【BDP948 ， BDP950 ， BDP954PNP硅自动对焦功率晶体管用于AF的驱动级和输出级高】,IC型号BDP950,BDP950 PDF资料,BDP950经销商,ic,电子元器件-51电子网

BDP948 ， BDP950 ， BDP954

PNP硅自动对焦功率晶体管

用于AF的驱动级和输出级

高集电极电流

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

互补类型： BDP947 ， BDP949

BDP953 （ NPN ）

无铅（符合RoHS标准）封装

1)

合格的依据AEC Q101

4

2

1

3

TYPE

BDP948

BDP950

BDP954

记号

BDP948 1 = B

BDP950 1 = B

BCP954 1 = B

2=C

引脚配置

3=E

4=C

-

包

SOT223

1

2008-10-10

BDP948 ， BDP950 ， BDP954

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

BDP948

BDP950

BDP954

集电极 - 基极电压

BDP948

BDP950

BDP954

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流，

t

p

≤

10毫秒

基极电流

峰值电流基地

总功率dissipation-

T

S

≤

100 °C

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

V

CBO

符号

V

首席执行官

价值

45

60

100

45

60

120

5

3

5

200

500

5

150

-65 ... 150

单位

V

A

mA

W

°C

结温

储存温度

热阻

参数

结 - 焊接点

2)

1

含有铅，

符号

R

thjs

价值

≤

10

单位

K / W

包可能是可根据特殊要求

2

对于计算

R

thJA请参考应用笔记热阻

2

2008-10-10

BDP948 ， BDP950 ， BDP954

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， BDP948

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， BDP950

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， BDP954

V

（ BR ） CEO

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

V

45

60

100

-

A

-

0.1

20

100

nA

-

25

85

50

15

-

475

-

0.5

1.3

V

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100 A,

I

E

= 0， BDP948

I

C

= 100 A,

I

E

= 0， BDP950

I

C

= 100 A,

I

E

= 0， BDP954

V

（ BR ） CBO

45

60

120

V

（ BR ） EBO

I

CBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

5

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

发射基截止电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

I

EBO

h

FE

-

直流电流增益

1)

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 1 A,

V

CE

= 2 V BDP948 ， BDP950

BDP954

I

C

= 1 A,

V

CE

= 2 V

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 2 A,

I

B

= 0.2 A

V

CESAT

V

BESAT

-

基极发射极饱和电压

1)

I

C

= 2 A,

I

B

= 0.2 A

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 100兆赫

1

脉冲

f

T

C

cb

-

100

40

-

兆赫

pF

测试：吨< 300μS ; < 2 ％

3

2008-10-10

BDP948 ， BDP950 ， BDP954

直流电流增益

h

FE

=

(I

C

)

V

CE

= 2 V

10

3

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

(V

CESAT

),

h

FE

= 10

10

4

mA

-

10

3

h

FE

I

C

10

2

10

2

100°C

25°C

-50°C

100 °C

25 °C

-50 °C

10

1

10

1 0

10

1

10

2

10

3

mA

10

4

10

0

0.1

0.2

0.3

0.4

V

0.6

I

C

V

CESAT

基射极饱和电压

I

C

= (V

BESAT

),

h

FE

= 10

10

4

mA

集电极电流

I

C

=

(V

BE

)

V

CE

= 2 V

10

4

mA

10

3

10

3

10

2

-50°C

25°C

100°C

-50°C

25°C

100°C

10

2

I

C

10

1

I

C

10

1

10

0

10

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

V

1.3

0.2

0.4

0.6

0.8

1

V

1.3

V

BESAT

V

BE

4

2008-10-10

BDP948 ， BDP950 ， BDP954

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

(T

A

)

V

CB

= 45 V

10

5

nA

10

4

集电极 - 基极电容

C

cb

=

(V

CB

)

发射极 - 基极电容

C

eb

=

(V

EB

)

425

pF

350

C

CB

(C

EB

)

I

CB0

10

3

最大

300

250

200

150

CEB

10

2

10

1

典型值

100

10

0

50

建行

10

-1

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

0

4

8

12

16

V

22

T

A

V

CB

(V

EB

)

总功耗

P

合计

=

(T

S

)

允许的脉冲负载

R

thjs

=

(t

p

)

5.5

W

10

2

4.5

4

R

thjs

P

合计

10

1

3.5

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

10

0

D = 0,5

0,2

0,1

0,05

0,02

0,01

0,005

0

10

-1 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

t

s

tp

5

2008-10-10

BDP948 ， BDP950

PNP硅自动对焦功率晶体管

用于AF的驱动级和输出级

高集电极电流

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

互补类型： BDP947 ， BDP949 （NPN）

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

1

4

3

2

1

VPS05163

TYPE

BDP948

BDP950

最大额定值

参数

记号

BDP 948

BDP 950

1=B

引脚配置

2=C

3=E

4=C

包

SOT223

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

BDP948

45

5

3

5

200

500

3

150

BDP950

60

5

单位

V

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗

,

T

S

= 99 °C

结温

储存温度

热阻

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

A

mA

W

°C

-65 ... 150

结 - 焊接点

1)

