【分立半导体数据表书， halfpageM3D109BGA6589MMIC宽带中等功率扩音器产品spe】,IC型号BGA6589,BGA6589 PDF资料,BGA6589经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D109

BGA6589

MMIC宽带中等功率

扩音器

产品speci fi cation

2003年09月19

飞利浦半导体

产品speci fi cation

MMIC宽带中等功率扩增fi er

特点

宽带50

增益模块

20 dBm的输出功率

SOT89封装

单电源电压需要。

应用

宽带中功率增益模块

小信号的高线性度放大器

可变增益和高输出功率结合

在BGA2031

蜂窝， PCS和CDPD

IF / RF缓冲放大器

无线数据SONET

振荡器放大器呃，网络最终PA

司机CATV放大器。

描述

硅单片微波集成电路（ MMIC ）

宽带中功率放大器具有内部匹配

电路中的4针SOT89塑料低热阻

SMD封装。

该BGA6x89系列中功率增益模块是

电阻反馈达林顿配置放大器。

电阻反馈提供大带宽高

准确度。

快速参考数据

符号

L 1分贝

参数

直流电源电压

直流电源电流

插入功率增益

噪音科幻gure

负载功率在1 dB压缩

= 84毫安

= 9 V ;

BIAS

= 51

;

= 25

°C

F = 1.95 GHz的

F = 850 MHz的

F = 1.95 GHz的

小心

条件

标识代码：

5A.

底部视图

手册， halfpage

BGA6589

钉扎

针

RF输出/偏置

GND

在RF

描述

MGX418

Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。

典型值。

4.8

3.3

单位

DBM

此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏

和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。

2003年09月19

飞利浦半导体

产品speci fi cation

MMIC宽带中等功率扩增fi er

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）

符号

合计

英镑

记

1. T

是在销2的焊接点的温度。

热特性

符号

第j个-S

记

1. T

是在销2的焊接点的温度。

静态特性

= 25

°C;

= 9 V ;

BIAS

= 51

;

除非另有规定ED 。

符号

参数

电源电流

条件

分钟。

典型值。

参数

条件

参数

直流电压的设备

直流电源电流

总功耗

储存温度

工作结温

最大驱动功率

≤

°C;

注1

条件

RF输入交流耦合

分钟。

BGA6589

马克斯。

150

800

+150

150

单位

°C

DBM

价值

100

单位

K / W

从结热阻焊锡点T

≤

°C

注1

马克斯。

单位

2003年09月19

飞利浦半导体

产品speci fi cation

MMIC宽带中等功率扩增fi er

BGA6589

特征

= 9 V ;我

= 84毫安;牛逼

AMB

= 25

°C;

IP3

（下）

音间距= 1 MHz的; P

=每个音（见图2 ）为0 dBm ;

BIAS

= 51

;

= Z

= 50

;

除非另有规定ED 。

符号

参数

插入功率增益

F = 850 MHz的

F = 1.95 GHz的

F = 2.5 GHz的

L IN

回波损耗输入

F = 850 MHz的

F = 1.95 GHz的

F = 2.5 GHz的

L out输出

回波损耗输出

F = 850 MHz的

F = 1.95 GHz的

F = 2.5 GHz的

噪音科幻gure

F = 850 MHz的

F = 1.95 GHz的

F = 2.5 GHz的

L 1分贝

IP3

（中）

IP3

（下）

稳定系数

负载功率

输入截取点

输出截获点

F = 850 MHz的

F = 2.5 GHz的

1 dB增益压缩; F = 850 MHz的

1 dB增益压缩; F = 1.95 GHz的

F = 850 MHz的

F = 2.5 GHz的

F = 850 MHz的

F = 2.5 GHz的

条件

典型值。

3.0

3.3

3.4

1.1

单位

DBM

2003年09月19

飞利浦半导体

产品speci fi cation

MMIC宽带中等功率扩增fi er

应用信息

BGA6589

图2示出了BGA6589 MMIC的典型的应用电路。该器件内部匹配50

和

因此，不需要任何外部匹配。输入和输出直流阻断电容器C1和C2的值

依赖于工作频率;请参阅下面的表格。电容器C1和C2一起使用L1和

C3的微调的输入和输出阻抗。为了获得最佳的电源去耦，一个1

电容器（ C5），可以被添加。

外部元件应放在尽可能接近的MMIC 。当通孔使用，通过使用多个

为了每销孔，以限制接地路径诱导。电阻器R1是偏置电阻提供直流电流的稳定性与

温度。

手册，全页宽

(2)

