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日前,Vishay
BFR92AF
威世半导体
硅NPN平面RF晶体管
描述
此双极型晶体管的主要目的是基础广泛
带放大到1千兆赫。在节省空间的
3 - pin表面贴装SOT -490封装的电气per-
性能和可靠性带到了一个新的水平cov-
化工e圈上的PC板比以前更小的占位面积
包。除了节省空间的SOT -490
提供了可靠性比其他3针更高水平
包,比如更耐潮湿。应有
其引线的长度短的SOT- 490也是
减少导致部分bet-包电感
1
2
3
16867
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
器的电气性能。所有这些方面做
该器件为要求苛刻的理想选择RF应用
系统蒸发散。
应用
宽带放大器高达GHz范围内。
特点
高功率增益
低噪声系数
高转换频率
机械数据
典型值:
BFR92AF
案例:
SOT -490塑料外壳
重量:
约。 2.5毫克
穿针:
1 =收藏家, 2 =基地3 =发射器
零件表
部分
BFR92AF
P2
记号
SOT-490
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
AMB
60 °C
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
20
15
2
30
200
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
最大热阻
参数
交界处的环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板( 25×20× 1.5) mm的
3
镀上35
m
Cu
文档编号85098
修订版1.3 , 30 - 8 - 04
www.vishay.com
1
BFR92AF
威世半导体
电气直流特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿
电压
测试条件
V
CE
= 20 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
EB
= 2 V,I
C
= 0
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
15
65
100
150
典型值。
最大
100
100
10
日前,Vishay
单位
A
nA
A
V
直流正向电流传输比V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安
www.vishay.com
2
文档编号85098
修订版1.3 , 30 - 8 - 04
日前,Vishay
AC电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益
测试条件
V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安,
F = 500 MHz的
V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
V
CE
= 10 V , F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V , F = 1兆赫
V
CE
= 10 V,I
C
= 2毫安,
Z
S
= 50
,
F = 800 MHz的
V
CE
= 10 V ,Z
S
= 50
,
Z
L
= Z
LOPT
, I
C
= 14毫安,
F = 800 MHz的
V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安,
F = 800兆赫,Z
O
= 50
V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安,
d
IM
= 60分贝,女
1
= 806兆赫,
f
2
= 810兆赫,Z
S
= Z
L
= 50
V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安,
F = 800 MHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
G
pe
典型值。
6
0.3
0.15
0.65
1.8
16.5
BFR92AF
威世半导体
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
传感器增益
线性输出电压 - 双色
互调测试
三阶截点
|S
21e
|
2
V
1
= V
2
14
120
dB
mV
IP
3
24
DBM
包装尺寸(mm)
0.6 (0.023)
0.8 (0.031)
0.1 A
3 x 0.20 (0.008)
3 x 0.30 (0.012)
0.1 B
1.5 (0.059)
1.7 (0.066)
0.4 (0.016)
0.65(0.026)
ISO方法E
0.75 (0.029)
0.95 (0.037)
1.15(0.045)
0.5 (0.016)
16866
1.0 (0.039)
0.5 (0.016)
文档编号85098
修订版1.3 , 30 - 8 - 04
0.10 (0.004)
0.20 (0.008)
1.5 (0.059)
1.7 (0.066)
www.vishay.com
3
BFR92AF
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前,Vishay
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响,如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策,以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
www.vishay.com
4
文档编号85098
修订版1.3 , 30 - 8 - 04
不适用于新的设计,这款产品将很快过时
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威世半导体
硅NPN平面RF晶体管
描述
此双极型晶体管的主要目的是基础广泛
带放大到1千兆赫。在节省空间的
3 - pin表面贴装SOT -490封装的电气per-
性能和可靠性带到了一个新的水平cov-
化工e圈上的PC板比以前更小的占位面积
包。除了节省空间的SOT -490
提供了可靠性比其他3针更高水平
包,比如更耐潮湿。应有
其引线的长度短的SOT- 490也是
减少导致部分bet-包电感
1
2
3
16867
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
器的电气性能。所有这些方面做
该器件为要求苛刻的理想选择RF应用
系统蒸发散。
应用
宽带放大器高达GHz范围内。
特点
高功率增益
低噪声系数
e3
高转换频率
铅(Pb ) -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
机械数据
典型值:
BFR92AF
案例:
SOT -490塑料外壳
重量:
约。 2.5毫克
穿针:
1 =收藏家, 2 =基地3 =发射器
零件表
部分
BFR92AF
P2
记号
SOT-490
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
AMB
60 °C
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
20
15
2
30
200
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
文档编号85098
修订版1.4 , 05月, 08
www.vishay.com
1
BFR92AF
威世半导体
最大热阻
参数
交界处的环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板( 25×20× 1.5) mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿
电压
测试条件
V
CE
= 20 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
EB
= 2 V,I
C
= 0
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
15
65
100
150
典型值。
最大
100
100
10
单位
μA
nA
μA
V
直流正向电流传输比V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安
www.vishay.com
2
文档编号85098
修订版1.4 , 05月, 08
BFR92AF
威世半导体
AC电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益
测试条件
V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安,
F = 500 MHz的
V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
V
CE
= 10 V , F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V , F = 1兆赫
V
