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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第501页 > BC847BLT1G
BC846ALT1G系列
通用
晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
VDC
80
50
30
VDC
6.0
6.0
5.0
100
MADC
单位
VDC
3
1
2
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值
人体模型： >4000 V
ESD额定值
机器型号： >400 V
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
集电极 - 基极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
发射极 - 基极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
集电极电流
连续
V
CBO
SOT23
CASE 318
类型6
V
EBO
标记图
I
C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
XX M
G
G
1
XX =器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
单位
mW
1.8
R
qJA
P
D
556
300
毫瓦/°C的
° C / W
mW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第12页上。
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
to
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年10月
启示录10
1
出版订单号：
BC846ALT1/D
BC846ALT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10 mA）的
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集热器
：辐射源
击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC847A ， B，C BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B ，
BC849B ， BC850B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
15
5.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
I
CBO
nA
mA
集热器
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BASE
：辐射源
电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
4.0
兆赫
pF
dB
http://onsemi.com
2
BC846ALT1G系列
BC846A ， BC847A ， BC848A
300
150°C
0.18
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
V
CE
= 1 V
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
55°C
25°C
I
C
/I
B
= 20
150°C
h
FE
，直流电流增益
200
25°C
100
55°C
0
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1. DC电流增益与集电极
当前
55°C
25°C
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.0
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
150°C
I
C
/I
B
= 20
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图2.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= 5 V
55°C
25°C
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3.基射极饱和电压与
集电极电流
图4.基极发射极电压与集电极
当前
http://onsemi.com
3
BC846ALT1G系列
BC846A ， BC847A ， BC848A
2.0
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
0.8
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图5.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
图6.基射极温度系数
3.0
C
ob
2.0
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
20
V
R
，反向电压（伏）
40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图7的电容
图8.电流增益
带宽积
http://onsemi.com
4
BC846ALT1G系列
BC846B
600
500
400
300
200
100
0
55°C
150°C
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
V
CE
= 1 V
0.30
I
C
/I
B
= 20
0.25
0.20
25°C
0.15
0.10
55°C
0.05
0
150°C
h
FE
，直流电流增益
25°C
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图9.直流电流增益与集电极
当前
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.1
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
/I
B
= 20
55°C
25°C
150°C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图10.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= 5 V
55°C
25°C
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图11.基极发射极饱和电压与
集电极电流
图12.基极发射极电压与集电极
当前
http://onsemi.com
5
BC846ALT1G系列，
SBC846ALT1G系列
通用
晶体管
NPN硅
特点
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值
人体模型： >4000 V
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
ESD额定值
机器型号： >400 V
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
S前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC846 ， SBC846
BC847 ， BC850 ， SBC847
BC848 ， BC849 ， SBC848
集电极 - 基极电压
BC846 ， SBC846
BC847 ， BC850 ， SBC847
BC848 ， BC849 ， SBC848
发射极 - 基极电压
BC846 ， SBC846
BC847 ， BC850 ， SBC847
BC848 ， BC849 ， SBC848
集电极电流
连续
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
VDC
80
50
30
VDC
6.0
6.0
5.0
100
MADC
单位
VDC
3
1
2
V
CBO
SOT23
CASE 318
类型6
标记图
V
EBO
XX M
G
G
1
XX
M
G
=器件代码
=日期代码*
= Pb-Free包装
I
C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
单位
mW
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
1.8
R
qJA
P
D
556
300
毫瓦/°C的
° C / W
mW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第12页上。
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
to
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年11月
启示录11
1
出版订单号：
BC846ALT1/D
BC846ALT1G系列， SBC846ALT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压BC846A ， B， SBC846A ，B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C ， SBC847C
(I
C
= 10 mA）的
BC848A ， B，C ， BC849B ，C ， SBC848B
集热器
：辐射源
击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC847A ， B，C BC850B ，C ， SBC847C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C ， SBC848B
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
基本特征
直流电流增益
BC846A ， BC847A ， BC848A ， SBC846A
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V ） BC846B ， BC847B ， BC848B ， SBC846B ， SBC848B
BC847C ， BC848C ， SBC847C
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V ） BC846A ， BC847A ， BC848A ， SBC846A ， SBC846A
BC846B ， BC847B ， BC848B ，
BC849B ， BC850B ， SBC846B ， SBC848B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C ， SBC847C
集热器
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BASE
：辐射源
电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
SBC846A ， B， SBC847C ， SBC848B
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
10
4.0
100
4.5
兆赫
pF
dB
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
BC846A ， B， SBC846A ，B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C ， SBC847C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C ， SBC848B
BC846A ， B， SBC846A ，B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C ， SBC847C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C ， SBC848B
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
15
5.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
I
CBO
nA
mA
http://onsemi.com
2
BC846ALT1G系列， SBC846ALT1G系列
BC846A ， BC847A ， BC848A ， SBC846A
300
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
150°C
h
FE
，直流电流增益
V
CE
= 1 V
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
55°C
25°C
I
C
/I
B
= 20
150°C
200
25°C
100
55°C
0
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1. DC电流增益与集电极
当前
55°C
25°C
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.0
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
150°C
I
C
/I
B
= 20
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图2.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= 5 V
55°C
25°C
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3.基射极饱和电压与
集电极电流
图4.基极发射极电压与集电极
当前
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3
BC846ALT1G系列， SBC846ALT1G系列
BC846A ， BC847A ， BC848A ， SBC846A
2.0
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
0.8
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图5.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
图6.基射极温度系数
3.0
C
ob
2.0
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
20
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图7的电容
图8.电流增益
带宽积
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BC846ALT1G系列， SBC846ALT1G系列
BC846B ， SBC846B
600
500
400
300
200
100
0
55°C
150°C
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
V
CE
= 1 V
0.30
I
C
/I
B
= 20
0.25
0.20
25°C
0.15
0.10
55°C
0.05
0
150°C
h
FE
，直流电流增益
25°C
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图9.直流电流增益与集电极
当前
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.1
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
/I
B
= 20
55°C
25°C
150°C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图10.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= 5 V
55°C
25°C
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图11.基极发射极饱和电压与
集电极电流
图12.基极发射极电压与集电极
当前
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