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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D122

BAS11 ; BAS12

控制雪崩整流器

产品speci fi cation

取代1996年4月数据

1996年09月26日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

控制雪崩整流器器

特点

玻璃钝化

较高的最大工作

温度

低漏电流

卓越的稳定性

提供弹药包。

k

a

BAS11 ; BAS12

这些包都是密封

密封，无疲劳作为系数

扩展使用的所有部件都

匹配。

描述

整流二极管腔免费

圆柱SOD91玻璃封装，

结合Implotec

(1)

技术。

（1） Implotec是飞利浦公司的商标。

MAM196

标识代码BAS11 ：

S11.

标识代码BAS12 ：

S12.

Fig.1简化外形（ SOD91 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

RRM

BAS11

BAS12

V

RWM

反向工作电压

BAS11

BAS12

V

R

连续反向电压

BAS11

BAS12

I

F（ AV ）

平均正向电流

平均超过任何20毫秒的时间;

T

tp

= 75

°C;

导线长度= 10毫米;

参见图2和图4

平均超过任何20毫秒的时间;

T

AMB

= 30

°C;

PCB安装

（见图8） ;参见图3和图4

I

FSM

非重复峰值正向电流

T = 10 ms半正弦波;

T

j

= T

j max的情况

前激增;

V

R

= V

RRMmax

t = 10

s

方波; F = 50赫兹;

T

AMB

= 25

°C

300

400

350

V

V

mA

300

400

V

V

参数

反向重复峰值电压

300

400

V

V

条件

分钟。

马克斯。

单位

300

mA

4

A

P

RRM

T

英镑

T

j

反向重复峰值功率

耗散

储存温度

结温

65

65

75

+150

+150

W

°C

°C

1996年09月26日

2

不建议用于新设计

飞利浦半导体

产品speci fi cation

控制雪崩整流器器

电气特性

T

j

= 25

°C;

除非另有规定ED 。

符号

V

F

V

（ BR ）R

参数

正向电压

反向雪崩

击穿电压

BAS11

BAS12

I

R

t

rr

反向电流

反向恢复时间

V

R

= V

RRMmax

;见图6

V

R

= V

RRMmax

; T

j

= 125

°C;

见图6

从我开机时，

F

= 0.5 A至

I

R

= 1 ;在我测

R

= 0.25 A;

见图9

V

R

= 0 V ; F = 1兆赫;见图7

条件

I

F

= 300毫安;牛逼

j

= T

JMAX

;见图5

I

F

= 300毫安;见图5

I

R

- 0.1毫安

330

440

分钟。

BAS11 ; BAS12

典型值。

马克斯。

1.0

1.1

V

V

单位

250

10

1

V

V

nA

A

s

C

d

二极管电容

20

pF

热特性

符号

R

日J- TP

R

日J-一

记

1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板， 1.5mm厚;铜的厚度

≥40 m,

参见图8 。

欲了解更多信息，请参阅

“总则相关手册” 。

参数

从结热阻，以配合点

从结点到环境的热阻

注1

条件

导线长度= 10毫米

价值

180

340

单位

K / W

K / W

1996年09月26日

3

不建议用于新设计

飞利浦半导体

产品speci fi cation

控制雪崩整流器器

图形数据

MGD293

BAS11 ; BAS12

手册， halfpage

0.6

手册， halfpage

0.4

MGD295

IF （ AV ）

(A)

IF （ AV ）

(A)

0.3

0.4

0.2

0.2

0.1

0

0

40

80

120

铅长度为10毫米。

A = 1.57 ; V

R

= V

RRMmax

;

δ

= 0.5.

200

160

o

C)

TTP （

0

0

40

80

120

设备安装，如图8所示。

A = 1.57 ; V

R

= V

RRMmax

;

δ

= 0.5.

200

160

TAMB （ ° C）

Fig.2

最大允许正向平均

截止扎点的函数

温度（包括因损失

反向漏电流）。

Fig.3

最大允许正向平均

电流作为环境的函数

温度（包括因损失

反向漏电流）。

MGD292

MGD294

手册， halfpage

0.5

手册， halfpage

5

P

(W)

0.4

a=3

2.5 2 1.57

1.42

IF

(A)

4

0.3

3

0.2

2

0.1

1

0

0

0.1

0.2

0.3

0.4

IF （ AV ）（A ）

0

0

1

2

VF （ V）

3

一个=我

F（ RMS ）

/I

F（ AV ）

; V

R

= V

RRMmax

;

δ

= 0.5.

Fig.4

最大稳态功耗

（正向加漏电流损耗，

除开关损耗），为的函数

平均正向电流。

实线：T已

j

= 25

°C.

虚线：T已

j

= 150

°C.

Fig.5

正向电流为正向功能

电压;最大值。

1996年09月26日

4

不建议用于新设计

飞利浦半导体

产品speci fi cation

控制雪崩整流器器

BAS11 ; BAS12

10

2

手册， halfpage

IR

(A)

MGD297

手册， halfpage

10

MGD296 - 1

Cd

（PF ）

10

1

10

1

0

50

100

150

TJ （

o

C)

200

1

10

1

1

10

10

2

VR （ V）

10

3

V

R

= V

RRMmax

.

F = 1兆赫;牛逼

j

= 25

°C.

Fig.6

反向电流交界处的函数

温度;最大值。

Fig.7

二极管电容反向的函数

电压;典型值。

手册， halfpage

50

25

7

50

2

3

MGA200

尺寸（mm）。

图8的设备安装在一个印刷电路板。

1996年09月26日

5

不建议用于新设计

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