【分立半导体数据表M3D381BLL1214-35L波段雷达的LDMOS驱动器晶体管产品speci f】,IC型号BLL1214-35,BLL1214-35 PDF资料,BLL1214-35经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

M3D381

BLL1214-35

L波段雷达的LDMOS驱动器

晶体管

产品speci fi cation

2002年09月27日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

L波段雷达的LDMOS驱动器晶体管

特点

高功率增益

简单的电源控制

出色的耐用性

源上安装底座消除了直流隔离，

减少共模电感。

应用

到1400兆赫L波段雷达应用中的1200

频率范围。

描述

BLL1214-35

钉扎 - SOT467C

针

漏

门

源，连接到FL法兰

描述

硅N沟道增强模式横向D- MOS

晶体管封装在一个2引线凸缘包

（ SOT467C ）与陶瓷电容。共源极是

连接到所述凸缘。

顶视图

MBK584

Fig.1简化外形。

快速参考数据

射频性能在T

= 25

°C

在一个共同的源测试电路。

操作模式

脉冲AB类;

T = 1毫秒;

= 10 %

（兆赫）

1400至00年

(V)

(W)

（ dB）的

>13

(%)

>43

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

合计

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

总功耗

储存温度

结温

条件

在射频条件;牛逼

≤

°C

分钟。

马克斯。

±15

110

+150

200

°C

单位

2002年09月27日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

L波段雷达的LDMOS驱动器晶体管

热特性

符号

第j个小时

记

1.热电阻在RF工作条件确定;吨

= 1毫秒，

= 10 %.

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） DSS

gsth

DSS

DSX

GSS

DSON

参数

漏源击穿电压

门源阈值电压

漏极 - 源极漏电流

通态漏电流

栅极漏电流

正向跨导

漏源导通电阻

条件

= 0; I

- 0.7毫安

= 10 V ;我

= 70毫安

= 0; V

= 36 V

= V

gsth

+ 9 V; V

= 10 V

±20

V; V

= 0

= 10 V ;我

= 2.5 A

= 10 V ;我

= 2.5 A

分钟。

4.5

参数

从结点的热阻抗散热器

条件

= 25

°C;

注1

BLL1214-35

价值

1.1

单位

K / W

典型值。

300

马克斯。

5.5

125

单位

应用信息

RF性能在一个共同的源AB类电路。牛逼

= 25

°C;

日MB -H

= 0.65 K / W ，除非另有规定ED 。

操作模式

脉冲AB类;

T = 1毫秒;

= 10 %

（兆赫）

1400至00年

(V)

（MA ）

(W)

（ dB）的

>13

(%)

>43

坚固耐用的AB类操作

该BLL1214-35是能够承受相应的VSWR = 5的负载失配：通过在各个阶段1

满足下列条件： V

= 36 V ;频率为1200 MHz至1400 MHz的频率，额定负载功率。

典型阻抗

频率

（千兆赫）

1.20

1.25

1.30

1.35

1.40

()

6.48

j 3.9

3.88

j 3.2

3.28

j 2.4

2.55

j 1.48

1.69

j 0.51

()

1.95 + j 3.27

1.90 + j 2.57

2.01 + j 2.27

2.20 + j 2.26

1.72 + j 2.35

2002年09月27日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

L波段雷达的LDMOS驱动器晶体管

BLL1214-35

手册， halfpage

MLD923

手册， halfpage

MLD924

(W)

（ dB）的

(1)

(2)

(3)

(2)

(3)

0.2

0.4

0.6

0.8

圆周率（W）的

PL （W）的

（ 1 ） F = 1.2千兆赫。

= 1毫秒;

= 10%.

（2）F = 1.3千兆赫。

（ 3 ） F = 1.4千兆赫。

（ 1 ） F = 1.2千兆赫。

= 1毫秒;

= 10%.

（2）F = 1.3千兆赫。

（ 3 ） F = 1.4千兆赫。

Fig.2

负载功率作为输入功率的函数;

典型值。

Fig.3

功率增益随着负载功率的函数;

典型值。

手册， halfpage

MLD925

手册， halfpage

(%)

(3)

MLD926

(%)

（ dB）的

(1)

(2)

PL （W）的

1.1

1.2

1.3

1.4

F（千兆赫）

1.5

（ 1 ） F = 1.2千兆赫。

= 1毫秒;

= 10%.

（2）F = 1.3千兆赫。

（ 3 ） F = 1.4千兆赫。

= 1毫秒;

= 10%.

Fig.4

效率随着负载功率的函数;

典型值。

Fig.5

功率增益和EF网络效率的功能

频率;典型值。

2002年09月27日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

L波段雷达的LDMOS驱动器晶体管

BLL1214-35

手册，全页宽

C5 C6

C7 C8

C14

C10

C12

C11

C13

MCE033

阴影部分表示调整存根。

图6组件布局。

组件列表

（见图6）

部件

C1, C12

C4, C9

C6, C7

C5, C8

C10

C11

C13, C14

电容

贴片电阻

描述

51 pF的

6.8 pF的

47 pF的

4.7

F/50

2.3 nF的

2.7 pF的

1.0 pF的

1.5 pF的

价值

目录号。

ATC100A

475 50k 952

ATC100B

ATC100A

2002年09月27日

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NXP

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十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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一级代理专营，原装现货，价格优势

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BLL1214-35

AMP

24+

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SOT-467-3

全新原装现货，原厂代理。BLL6H0514L-130

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24+

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原厂原封

100%原装正品，可长期订货

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SOT-467-3

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25+

4500

模块

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22+

32570

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电话：0755-82865294/82517859

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BLL1214-35

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24+

1680

原厂进口

高频管原装进口正品现货供应，假一罚十。

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电话：13681678667

联系人：吴

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23+

80000

原厂封装

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