CE
= 10 V,I
C
= 2毫安,
Z
S
= 50
Ω,
F = 800 MHz的
V
CE
= 10 V ,Z
S
= 50
Ω,
Z
L
= Z
LOPT
, I
C
= 14毫安,
F = 800 MHz的
V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安,
F = 800兆赫,Z
O
= 50
Ω
V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安,
d
IM
= 60分贝,女
1
= 806兆赫,
f
2
= 810兆赫,Z
S
= Z
L
= 50
Ω
V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安,
F = 800 MHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
G
pe
典型值。
6
0.3
0.15
0.65
1.8
16.5
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
传感器增益
线性输出电压 - 双色
互调测试
三阶截点
|S
21e
|
2
V
1
= V
2
14
120
dB
mV
IP
3
24
DBM
包装尺寸(mm)
1.5 (0.059)
1.7 (0.066)
0.6 (0.023)
0.8 (0.031)
0.1 A
3 x 0.20 (0.008)
3 x 0.30 (0.012)
0.1 B
1.5 (0.059)
1.7 (0.066)
0.4 (0.016)
ISO方法E
0.65(0.026)
0.75 (0.029)
0.95 (0.037)
1.15(0.045)
16866
0.5 (0.016)
1.0 (0.039)
0.5 (0.016)
文档编号85098
修订版1.4 , 05月, 08
0.10 (0.004)
0.20 (0.008)
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
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修订版1.4 , 05月, 08
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改,恕不另行通知。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前,Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的,在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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1
日前,Vishay
BFR92AF
威世半导体
硅NPN平面RF晶体管
描述
此双极型晶体管的主要目的是基础广泛
带放大到1千兆赫。在节省空间的
3 - pin表面贴装SOT -490封装的电气per-
性能和可靠性带到了一个新的水平cov-
化工e圈上的PC板比以前更小的占位面积
包。除了节省空间的SOT -490
提供了可靠性比其他3针更高水平
包,比如更耐潮湿。应有
其引线的长度短的SOT- 490也是
减少导致部分bet-包电感
1
2
3
16867
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
器的电气性能。所有这些方面做
该器件为要求苛刻的理想选择RF应用
系统蒸发散。
应用
宽带放大器高达GHz范围内。
特点
高功率增益
低噪声系数
高转换频率
机械数据
典型值:
BFR92AF
案例:
SOT -490塑料外壳
重量:
约。 2.5毫克
穿针:
1 =收藏家, 2 =基地3 =发射器
零件表
部分
BFR92AF
P2
记号
SOT-490
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
AMB
60 °C
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
20
15
2
30
200
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
最大热阻
参数
交界处的环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板( 25×20× 1.5) mm的
3
镀上35
m
Cu
文档编号85098
修订版1.3 , 30 - 8 - 04
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1
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威世半导体
电气直流特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿
电压
测试条件
V
CE
= 20 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
EB
= 2 V,I
C
= 0
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
15
65
100
150
典型值。
最大
100
100
10
日前,Vishay
单位
A
nA
A
V
直流正向电流传输比V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安
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2
文档编号85098
修订版1.3 , 30 - 8 - 04
日前,Vishay
AC电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
功率增益
测试条件
V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安,
F = 500 MHz的
V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
V
CE
= 10 V , F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V , F = 1兆赫
V
CE
= 10 V,I
C
= 2毫安,
Z
S
= 50
,
F = 800 MHz的
V
CE
= 10 V ,Z
S
= 50
,
Z
L
= Z
LOPT
, I
C
= 14毫安,
F = 800 MHz的
V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安,
F = 800兆赫,Z
O
= 50
V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安,
d
IM
= 60分贝,女
1
= 806兆赫,
f
2
= 810兆赫,Z
S
= Z
L
= 50
V
CE
= 10 V,I
C
= 14毫安,
F = 800 MHz的
符号
f
T
C
cb
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G
pe
典型值。
6
0.3
0.15
0.65
1.8
16.5
BFR92AF
威世半导体
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
传感器增益
线性输出电压 - 双色
互调测试
三阶截点
|S
21e
|
2
V
1
= V
2
14
120
dB
mV
IP
3
24
DBM
包装尺寸(mm)
0.6 (0.023)
0.8 (0.031)
0.1 A
3 x 0.20 (0.008)
3 x 0.30 (0.012)
0.1 B
1.5 (0.059)
1.7 (0.066)
0.4 (0.016)
0.65(0.026)
ISO方法E
0.75 (0.029)
0.95 (0.037)
1.15(0.045)
0.5 (0.016)
16866
1.0 (0.039)
0.5 (0.016)
文档编号85098
修订版1.3 , 30 - 8 - 04
0.10 (0.004)
0.20 (0.008)
1.5 (0.059)
1.7 (0.066)
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前,Vishay
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响,如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
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已经能够利用不断改进的政策,以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
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可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
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文档编号85098
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