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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第501页 > BH616UV8011TIG55
超低功耗/高速CMOS SRAM
512K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BH616UV8011
特点
宽V
CC
低工作电压: 1.65V 3.6V
超低功耗:
工作电流: 12毫安为55ns (最大)
V
CC
= 3.6V
2毫安(最大) ,以1MHz
O
待机电流: 15uA (最大) ,在3.0V / 85℃
O
数据保持电流: 7UA (最大)在85℃
V
CC
= 1.2V
高速存取时间:
-55/-70
55ns (最大)在V
CC
=3V
70ns的(最大)在V
CC
=1.8V
自动断电,当芯片被取消
易于扩展与CE1 , CE2和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作,没有时钟,没有刷新
数据保持电源电压低至1.0V
描述
该BH616UV8011是一款高性能,超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为524,288和
在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与最大待机电流高速度和低功耗的特点,
O
的55ns / 70ns的在15uA的3.6V在85℃和最大访问时间
3V/1.8V .
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
( CE1 ) ,高电平有效芯片使能( CE2 )和低电平有效输出
启用( OE )和三态输出驱动器。
该BH616UV8011具有自动断电功能,降低
功耗显著当芯片被取消。
该BH616UV8011可在DICE的形式, JEDEC标准
48针TSOP -I和48球BGA封装。
耗电量
功耗
产品
家庭
BH616UV8011DI
BH616UV8011AI
BH616UV8011TI
产业
O
O
-40°C至+ 85°C
15uA
12uA
2mA
6mA
12mA
1.5mA
5mA
8mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
,最大值)
操作
(I
CC
,最大值)
PKG型
V
CC
=1.8V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
1MHz
V
CC
=3.6V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
BGA-48-0608
TSOP I- 48
销刀豆网络gurations
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
CE2
NC
UB
LB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
VSS
CE1
A0
框图
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
BH616UV8011TI
1024 x 8192
8192
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
CE2
CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
.
.
.
.
.
.
16
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
512
列解码器
9
地址输入缓冲器
控制
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ8
DQ9
VSS
VCC
DQ14
DQ15
A18
2
OE
UB
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
DQ1
DQ3
DQ4
DQ5
WE
A11
6
CE2
DQ0
DQ2
VCC
VSS
DQ6
DQ7
NC
A18 A17 A15 A14 A13 A16 A2 A1 A0
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格,恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH616UV8011
1
调整
1.2
十月
2008
BH616UV8011
引脚说明
名字
A0 - A18地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288 ×16位之一
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的,该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择,当WE为高电平和OE为低电平时,输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平,在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态,该芯片是
选择并允许写入的是不活动的,数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态,当OE是无效的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
16双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
真值表
模式
芯片取消选择
(断电)
CE1
H
X
X
CE2
X
L
X
H
H
WE
X
X
X
H
H
OE
X
X
X
H
H
LB
X
X
H
L
X
L
UB
X
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
DQ0 DQ7 DQ8 DQ15 V
CC
当前
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
L
L
H
H
L
H
L
L
L
H
L
X
H
L
注: H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心(必须是V
IH
或V
IL
状态)
R0201-BH616UV8011
2
调整
1.2
十月
2008
BH616UV8011
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
RANG
产业
环境
温度
-40 ℃至+ 85℃
O
O
V
CC
1.65V ~ 3.6V
到4.6V
-40到+125
-60到+150
1.0
20
C
C
O
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C,F = 1.0MHz的)
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
W
mA
C
IN
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间会影响其可靠性。
2. -2.0V的情况下, AC脉冲宽度小于30 ns的
C
IO
1.此参数是保证,而不是100 %测试。
DC电气特性(T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
参数
电源