微带

VD C2

微带

(1)

MGX419

（ 1 ）可选的电容器，以获得最佳的供应脱钩。

（ 2 ） R1的值，在工作电源电压：

= 6 V ; R1 = 15

= 9 V ; R1 = 51

= 11.5 V ; R1 = 82

图2典型应用电路。

表1

组件说明（参见图2 ）

价值在工作频率

部件

C1, C2

C5 （可选）

描述

多层瓷介片状电容器

电解电容或钽电容

贴片电感

贴片电阻0.5瓦; V

= 9 V

尺寸

0603

500

兆赫

1 nF的

68 nH的

800

兆赫

1 nF的

33 nH的

1950

兆赫

1 nF的

22 pF的

22 nH的

2400

兆赫

56 pF的

1 nF的

22 pF的

18 nH的

3500

兆赫

39 pF的

1 nF的

15 pF的

15 nH的

220 pF的100 pF的68 pF的

100 pF的68 pF的

2003年09月19

BGA6589

MMIC宽带中等功率扩增fi er

牧师02 - 2009年5月25日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

该BGA6589是硅单片微波集成电路（ MMIC）的宽带

中等功率放大器器内部匹配电路采用3引脚SOT89塑料低的热

电阻SMD封装。

该BGA6x89系列中功率增益模块是电阻反馈达林顿

CON连接gured放大器器。电阻反馈提供大带宽，精度高。

小心

该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意

在运输和装卸。

1.2产品特点

宽带50

增益模块

20 dBm的输出功率

SOT89封装

单电源电压需要

1.3应用

宽带中功率增益模块

小信号的高线性度放大器器

可变增益和高输出功率结合的BGA2031

蜂窝， PCS和CDPD

IF / RF缓冲放大器

无线数据SONET

振荡器放大器呃，网络最终PA

司机CATV放大器器

恩智浦半导体

BGA6589

MMIC宽带中等功率扩增fi er

1.4快速参考数据

表1中。

符号

L1dB

快速参考数据

参数

直流电压的设备

直流电源电流

插入功率增益

噪音科幻gure

负载功率为1 dB增益

压缩

条件

引脚1 ;我

= 81毫安

= 9 V ;

BIAS

= 51

;

= 25

°C

F = 1950 MHz的

F = 850 MHz的

F = 1950 MHz的

民

典型值

4.8

3.3

最大

单位

DBM

2.管脚信息

表2中。

针

钉扎

描述

RF_OUT / BIAS

GND

sym130

简化的轮廓

图形符号

RF_IN

3.订购信息

表3中。

订购信息

包

名字

BGA6589

SC-62

描述

塑料表面贴装封装;收藏家垫

良好的热传递; 3引线

VERSION

SOT89

类型编号

4.标记

表4 。

BGA6589

标记代码

标识代码

类型编号

BGA6589_2

产品数据表

牧师02 - 2009年5月25日

2 13

恩智浦半导体

BGA6589

MMIC宽带中等功率扩增fi er

5.极限值

表5 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

合计

英镑

[1]

参数

直流电压的设备

直流电源电流

总功耗

储存温度

结温

驱动电源

条件

引脚1 ; RF输入交流耦合

≤

°C

[1]

最小最大

150

800

+150

150

单位

°C

DBM

是在接地引线，引脚2的焊料点的温度。

6.热特性

表6 。

符号

日（J -SP ）

[1]

热特性

参数

从结热阻到焊点

条件

≤

°C

[1]

典型值

100

单位

K / W

是在接地引线，引脚2的焊料点的温度。

7.特点

表7中。

静态特性

= 9 V ;牛逼

= 25

℃;

BIAS

= 51

[1]

符号参数

[1]

条件

引脚1 ;我

= 81毫安

民

典型值

4.8

最大单位

直流电压的设备

直流电源电流

=直流操作电源电压施加于R

BIAS

;看

网络连接gure 10 。

表8 。

特征

= 9 V ;我

= 81毫安;牛逼

AMB

= 25

℃;

