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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第673页 > BFP640H6327
BFP640
NPN硅锗RF晶体管
高增益低噪声RF晶体管
提供出色的性能
为广泛的无线应用
非常适用于CDMA和WLAN的应用
出色的噪声系数
F
= 0.65分贝在1.8GHz
出色的噪声系数
F
= 1.2分贝在6 GHz
最大稳定增益
G
ms
= 24分贝1.8 GHz的
黄金金属额外的高可靠性
70 GHz的
f
T
- 硅锗技术
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
3
4
1
2
ESD
(静电
放)
敏感的设备,观察处理防范!
TYPE
BFP640
1
含有铅,
记号
R4s
1=B
引脚配置
2=E
3=C
4=E
-
-
SOT343
包可能是可根据特殊要求
2007-05-29
1
BFP640
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
T
A
> 0 ℃,
T
A
0 °C
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
1)
T
S
90°C
结温
环境温度
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
2)
符号
R
thjs
价值
300
单位
K / W
T
j
T
A
T
英镑
150
-65 ... 150
-65 ... 150
°C
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
符号
V
首席执行官
4
3.7
13
13
1.2
50
3
200
mW
mA
价值
单位
V
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安,
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 13 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 5 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 0.5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 30毫安,
V
CE
= 3 V ,测量脉搏
1
T
单位
马克斯。
-
30
100
3
270
V
A
nA
A
-
典型值。
4.5
-
-
-
180
V
( BR ) CEO
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
4
-
-
-
110
S为在焊接点,以在pcb上测量集电极引线
2
对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2007-05-29
2
BFP640
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
(通过随机抽样核实)
跃迁频率
f
T
I
C
= 30毫安,
V
CE
= 3 V,
f
= 1 GHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 3 V,
f
= 1 MHz时,
V
BE
= 0 ,
发射极接地
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 3 V,
f
= 1 MHz时,
V
BE
= 0 ,
底座接地
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1 MHz时,
V
CB
= 0 ,
集电极接地
噪声系数
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 3 V,
f
= 1.8千兆赫,
Z
S
=
Z
SOPT
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 3 V,
f
= 6 GHz的,
Z
S
=
Z
SOPT
功率增益,最大稳定
1)
I
C
= 30毫安,
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
功率增益,最大可用
1)
I
C
= 30毫安,
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 6 GHz的
传感器增益
I
C
= 30毫安,
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 1.8 GHz的
f
= 6 GHz的
在输出三阶截取点
2)
V
CE
= 3 V,
I
C
= 30毫安,
Z
S
=Z
L
=50
,
f
=
1
.
8 GHz的
1dB压缩点的输出
I
C
= 30毫安,
V
CE
= 3 V,
Z
S
=Z
L
=50
,
f
=
1
.
8 GHz的
1/2
MA = |
S
21e /
S
器12e | (的k ( K -1)) ,
G
女士= |
S
21e /
S
12e |
2
IP3值取决于终端的所有互调频率分量。
用于该测定的终止是50
从0.1 MHz到6 GHz的
1
G
30
-
40
0.09
-
0.2
GHz的
pF
C
cb
C
ce
-
0.23
-
C
eb
-
0.5
-
F
-
-
G
ms
-
0.65
1.2
24
-
-
-
dB
dB
G
ma
-
12.5
-
dB
|S
21e
|
2
-
-
IP
3
P
-1dB
-
-
21
10.5
26.5
13
-
-
-
-
dB
DBM
2007-05-29
3
BFP640
SPICE参数(的Gummel -潘型号,伯克利- SPICE 2G.6语法) :
晶体管芯片的数据:
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
AF =
TITF1
0.22
1000
2
2
1.8
2.707
227.6
1.8
0.4
0.6
0.2
0.27
3
2
-0.0065
fA
V
-
V
-
fF
ps
A
V
ns
-
-
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
KF -
TITF2
450
0.15
55
3.8
3.129
0.6
0.8
10
0
0.5
93.4
-1.42
0.8
7.291E-11
1.0E-5
-
A
-
mA
-
V
-
-
fF
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
1.025
21
1
400
1.522
3.061
0.3
1.5
67.43
1
0.6
1.078
298
-
fA
-
fA
mA
-
V
fF
-
V
eV
K
所有的参数都可以使用了,没有scalling是必要的。
包装等效电路:
CBS
苏格兰皇家银行
CBCC
LCC
C
BFP640_Chip
B
S
RCS
E
水库
CES
CCS
LCB
B
LBB
LBC
CBEC
C
LEC
CBE
I
LEB
CBEO
CCEO
CCEI
中T = 25℃
ITF = 400 * ( 1 - 6.5E - 3 * (T - 25 ) + 1.0E - 5 * (T - 25 ) ^ 2 )
E
有关示例,并准备使用参数
请联系您当地的英飞凌科技
分销商或销售办事处获得英飞凌
技术的CD - ROM或互联网看到:
http://www.infineon.com
LBC =
LCC =
LEC =
LBB =
LCB =
LEB =
CBEC =
CBCC =
CES =
CBS =
CCS =
CCEO =
CBEO =
CCEI =
CBEI =
RBS =
RCS =
水库?
120
120
20
696.2
682.4
230.6
98.4
55.9
180
79
75
131.2
102.5
112.6
180.4
1200
1200
300
pH
pH
pH
pH
pH
pH
fF
fF
fF
fF
fF
fF
fF
fF
fF
有效高达6GHz
2007-05-29
4
BFP640
总功耗
P
合计
=
(
T
S
)
允许的脉冲负载
R
thjs
=
(
t
p
)
220
mW
10
3
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
K / W
R
thjs
10
2
P
合计
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
t
p
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
(
t
p
)
10
1
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(
V
CB
)
f
= 1MHz的
0.25
P
totmax
/P
totDC
pF
-
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
C
CB
-3
-2
0.15
0.1
0.05
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
10
s
10
0
0
0
2
4
6
8
10
V
14
t
p
V
CB
2007-05-29
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BFP640H6327
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
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联系人:钟彩香
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电话:0755-88917652分机801-83200050
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