小信号NPN晶体管
TO- 72案例
型号
描述
VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB
(V)
民
(V)
民
15
15
15
60
15
13
15
15
12
15
(V)
民
3.0
3.0
3.0
15
2.5
3.0
2.0
2.5
2.5
2.5
(A)
最大
0.001
--
0.01
0.01
0.01
0.01
0.02
0.01
0.02
0.01
15
--
15
90
15
15
1.0
15
15
15
(V)
的hFE
@ IC @ VCE
（MA ）
(V)
VCE （ SAT ） @ IC
(V)
最大
（MA ）
fT
（兆赫）
民
COB
*了Ccb
（PF ）
最大
1.7
1.7
1.7
30
1.0*
2.5
1.0*
1.0*
1.0*
1.5*
民
20
20
20
最大
--
200
--
3.0
3.0
3.0
10
3.0
4.0
2.0
3.0
3.0
25
1.0
10
1.0
5.0
1.0
10
8.0
1.0
1.0
1.0
2N917
2N917A
2N918
2N998
2N2857
2N2865
2N3478
2N3839
2N5179
BFY90
RF / IF振荡器
RF / IF振荡器
RF / IF振荡器
达林顿
VHF / UHF OSC
RF / IF振荡器
VHF / UHF低噪声
VHF / UHF幅度/ OSC
VHF / UHF幅度/ OSC
VHF / UHF幅度/ OSC
30
30
30
100
30
25
30
30
20
30
0.5
--
0.4
1.8
--
0.4
--
--
0.4
--
3.0
--
10
100
--
10
--
--
10
--
500
600
600
60
1,000
600
750
1,000
900
1,000
1,600 8,000
30
20
25
30
25
20
150
200
150
150
250
125
阴影部分表示达林顿。
双晶体管
TO- 71案例
PD @ TA = 25
o
C = 360MW总（双双殒命平等权）
型号
描述
VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB
(V)
(V)
(V)
（ nA的）
(V)
民
CEN741
CEN832
NPN低噪声
PNP低噪声
45
60
民
45
60
民
6.0
5.0
最大
10
10
45
50
的hFE
民
150
150
最大
600
450
0.01
1.0
5.0
5.0
@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC
（毫安） （V ）
(V)
（MA ）
最大
0.35
0.25
1.0
1.0
匹配
的hFE
%
20
20
VBE
（毫伏）
5.0
5.0
69
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
BFX89
BFY90
NPN硅
射频晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BFX89和
BFY90是硅NPN外延平面晶体管
安装在一个密封的包
设计用于VHF / UHF放大器，振荡器和
转换器应用。
标识代码：全型号
JEDEC TO- 72 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（ RBE≤50Ω ）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流（F ≥ 1兆赫）
功耗
功率耗散（ TC = 25°C ）
工作和存储
结温
热阻
热阻
符号
VCBO
VCER
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
Θ
JC
30
30
15
2.5
25
50
200
300
-65到+200
875
583
单位
V
V
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
BFX89
符号测试条件
最小典型最大
ICBO
BVCBO
BVcer
BVCEO
BVEBO
的hFE
的hFE
fT
fT
COB
CRE
VCB=15V
IC=10A
IC = 1.0毫安， RBE = 50Ω
IC=1.0mA
IE=10A
VCE = 1.0V ， IC = 2.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 25毫安
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安中，f = 500MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 25毫安中，f = 500MHz的
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安中，f = 1.0MHz的
10
30
30
15
2.5
20
20
1.0
1.2
1.7
0.6
150
125
BFY90
最小典型最大
10
30
30
15
2.5
25
20
1.0
1.3
1.1
1.4
1.5
0.6
0.8
150
125
单位
nA
V
V
V
V
GHz的
GHz的
pF
pF
R3 （2006年20月）
中央
TM
BFX89
BFY90
NPN硅
射频晶体管
半导体公司
电气特性（续） ：
（ TA = 25° C除非另有说明）
BFY90
BFX89
符号测试条件
最小典型最大
最小典型最大
GPE
GPE
GPE
GPE
NF
NF
NF
NF
Po
Po
VCE = 10V ， IC = 8毫安中，f = 200MHz的
VCE = 10V ， IC = 8毫安中，f = 800MHz的
VCE = 10V ， IC = 14毫安中，f = 200MHz的
VCE = 10V ， IC = 14毫安中，f = 800MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安， F = 100kHz的
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安中，f = 200MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安中，f = 500MHz的， RG = 50Ω
