： 3。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
4.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.56
62.5
单位
° C / W
° C / W
2
1993年9月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BDW93 ， BDW93A ， BDW93B ， BDW93C
NPN硅功率DARLINGTONS
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
50000
TCS130AE
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
3·0
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
I
B
= I
C
/ 100
2·5
TCS130AG
h
FE
- 典型的直流电流增益
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
10000
2·0
1·5
1000
1·0
0·5
V
CE
= 3 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
100
0·5
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
20
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
20
0
0·5
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
集电极电流
3·0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
TCS130AI
2·5
2·0
1·5
1·0
I
B
= I
C
/ 100
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
0·5
0·5
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
20
网络连接gure 3 。
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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TCUDORP
3
BDW93 ， BDW93A ， BDW93B ， BDW93C
NPN硅功率DARLINGTONS
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
100
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS130AA
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图4中。
4
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BDW93 ， BDW93A ， BDW93B ， BDW93C
NPN硅功率DARLINGTONS
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
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