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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BD751B/751C
描述
·
集电极 - 发射极电压 - 可持续
: V
CEO （ SUS ）
= 100V （最小） - BD751B
= 130V （最小） - BD751C
高
功耗
.Complement
到类型BD750B / 750C
应用
·设计
用于高电压和高功率放大器
应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
参数
BD751B
V
CEV
集电极 - 发射极电压
BD751C
BD751B
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压
BD751C
V
EBO
I
C
I
B
B
价值
110
单位
V
140
100
V
130
7
20
5
250
200
-65~200
V
A
A
W
℃
℃
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流连续
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
0.875
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BD751B
I
C
= 100毫安;我
B
=0
BD751C
BD751B
BD751C
BD751B
BD751C
BD751B
BD751C
I
EBO
发射Cuto FF电流
BD751B
h
FE
直流电流增益
BD751C
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 5A ; V
CE
= 2V
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
I
C
= 7.5A ;我
B
= 0.75A
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
BD751B/751C
条件
民
100
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
130
1.5
V
1.0
1.8
V
1.8
0.5
mA
0.5
1.0
15
25
4
60
100
兆赫
mA
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极
饱和电压
V
BE
（SAT）
基射
饱和电压
I
C
= 7.5A ;我
B
= 0.75A
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
I
CEV
集热器
截止目前
V
CEV
= 110V;V
BE
（关闭）
= 1.5V
V
CEV
= 140V;V
BE
（关闭）
= 1.5V
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 7.5A ; V
CE
= 2V
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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