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安中，f = 800MHz的
VCE = 10V ， IC = 8毫安， F = 205MHz
VCE = 10V ， IC = 14毫安， F = 205MHz
3.3
7.0
6.0
10
12
4.0
6.5
5.5
19
22
7.0
21
23
8.0
4.0
2.5
3.5
5.0
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
mW
mW
JEDEC TO- 72案例 - 机械外形
前导码：
1 ）发射
2 ）基
3 ）集电极
4 ）案例
R3 （2006年20月）
MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
* G表示符合RoHS标准的无铅端子表面涂层
RF &微波离散
小功率三极管
特点
低噪声 - 2.5 dB的500 MHZ
增益最佳的噪声系数= 15.5分贝@ 500 MHz的
Ftau - 5.0 GHz的@ 10V ， 75毫安
高性价比MacroX套餐
万家乐X
描述：
专为高电流，低功耗，低噪声，放大器高达1.0 GHz的。
绝对最大额定值
（ TCASE = 25
°
C)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
MRF581
18
30
2.5
200
MRF581A
15
单位
VDC
VDC
VDC
mA
热数据
P
P
D
D
器件总功耗@ TC = 50℃
减免上述50℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储结温范围
-65到+150
最高结温
150
C
C
2.5
25
1.25
10
瓦
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
TSTG
T
JMAX
修订A- 2008年12月
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站www.microsemi.com或联系我们的厂家直销。
MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
电气特性（温度上限= 25
°
C)
STATIC
（关闭）
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
IEBO
测试条件
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 5.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 0.1 MADC ， IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 15 VDC ， VBE = 0伏）
发射Cuto FF电流
（VBE = 2.5伏）
MRF581
MRF581A
价值
分钟。
18
15
30
2.5
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
单位
VDC
VDC
VDC
mA
mA
（上）
的hFE
直流电流增益
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
MRF581
MRF581A
50
90
-
200
250
-
动态
符号
COB
Ftau
测试条件
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
电流增益带宽积
（ IC = 75 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千兆赫）
价值
分钟。
-
-
典型值。
2.0
5.0
马克斯。
3.0
-
单位
pF
GHz的
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站www.microsemi.com或联系我们的厂家直销。
MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
实用
符号
NF
测试条件
噪声系数（ 50欧姆）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 0.5千兆赫）
功率增益@ NFmin
（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 0.5千兆赫）
最大单向增益（ 1 ）
IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 500 MHz的
最大稳定增益
IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 500 MHz的
插入增益
IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 500 MHz的
价值
分钟。
-
13
-
-
14
典型值。
3.0
15.5
17.8
20
15
-
-
-
马克斯。
3.5
单位
dB
dB
dB
dB
dB
G
G
NF
ü最大
味精
|S
21
|
2
表1.共发射极S参数， @ VCE = 10 V ， IC = 50毫安
f
S11
S21
S12
S22
（兆赫）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
|S11|
.610
.659
.671
.675
.677
.678
.677
.679
.678
.682
∠φ
-137
-161
-171
-178
176
172
168
184
160
156
|S21|
23.8
13.2
9.0
6.8
5.5
4.6
4.0
3.5
3.1
2.8
∠φ
116
98
89
83
77
72
68
64
60
56
|S12|
.026
.033
.040
.047
.055
.064
.073
.082
.092
.102
∠φ
46
47
51
55
58
61
62
63
64
65
|S22|
.522
.351
.304
.292
.293
.299