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
测试条件
分钟。
1.65
(2)
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.4
0.6
V
CC
+0.3
(3)
单位
V
输入低电压
-0.3
--
V
输入高电压
V
IN
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
V
I / O
= 0V至V
CC
,
输出漏电流
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
1.4
2.2
--
--
V
输入漏电流
--
1
uA
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
or
UB = LB = V
IH
V
CC
=最大,我
OL
= 0.2毫安
V
CC
=最大,我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小,我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小,我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安中,f = F
最大
(4)
--
--
1
0.2
0.4
--
8
12
1.5
2.0
0.5
1.0
12
15
uA
输出低电压
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
--
V
CC
-0.2
2.4
--
--
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流 - TTL
--
6
8
1.0
1.5
--
2.0
2.5
(5)
V
mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安, F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
--
mA
--
mA
待机电流 - CMOS
O
--
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ,而不是100 %测试。
2.冲: -1.0V的情况下,脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲: V
CC
+ 1.0V的情况下,脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. V
CC
=3.0V
R0201-BH616UV8011
3
调整
1.2
十月
2008
BH616UV8011
数据保持特性(T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
O
测试条件
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=1.2V
分钟。
1.0
--
0
典型值。
(1)
--
1.2
--
马克斯。
--
7.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
t
RC
(2)
--
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ,而不是100 %测试。
2. t
RC
=读周期时间。
低V
CC
数据保存波形图( 1 ) ( CE1控制)
数据保持方式
V
CC
V
CC
V
DR
≧1.0V
V
CC
t
CDR
V
IH
CE1≧V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图( 2 ) ( CE2控制)
数据保持方式
V
CC
V
CC
V
DR
≧1.0V
V
CC
t
CDR
CE2≦0.2V
t
R
CE2
V
IL
V
IL
AC测试条件
(测试负载和输入/输出参考)
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
参考电平
t
CLZ1
, t
CLZ2
, t
BE
, t
OLZ
, t
CHZ1
,
t
CHZ2
, t
BDO
, t
OHZ
, t
WHZ
, t
OW
输出负载
OTHERS
V
CC
/ 0V
1V/ns
0.5Vcc
C
L
= 5pF的+ 1TTL
C
L
= 30pF的+ 1TTL
所有的输入脉冲
1 TTL
产量
C
(1)
L
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从“H”变为“L”
可能改变
从“ L”变为“ H”时
不在乎
任何改变
许可
申请
输出
必须是
稳定
将改变
从“H”变为“L”
将改变
从“ L”变为“ H”时
变化:
州UNKNOW
中心线
高Inpedance
“关”状态
V
CC
GND
10%
90%
90%
10%
→ ←
上升时间:
1V/ns
→ ←
下降时间:
1V/ns
1.包括夹具和范围电容。
R0201-BH616UV8011
4
调整
1.2
十月
2008
BH616UV8011
AC电气特性(T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
读周期
JEDEC
PARANETER
参数
名字
名字
周期时间: 55ns
(Vcc=3.0V)
分钟。
55
--
(CE1)
(CE2)
( LB , UB )
--
--
--
--
(CE1)
(CE2)
( LB , UB )
10
10
10
5
(CE1)
(CE2)
--
--
--
--
10
典型值。
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
--
55
55
55
55
30
--
--
--
--
25
25
25
25
--
周期:为70ns
(Vcc=1.8V)
分钟。
70
--
--
--
--
--
10
10
10
5
--
--
--
--
10
典型值。
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
--
70
70
70
70
35
--
--
--
--
30
30
30
30
--
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出低Z
芯片选择到输出高Z
芯片选择到输出高Z
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQX
t
E1LQV
t
E2LQV
t
BLQV
t
GLQV
t
E1LQX
t
E2LQX
t
BLQX
t
GLQX
t
E1HQZ
t
E2HQZ
t
BHQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
BA
t
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
t
BE
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ2
t
BDO
t
OHZ
t
OH
数据字节控制到输出高Z( LB , UB )
输出使能到输出高Z
从地址变化数据保持
开关波形(读周期)
读周期1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
R0201-BH616UV8011
5
调整
1.2
十月
2008
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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