超低功耗/高速CMOS SRAM
1M ×8位
绿色包装材料，符合RoHS
BH62UV8001
n
特点
宽V
CC
低工作电压： 1.65V 3.6V
超低功耗：
V
CC
= 3.6V
工作电流： 12毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 2.5uA （典型值） ，在3.0V / 25
O
C
V
CC
= 1.2V
数据保持电流： 1.2uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=1.65~3.6V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作，没有时钟，没有刷新
数据保持电源电压低至1.0V
n
描述
该BH62UV8001是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 1048576
并在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，与典型工作电流
1.5毫安在1MHz为3.6V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
1.65V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BH62UV8001具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BH62UV8001是DICE的形式和48球BGA可用
封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BH62UV8001DI
BH62UV8001AI
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=1.8V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
1MHz
V
CC
=3.6V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
骰子
15uA
12uA
2mA
6mA
12mA
1.5mA
5mA
8mA
BGA-48-0608
n
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
DQ0
VSS
VCC
DQ3
NC
A18
2
OE
NC
NC
DQ1
DQ2
NC
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
NC
DQ5
DQ6
NC
WE
A11
6
CE2
NC
DQ4
VCC
VSS
DQ7
NC
A19
n
框图
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 8192
8192
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
1024
列解码器
10
控制
地址输入缓冲器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
8
数据
产量
卜FF器
CE1
CE2
WE
OE
V
CC
GND
A19 A18 A17 A15 A14 A13 A16 A2 A1 A0
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH62UV8001
1
修订版1.1
五月
2006
BH62UV8001
n
引脚说明
名字
A0 - A19地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
功能
这20个地址输入选择在RAM中的1,048,576 ×8位之一
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
我们写使能输入
OE输出使能输入
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
I / O操作
高Z
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
X
H
L
X
高Z
D
OUT
D
IN
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
到4.6V
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
产业
环境
温度
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
1.65V ~ 3.6V
C
C
O
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
W
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
mA
C
IN
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒
R0201-BH62UV8001
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
2
修订版1.1
五月
2006
BH62UV8001
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
参数
电源
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
待机电流
–
CMOS
V
IN
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
O
O
测试条件
分钟。
1.65
-0.3
(2)
1.4
2.2
--
--
--
V
CC
-0.2
2.4
--
--
--
--
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
6
8
1.0
1.5
--
2.0
2.5
(5)
马克斯。
3.6
0.4
0.6
V
CC
+0.3
(3)
1
1
0.2
0.4
--
8
12
1.5
2.0
0.5
1.0
12
15
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
mA
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. V
CC
=3.0V
O
O
n
数据保持特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=1.2V
分钟。
1.0
--
0
典型值。
(1)
--
1.2
--
--
马克斯。
--
7.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
t
CDR
t
R
见保留波形
t
RC （2）
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2. t
RC
=读周期时间。
n
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ） （ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≧1.0V
V
CC
V
IH
V
CC
V
CC
t
CDR
CE1≧V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE1
R0201-BH62UV8001
3
修订版1.1
五月
2006
BH62UV8001
n
开关波形（读周期）
读周期1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
(1,3,4)
t
AA
t
OH
读周期2
CE1
t
ACS1
CE2
t
CLZ
D
OUT
(5)
t
ACS2
t
CHZ1
, t
CHZ2
(5)
读周期3
(1, 4)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE1
t
CLZ1
CE2
t
CLZ2
D
OUT
(5)
t
OH
t
OLZ
t
ACS1
t
OHZ
t
CHZ1
(5)
(1,5)
t
ACS2
(5)
t
CHZ2
(2,5)
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BH62UV8001
5
修订版1.1
五月
2006
QQ：2881677436 复制