BIAS

= 51

; IP3

（下）

音间距= 1 MHz的; P

= 0每个音dBm的

（见

图10） ;

= Z

= 50

;除非另有规定ED 。

符号参数

插入功率增益

条件

F = 850 MHz的

F = 1950 MHz的

F = 2500 MHz的

LIN

回波损耗输入

F = 850 MHz的

F = 1950 MHz的

F = 2500 MHz的

糊涂人

回波损耗输出

F = 850 MHz的

F = 1950 MHz的

F = 2500 MHz的

民

典型值

最大单位

BGA6589_2

产品数据表

牧师02 - 2009年5月25日

3 13

恩智浦半导体

BGA6589

MMIC宽带中等功率扩增fi er

表8 。

特征

- 续

= 9 V ;我

= 81毫安;牛逼

AMB

= 25

℃;

BIAS

= 51

; IP3

（下）

音间距= 1 MHz的; P

= 0每个音dBm的

（见

图10） ;

= Z

= 50

;除非另有规定ED 。

符号参数

噪音科幻gure

条件

F = 850 MHz的

F = 1950 MHz的

F = 2500 MHz的

L1dB

IP3

（中）

IP3

（下）

稳定系数

负载功率为1 dB增益

压缩

输入截取点

输出截获点

F = 850 MHz的

F = 2500 MHz的

F = 850 MHz的

F = 1950 MHz的

F = 850 MHz的

F = 2500 MHz的

F = 850 MHz的

F = 2500 MHz的

民

典型值

3.0

3.3

3.4

1.1

最大单位

DBM

90°

135°

+0.5

45°

1.0

0.8

0.6

+0.2

0.4

0.2

180°

0.2

0.5

2.6 GHz的

200兆赫

0°

0.2

135°

0.5

90°

45°

1.0

mgx409

= 81毫安; V

= 9 V ; P

dBm的;

= 50

图1 。

重新输入挠度COEF网络cient （S

） ;典型值

BGA6589_2

产品数据表

牧师02 - 2009年5月25日

4 13

恩智浦半导体

BGA6589

MMIC宽带中等功率扩增fi er

90°

135°

+0.5

45°

1.0

0.8

0.6

+0.2

0.4

0.2

180°

0.2

0.5

200兆赫

0.2

0°

2.6 GHz的

135°

0.5

90°

45°

1.0

mgx410

= 81毫安; V

= 9 V ; P

dBm的;

= 50

图2 。

输出重挠度COEF网络cient （S

） ;典型值

（ dB）的

mgx412

（ dB）的

mgx411

500

1000

1500

2000

2500

F（兆赫）

500

1000

1500

2000

2500

F（兆赫）

= 81毫安; V

= 9 V ; P

dBm的;

= 50

= 81毫安; V

= 9 V ; P

dBm的;

= 50

图3 。

插入增益（ | S

）作为的函数的

频率;典型值

图4 。

隔离（ | S

）作为频率的函数;

典型值

BGA6589_2

产品数据表

牧师02 - 2009年5月25日

5 13

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D109

BGA6589

MMIC宽带中等功率

扩音器

产品speci fi cation

2003年09月19

飞利浦半导体

产品speci fi cation

MMIC宽带中等功率扩增fi er

特点

宽带50

增益模块

20 dBm的输出功率

SOT89封装

单电源电压需要。

应用

宽带中功率增益模块

小信号的高线性度放大器

可变增益和高输出功率结合

在BGA2031

蜂窝， PCS和CDPD

IF / RF缓冲放大器

无线数据SONET

振荡器放大器呃，网络最终PA

司机CATV放大器。

描述

硅单片微波集成电路（ MMIC ）

宽带中功率放大器具有内部匹配

电路中的4针SOT89塑料低热阻

SMD封装。

该BGA6x89系列中功率增益模块是

电阻反馈达林顿配置放大器。

电阻反馈提供大带宽高

准确度。

快速参考数据

符号

L 1分贝

参数

直流电源电压

直流电源电流

插入功率增益

噪音科幻gure

负载功率在1 dB压缩

= 84毫安

= 9 V ;

BIAS

= 51

;

= 25

°C

F = 1.95 GHz的

F = 850 MHz的

F = 1.95 GHz的

小心

条件

标识代码：

5A.