R

thjs

17

K / W

Jul-06-2001

BDP948 ， BDP950

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100 A,

I

B

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益1 ）

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 1 A,

V

CE

= 2 V

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 2 A,

I

B

= 0.2 A

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 2 A,

I

B

= 0.2 A

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

C

cb

-

40

-

f

T

-

100

-

V

BESAT

-

1.3

V

CESAT

h

FE

25

85

50

-

475

-

0.5

I

EBO

-

100

I

CBO

-

20

I

CBO

-

100

BDP948

BDP950

V

（ BR ） EBO

BDP948

BDP950

V

（ BR ） CBO

45

60

5

V

（ BR ） CEO

45

60

-

典型值。

马克斯。

单位

V

-

nA

A

nA

-

V

兆赫

pF

1 ）脉冲测试：吨

≤=

300

S，D = 2 ％

2

Jul-06-2001

BDP948 ， BDP950

总功耗

P

合计

=

f

(T

S

)

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

3.2

W

10

3

K / W

10

2

2.4

P

合计

2

R

thjs

10

1

1.6

10

1.2

0

0.8

10

-1

0.4

10

-2 -6

10

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

T

S

t

p

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 2V

10

3

P

totmax

/ P

totDC

-

100°C

25°C

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

1

h

FE

10

2

10

2

-50°C

10

1

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

10

0 0

10

1

10

2

10

3

mA

10

4

t

p

I

C

3

Jul-06-2001

BDP948 ， BDP950

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

f

(T

A

)

V

CB

= 45V

10

5

nA

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(V

CESAT

),

h

FE

= 10

10

4

mA

10

4

10

3

I

CBO

10

3

I

C

最大

10

2

10

2

100°C

25°C

-50°C

10

1

典型值

10

1

10

0

10

-1

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

10

0

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

V

0.6

T

A

V

CESAT

基射极饱和电压

I

C

=

f

(V

BESAT

),

h

FE

= 10

10

4

mA

集电极电流

I

C

=

f

(V

BE

)

V

CE

= 2V

10

4

mA

10

3

10

3

10

2

-50°C

25°C

100°C

-50°C

25°C

100°C

10

2

I

C

10

1

I

C

10

1

10

0

0.0

10

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

1.3

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

1.3

V

BESAT

V

BE

4

Jul-06-2001

BDP 948

PNP硅自动对焦功率晶体管

对于自动对焦驱动器和输出级

高集电极电流

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

互补类型： BDP947 ， BDP949 （ NPN ）

TYPE

BDP 948

BDP 950

订购代码标识

BDP 948 Q62702 - D1336

BDP 950 Q62702 - D1338

引脚配置

1=B

2=C

3=E

4=C

包

SOT-223

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

BDP 948

BDP 950

集电极 - 基极电压

BDP 948

BDP 950

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 99°C

结温

储存温度

热阻

交界处的环境

1)

符号

值

45

60

单位

V

首席执行官

V

CBO

45

60

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

R

thJA

R

thjs

5

3

5

200

500

3

150

- 65 ... + 150

≤

42

≤

17

W

°C

mA

A

K / W

结 - 焊接点

1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 6厘米

2

Cu

半导体集团

1

Nov-28-1996

BDP 948

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CEO

V

45

60

-

100

20

100

-

25

85

50

-

475

-

V

-

0.5

1.3

nA

A

nA

-

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0 mA时， BDP 948

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0 mA时， BDP 950

集电极 - 基极击穿电压

V

（ BR ） CBO

I

C

= 100 A,

I

B

= 0 ， BDP 948

I

C

= 100 A,

I

B

= 0 ， BDP 950

基极 - 发射极击穿电压

45

60

V

（ BR ） EBO

5

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

-

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 25 °C

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

发射Cuto FF电流

I

EBO

h

FE

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 1 A,

V

CE

= 2 V

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

V

CESAT

V

BESAT

-

I

C

= 2 A,

I

B

= 0.2 A

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 2 A,

I

B

= 0.2 A

AC特性

跃迁频率

f

T

-

100

40

-

兆赫

pF

-

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

C

cb

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％

半导体集团

2

Nov-28-1996

BDP 948

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;T

S

)

*包装安装在环氧

允许的脉冲负载

R

thjs

=

F（T

p

)

3.2

10

3

K / W

W

T

S

T

A

R

thjs

10

2

P

合计

2.4

2.0

10

1

1.6

10

0

1.2

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

0.8

10

-1

0.4

0.0

0

20

40

60

80

100

120 °C 150

T

A

,T

S

10

-2

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

s 10

t

p

-1

0

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

F（T

p

)

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 2V

10

3

10

3

-

100°C

25°C

P

totmax

/P

totDC

10

2

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

h

FE

10

2

-50°C

10

1

10

1

10

0

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

s 10

t

p

-1

0

10

0

10

1

10

2

10

3

mA

I

C

半导体集团

3

Nov-28-1996

BDP 948

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

f

(T

A

)

V

CB

= 45V

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= F（V

CESAT

),

h

FE

= 10

10

5

nA

10

4

mA

10

4

I

CBO

10

3

最大

10

2

I

C

10

3

100°C

25°C

-50°C

10

2

10

1

典型值

10

1

10

0

10

-1

0

20

40

60

80

100

120 °C 150

T

A

10

0

0.0

0.1

0.2

0.3

V

0.5

V

CESAT

基射极饱和电压

I

C

= F（V

BESAT

),

h

FE

= 10

集电极电流

I

C

=

f

(V

BE

)

V

CE

= 2V

10

4

10

4

mA

I

C

10

3

-50°C

25°C

100°C

10

2

I

C

10

3

10

2

-50°C

25°C

100°C

10

1

10

1

10

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

1.3

V

BESAT

10

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

1.3

V

BE

半导体集团

4

Nov-28-1996