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BLF184XR ; BLF184XRS
功率LDMOS晶体管
版本1 - 2013年5月6日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
广播和工业650 W极其坚固的LDMOS功率晶体管
应用高频600 MHz频段。
表1中。
应用信息
f
（兆赫）
脉冲射频
108
V
DS
(V)
50
P
L
(W)
650
G
p
（ dB）的
23.5
D
(%)
72
测试信号
1.2特点和优点
简单的电源控制
集成ESD保护
出色的耐用性
高效率
优良的热稳定性
专为宽带运营（ HF至600兆赫）
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
1.3应用
工业，科学和医疗应用
广播发射机应用
恩智浦半导体
BLF184XR ; BLF184XRS
功率LDMOS晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
钉扎
描述
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
简化的轮廓
图形符号
BLF184XR （ SOT1214A ）





1
3
5
4
2
sym117
BLF184XRS （ SOT1214B ）
1
2
3
4
5
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]


1
3
5
4


2
sym117
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BLF184XR
BLF184XRS
-
-
描述
FL anged LDMOST陶瓷封装; 2安装孔;
4引线
无耳法兰LDMOST陶瓷封装; 4引线
VERSION
SOT1214A
SOT1214B
类型编号
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
储存温度
结温
条件
民
-
6
65
-
最大
135
+11
+150
200
单位
V
V
C
C
BLF184XR_BLF184XRS
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目标数据表
版本1 - 2013年5月6日
2 10
恩智浦半导体
BLF184XR ; BLF184XRS
功率LDMOS晶体管
5.热特性
表5 。
R
日（J -C ）
Z
日（J -C ）
[1]
[2]
热特性
条件
T
j
= 150
C
[1][2]
符号参数
从结热阻到外壳
典型值
单位
<tbd> K / W
<tbd> K / W
从结点牛逼的瞬态热阻抗
j
= 150
C;
t
p
= 100
s;
到案
= 20 %
T
j
是结点温度。
R
日（J -C ）
射频条件下进行测定。
6.特性
表6 。
DC特性
T
j
= 25
℃;每节除非另有规定ED 。
符号参数
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
V
GSQ
I
DSS
I
DSX
I
GSS
R
DS （ ON）
门源阈值电压
栅源电压静态
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 2.75毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 275毫安
V
DS
= 50 V ;我
D
= 50毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 9.625 A
民
135
1.25
0.8
-
-
-
-
典型值
-
1.7
1.3
-
38
-
0.14
最大
-
2.25
1.8
1.4
-
140
-
单位
V
V
V
A
A
nA
表7中。
AC特性
T
j
= 25
℃;每节除非另有规定ED 。
符号
C
rs
C
国际空间站
C
OSS
参数
反馈电容
输入电容
输出电容
条件
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
最小值典型值
-
-
-
269
107
最大单位
pF
pF
pF
-
-
2.75 -
表8 。
射频特性
测试信号：脉冲射频;吨
p
= 100
s;
= 2; F = 108 MHz的;射频性能在V
DS
= 50 V;
I
Dq
= 100毫安;牛逼
例
= 25
℃;除非另有规定ED ;在AB类生产测试电路。
符号
G
p
RL
in
D
参数
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
条件
P
L
= 650 W
P
L
= 650 W
P
L
= 650 W
民
<tbd>
-
<tbd>
典型值
<tbd>
<tbd>
<tbd>
最大
-
<tbd>
-
单位
dB
dB
%
BLF184XR_BLF184XRS
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目标数据表
版本1 - 2013年5月6日
3 10
恩智浦半导体
BLF184XR ; BLF184XRS
功率LDMOS晶体管
7.测试信息
7.1耐用的AB类操作
该BLF184XR和BLF184XRS能够承受的负荷不匹配
对应于驻波> 65： 1通过下述条件下的所有阶段：
V
DS
= 50 V ;我
Dq
= 100毫安; P
L
= 650 W脉冲; F = 108兆赫。
7.2阻抗信息
排水1
门1
Z
i
门2
排水2
001aan207
Z
L
图1 。
晶体管阻抗德网络nition
表9 。
典型的推挽阻抗
模拟
i
和Z
L
器件的阻抗;在V阻抗信息
DS
= 50 V和P
L
= 650 W.
f
（兆赫）
<tbd>
Z
i
()
<tbd>
Z
L
()
<tbd>
BLF184XR_BLF184XRS
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4 10
恩智浦半导体
BLF184XR ; BLF184XRS
功率LDMOS晶体管
8封装外形
） ODQJHG FHUDPLF SDFNDJH ？ ？ PRXQWLQJ KROHV ？ ？ OHDGV
'
627$
$
)
'

8

T
+



%
＆放大器;
Z

＆放大器;
F
+
8


S
(

(
$
Z

Z

$
%
4

E
H


“ LPHQVLRQV
8QLW


PP
$
E


F
'
'

H

(


(



)

VFDOH
 PP
+
+


S


4




T

8

8

Z


Z

Z

PD [ ????
QRP
PLQ ????
  
  
 
 
 
 
 
 
 
PD [ ????? ????? ????? ????? ?????
   



LQFKHV QRP
 
 
PLQ ????? ????? ????? ????? ?????
   
1RWH
?? PLOOLPHWHU GLPHQVLRQV DUH GHULYHG IURP WKH RULJLQDO LQFK GLPHQVLRQV ？
?? GLPHQVLRQ LV PHDVXUHG ????? LQFK ????? PP

IURP ERG \\ ？

2XWOLQH
YHUVLRQ
627$
5HIHUHQFHV
， （ &
- （' （ &
-(,7$
（ XURSHDQ
SURMHFWLRQ

 
VRW ???? DBSR
， VVXH GDWH


图2 。
封装外形SOT1214A
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BLF184XR_BLF184XRS
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