底部视图

手册， halfpage

BGA6589

钉扎

针

RF输出/偏置

GND

在RF

描述

MGX418

Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。

典型值。

4.8

3.3

单位

DBM

此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏

和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。

2003年09月19

飞利浦半导体

产品speci fi cation

MMIC宽带中等功率扩增fi er

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）

符号

合计

英镑

记

1. T

是在销2的焊接点的温度。

热特性

符号

第j个-S

记

1. T

是在销2的焊接点的温度。

静态特性

= 25

°C;

= 9 V ;

BIAS

= 51

;

除非另有规定ED 。

符号

参数

电源电流

条件

分钟。

典型值。

参数

条件

参数

直流电压的设备

直流电源电流

总功耗

储存温度

工作结温

最大驱动功率

≤

°C;

注1

条件

RF输入交流耦合

分钟。

BGA6589

马克斯。

150

800

+150

150

单位

°C

DBM

价值

100

单位

K / W

从结热阻焊锡点T

≤

°C

注1

马克斯。

单位

2003年09月19

飞利浦半导体

产品speci fi cation

MMIC宽带中等功率扩增fi er

BGA6589

特征

= 9 V ;我

= 84毫安;牛逼

AMB

= 25

°C;

IP3

（下）

音间距= 1 MHz的; P

=每个音（见图2 ）为0 dBm ;

BIAS

= 51

;

= Z

= 50

;

除非另有规定ED 。

符号

参数

插入功率增益

F = 850 MHz的

F = 1.95 GHz的

F = 2.5 GHz的

L IN

回波损耗输入

F = 850 MHz的

F = 1.95 GHz的

F = 2.5 GHz的

L out输出

回波损耗输出

F = 850 MHz的

F = 1.95 GHz的

F = 2.5 GHz的

噪音科幻gure

F = 850 MHz的

F = 1.95 GHz的

F = 2.5 GHz的

L 1分贝

IP3

（中）

IP3

（下）

稳定系数

负载功率

输入截取点

输出截获点

F = 850 MHz的

F = 2.5 GHz的

1 dB增益压缩; F = 850 MHz的

1 dB增益压缩; F = 1.95 GHz的

F = 850 MHz的

F = 2.5 GHz的

F = 850 MHz的

F = 2.5 GHz的

条件

典型值。

3.0

3.3

3.4

1.1

单位

DBM

2003年09月19

飞利浦半导体

产品speci fi cation

MMIC宽带中等功率扩增fi er

应用信息

BGA6589

图2示出了BGA6589 MMIC的典型的应用电路。该器件内部匹配50

和

因此，不需要任何外部匹配。输入和输出直流阻断电容器C1和C2的值

依赖于工作频率;请参阅下面的表格。电容器C1和C2一起使用L1和

C3的微调的输入和输出阻抗。为了获得最佳的电源去耦，一个1

电容器（ C5），可以被添加。

外部元件应放在尽可能接近的MMIC 。当通孔使用，通过使用多个

为了每销孔，以限制接地路径诱导。电阻器R1是偏置电阻提供直流电流的稳定性与

温度。

手册，全页宽

(2)

微带

VD C2

微带

(1)

MGX419

（ 1 ）可选的电容器，以获得最佳的供应脱钩。

（ 2 ） R1的值，在工作电源电压：

= 6 V ; R1 = 15

= 9 V ; R1 = 51

= 11.5 V ; R1 = 82

图2典型应用电路。

表1

组件说明（参见图2 ）

价值在工作频率

部件

C1, C2

C5 （可选）

描述

多层瓷介片状电容器

电解电容或钽电容

贴片电感

贴片电阻0.5瓦; V

= 9 V

尺寸

0603

500

兆赫

1 nF的

68 nH的

800

兆赫

1 nF的

33 nH的

1950

兆赫

1 nF的

22 pF的

22 nH的

2400

兆赫

56 pF的

1 nF的

22 pF的

18 nH的

3500

兆赫

39 pF的

1 nF的

15 pF的

15 nH的

220 pF的100 pF的68 pF的

100 pF的68 pF的

2003年09月19

RF手册16版

应用和设计手册

高性能射频产品

2012年6月

恩智浦可让您释放业绩

新一代射频和微波设计

恩智浦RF手册是市场上最重要的参考工具，为今天的1

RF设计师。它具有我们完整的射频产品系列，从低到高功率信号

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恩智浦半导体RF手册16

版

什么是新的？

该RF手册提供了有关射频应用的更新信息

分组如下：无线和宽带通信基础设施，电视

和卫星，便携设备，汽车， ISM ，以及航空航天和国防。

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（硅锗碳）和LDMOS 。我们还增加了氮化镓技术，我们的产品

