BLC6G20-75 ; BLC6G20LS -75
UHF功率LDMOS晶体管
牧师01 - 二零零六年一月三十日
目标数据表
1.产品廓
1.1概述
对于基站应用的频率从75瓦LDMOS功率晶体管
1800 MHz至2000 MHz的。
表1：
典型性能
射频性能在T
例
= 25
°
下在一个共同的来源AB类生产测试电路。
操作模式
CW
GSM EDGE
f
（兆赫）
1930年至一九九零年
1930年至一九九零年
V
DS
P
L（ AV）在
(V)
28
28
(W)
63
29.5
G
p
（ dB）的
19
19
η
D
(%)
52
ACPR
400
ACPR
600
EVM
RMS
（ DBC）
-
（ DBC）
-
72
(%)
-
1.5
38.5
62.5
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
1.2产品特点
s
典型的GSM EDGE性能， 1930 MHz和1990 MHz时，电源频率
28 V和I电压
Dq
：550毫安
x
输出功率= 29.5 W（ AV）
x
增益= 19分贝
x
EF网络效率= 38.5 ％
x
ACPR
400
=
62.5
dBc的
x
ACPR
600
=
72
dBc的
x
EVM
RMS
= 1.5 %
s
简单的电源控制
s
集成ESD保护
s
出色的耐用性
s
高英法fi效率
s
优良的热稳定性
s
专为宽带运营（ 1800 MHz至2000 MHz的）
s
内部匹配的易用性
飞利浦半导体
BLC6G20-75 ; BLC6G20LS -75
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1.3应用
s
RF功率放大器器用于GSM ， GSM EDGE ， W-CDMA和CDMA基站和
多载波应用在1800 MHz至2000 MHz的频率范围内。
2.管脚信息
表2：
针
1
2
3
钉扎
描述
漏
门
来源
[1]
简化的轮廓
符号
BLC6G20-75 （ SOT895-1 ）
1
3
2
2
3
sym112
1
BLC6G20LS -75 （ SOT896-1 ）
1
2
3
漏
门
来源
[1]
1
3
2
2
1
3
sym112
[1]
连接法兰FL
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
BLC6G20-75
BLC6G20LS-75
-
-
描述
塑料FL anged腔封装; 2安装槽; 2引线
塑料无耳FL anged腔封装; 2引线
VERSION
SOT895-1
SOT896-1
类型编号
4.极限值
表4：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
储存温度
结温
条件
民
-
0.5
-
65
-
最大
65
+13
+150
225
单位
V
V
°C
°C
<tbd>
A
BLC6G20-75_6G20LS-75_1
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5.热特性
表5：
符号
R
号（j -情况下）
热特性
参数
热阻
从结点到外壳
条件
TYPE
民
典型值
最大
单位
T
例
= 80
°C;
BLC6G20-75
P
L
= 75 W
BLC6G20LS-75
<tbd> <tbd> <tbd>
K / W
<tbd> <tbd> <tbd>
K / W
6.特性
表6：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号参数
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
V
GSQ
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
C
rs
门源阈值电压
栅源电压静态
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
漏极 - 源极导通状态
阻力
反馈电容
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
- 0.5毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 100毫安
V
DS
= 28 V ;我
D
= 550毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 13 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 5 A
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 3.5 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V;
F = 1 MHz的
民
65
典型值
-
最大
-
单位
V
<tbd>
2
-
15.5
-
-
-
-
-
18
-
7
0.15
1.6
<tbd>
V
3
-
300
-
A
A
nA
S
<tbd> <tbd> <tbd>
V
0.185
-
pF
7.应用信息
表7：
应用信息
经营模式： GSM EDGE ; F = 1930 MHz和1990 MHz的;射频性能在V
DS
= 28 V;
I
Dq
= 550毫安;牛逼
例
= 25
°
℃;除非另有规定ED ;在AB类生产测试电路
符号
P
L（ AV）在
G
p
IRL
η
D
参数
平均输出功率
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
P
L（ AV）在
= 29.5 W
P
L（ AV）在
= 29.5 W
P
L（ AV）在
= 29.5 W
条件
民
-
-
-
-
-
-
典型值
29.5
10
最大
-
20
7
-
70
2.3
8
单位
W
dB
dB
%
dBc的
dBc的
%
%
17.5 19
36.5 38.5
72
1.5
4.8
ACPR
400
相邻信道功率比（ 400千赫） P
L（ AV）在
= 29.5 W
ACPR
600
相邻信道功率比（ 600千赫） P
L（ AV）在
= 29.5 W
EVM
RMS
EVM
M
RMS EDGE信号失真错误
峰值EDGE信号失真错误
P
L（ AV）在
= 29.5 W
P
L（ AV）在
= 29.5 W
62.2 60
7.1耐用的AB类操作
该BLC6G20-75和BLC6G20LS -75能够承受的负荷不匹配
通过在下列条件下的所有阶段1：对应于驻波比= 10 ：
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 550毫安; P
L
= 75瓦（CW） ; F = 1990兆赫。
BLC6G20-75_6G20LS-75_1
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8封装外形
塑料FL anged腔封装; 2安装槽; 2引线
SOT895-1
D
F
A
D
1
U
1
q
B
C
c
1
L
w1
M
A
M
B
M
H
U
2
3
p
E
1
E
A
2
b
w2
M
C
M
Q
0
5
规模
10 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
英寸
A
4.1
3.3
b
12.83
12.57
c
0.17
0.14
D
19.9
19.7
D
1
20.42
20.12
E
9.53
9.27
E
1
9.78
9.53
F
1.14
0.89
H
19.94
18.92
L
5.3
4.5
p
3.38
3.12
Q
1.75
1.50
q
27.94
U
1
34.16
33.91
U
2
9.91
9.65
w
1
0.25
0.01
w
2
0.6
0.023
1.345 0.390
0.161 0.505 0.0065 0.785 0.804 0.375 0.385 0.045 0.785 0.209 0.133 0.069
1.100
1.335 0.380
0.130 0.495 0.0055 0.775 0.792 0.365 0.375 0.035 0.745 0.177 0.123 0.059
参考文献：
IEC
JEDEC
JEITA
欧洲
投影
概要
VERSION
SOT895-1
发行日期
05-06-22
05-06-28
图1.封装外形SOT895-1
BLC6G20-75_6G20LS-75_1
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塑料无耳FL anged腔封装; 2引线
SOT896-1
D
F
A
3
D
1
D
U
1
1
L
c
H
U
2
E
1
E
2
b
w2
M
D
M
Q
0
5
规模
10 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
英寸
A
4.1
3.3
b
12.83
12.57
c
0.17
0.14
D
19.9
19.7
D
1
20.42
20.12
E
9.53
9.27
E
1
9.78
9.53
F
1.14
0.89
H
19.94
18.92
L
5.3
4.5
Q
1.75
1.50
U
1
20.70
20.45
U
2
9.91
9.65
w
2
0.6
0.161 0.505 0.0065 0.785 0.804 0.375 0.385 0.045 0.785 0.209 0.069 0.815 0.390
0.023
0.130 0.495 0.0055 0.775 0.792 0.365 0.375 0.035 0.745 0.177 0.059 0.805 0.380
参考文献：
IEC
JEDEC
JEITA
欧洲
投影
概要
VERSION
SOT896-1
发行日期
05-06-22
05-06-28
图2.包装外形SOT896-1
BLC6G20-75_6G20LS-75_1
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