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效率在下一代无线通信系统。

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LDMOS晶体管（ Gen8 ）。下一代设备和改进的产品

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亲切的问候，

约翰·克罗托

高级副总裁&总经理

业务线的高性能RF

RF手册网页

www.nxp.com/rfmanual

恩智浦半导体RF手册16

版

1.1

产品应用

1.1.1

1.1.2

1.1.3

无线通信基础设施

_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

基站（所有的蜂窝标准和频率）

______________________________________________________________________________________________________________________________

点对点通信

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

中继器

___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

1.2

宽带通信基础设施

_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

1.2.1 CATV光（具有多个外端口光节点）

________________________________________________________________________________________________________________________________

1.2.2 CATV电气（线路延伸）

______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

1.3

电视和卫星

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

1.3.1网络接口模块（ NIM）的电视接收

___________________________________________________________________________________________________________________________________

1.3.2

1.3.3

1.3.4

1.3.5

基本电视调谐器

___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

卫星室外单元，双低噪声模块（ LNB ），与分立元件

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卫星室外单元，双低噪声模块（ LNB ），集成混频器/振荡器/下变频器

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卫星多路开关盒 - 4×4 （最高可达16×16） /的DiSEqC / SMATV

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1.4

1.3.6 VSAT

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便携式设备

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1.4.1

1.4.2

1.4.3

1.4.4

1.4.5

1.4.6

全球定位系统

FM收音机

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中国移动多媒体广播（ CMMB ）的UHF频段470 - 862兆赫

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蜂窝接收器

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DBDC的802.11n和802.11ac标准的WLAN

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通用射频前端

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SDARS & HD收音机

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遥控无钥匙进入系统， RF通用前端的专用天线用于接收和发射

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轮胎压力监测系统

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1.5

汽车

1.5.1

1.5.2

1.5.3

1.6

1.5.4车载无线接收器（ CREST芯片： TEF6860HL ， TEF6862HL ）

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工业，科学&医疗（ISM ）

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1.6.1广播/ ISM

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1.6.2电子计量，通用RF前端与单个天线/ ZigBee的

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1.6.3射频微波炉上的应用

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1.6.4射频等离子照明

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1.6.5医学影像

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1.7

航空航天和国防

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1.7.1微波产品L-和S波段雷达和航空电子应用

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2.1

重点应用，产品&技术

2.2

2.3

2.4

2.5

2.6

无线通信基础设施

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2.1.1建立与RF元件高效率的信号链传输阵容和接收链

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2.1.2数字宽带VGA具有高线性&柔性电流设置

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2.1.3 Doherty放大器技术，先进设备，最先进的无线基础设施

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2.1.4新一代的LDMOS射频功率无线基础设施：恩智浦Gen8

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宽带通信基础设施

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2.2.1以人为本，保护您的网络：恩智浦CATV C家族为中国广电总局标准

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2.2.2高效的阵容为1 GHz的GaAs模块的可持续CATV网络

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电视和卫星

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2.3.1与低噪声放大器，以提高调谐器性能的可编程增益&旁路选项

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2.3.2完整的卫星组合的所有LNB架构

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2.3.3 VSAT ，通过卫星双向通信

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2.3.4低噪声LO发生器微波毫米波&收音机

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便携式设备

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2.4.1 GNSS信号与最小尺寸的最佳接收

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工业，科学&医疗

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射频功率驱动2.5.1医疗应用

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2.5.2 RF驱动的等离子照明

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2.5.3 QUBiC4硅和SiGe ：C晶体管的任何RF功能

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2.5.4建立在数十年的创新微波和雷达

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在其最好的2.5.5数字广播

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2.5.6设置基准，超低功耗和高性能的无线连接解决方案

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技术

2.6.1第一个主流的半导体公司提供的氮化镓产品

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恩智浦半导体RF手册16

版