.306
.314
.322
.311
∠φ
-78
-106
-120
-128
-132
-134
-135
-136
-138
-139
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站www.microsemi.com或联系我们的厂家直销。
MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
C1 ， C4 ， C5 ， C6 ， C8 ， C9 - 1000 PF，贴片电容
C7, C10 — 10
F,
钽电容
RFC - VK- 200 ， Ferroxcube公司
TL1 ， TL7 ， TL8 - 微带0.162 ， X 0.600 ，
TL3 - 微带0.162 ， X 0.800 ，
TL5 - 微带0.120 ， X 0.440 ，
TL9 ， TL10 - 微带0.025 ， X 4.250 ，
板材料 - 0.0625 ，厚厚的玻璃铁氟龙
ε
r = 2.55
C2 ， C3 - 1.0-10 PF，约翰森电容器
R1 - 1.0 kΩ的水库。
FB - 铁氧体磁珠， Ferroxcube公司， 56-590-65 / 3B
TL2 - 微带0.162 ， X 1.000 ，
TL4 - 微带0.162 ， X 0.440 ，
TL6 - 微带0.120 ， X 1.160 ，
图1.最小噪声系数和增益@最小噪声系数。
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站www.microsemi.com或联系我们的厂家直销。
MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
射频低功率PA， LNA ，和通用离散选择指南
GPE频率（MHz ）
效率（％）
顾MAX（分贝）
IC最大（MA ）
建行（PF ）
BVCEO
IC最大（MA ）
3.5
20 400
30 400
30 400
1
1
3
1
1
1
2.6
噘嘴（瓦特）
NF（ dB）的
NF IC （MA ）
NF VCE
GN （ dB）的
频率（MHz ）
设备
SO-8
TO-39
POWER指令
POWER指令
TO-39
TO-39
TO-72
MRF4427 ， R2
2N4427
MRF553
MRF553T
MRF607
2N6255
2N5179
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
175 0.15
175
1
175 1.5
175 1.5
175 1.75
175
3
200
512
512
400
400
470
470
0.5
0.5
1
1
1.5
1.5
18
10
11.5
11.5
11.5
7.8
20
10
13
10
10
11
11
6.5
9.5
8
8
8
60
50
60
50
50
50
12
12
12.5
12.5
12.5
12.5
6
20 400
20 400
16 500
16 500
16 330
18 1000
12 50
TO-39
TO-39
SO-8
TO-72
TO-72
TO-39
TO-72
TO-72
万家乐牛逼
万家乐牛逼
SO-8
万家乐X
万家乐
TO-72
TO-72
万家乐X
TO-39
2N5109
MRF5943C
2N5179
2N2857
MRF517
MRF904
2N6304
BFR91
BFR96
MRF581A
BFR90
BFY90
MRF914
MRF581
MRF586
NPN 200
NPN 200
NPN 200
NPN 300
NPN 300
NPN 450
NPN 450
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
NPN 500
3
10 15
12
15
17
13
1200
1300
900
1600
3.4 30 15
3.4 30 15
4.5 1.5
5.5 50
6
6
11.4 1000
MRF5943中，R 1 ，R 2的NPN 200
Ftau （兆赫）
4000
1400
5000
5000
1300
4500
GPE （ dB）的
GPE VCC
包
BVCEO
设备
TYPE
PACKAG
TYPE
12 50
15 40
25 150
15 30
15 50
12 35
15 100
15 200
15 200
7.5 50 15
1.5
5
1.9
2
2
2
2.4
2.5
2.5
3
5
2
2
6
5
5
11
5.5 4600
11
14
16.5 5000
14.5 500
万家乐X
MRF559
万家乐X
MRF559
TO-39
2N3866A
SO-8
MRF3866中，R1， R2的
POWER指令
MRF555
POWER指令
MRF555T
65 7.5 16 150
60 12.5 16 150
45 28 30 400
45 28 30 400
50 12.5 16 400
50 12.5 16 400
70
65
55
55
55
7.5
12.5
12.5
12.5
12.5
16
16
16
16
16
150
150
200
400
400
10 10
50 10
2
2
5
10
5
10
15
11
14
15
MRF5812中，R 1 ，R 2的NPN 500
50 10 15.5 17.8 5000
15
18
20
15
1
15 30
15 50
12 40
16 200
2.5 50 10
90 15
17.8 5000
14.5 4500
2.2
17 200
万家乐X
MRF559
NPN 870 0.5
万家乐X
MRF559
NPN 870 0.5
SO-8
MRF8372中，R 1 ，R 2的NPN 870 0.75
POWER指令
MRF557
NPN 870 1.5
POWER指令
MRF557T
NPN 870 1.5
万家乐X
万家乐X
万家乐牛逼
万家乐牛逼
MRF951
MRF571
BFR91
BFR90
NPN 1000 1.3
NPN 1000 2.5
NPN 1000
3
5
2
2
6
6
5
10
14
10
8
10
17
11
8000 0.45 10 100
8000
5000
1
1
1
10 70
12 35
15 30
NPN 1000 1.5 10
12.5 5000
TO-39
TO-39
MRF545
MRF544
PNP
NPN
14
1400
2
70 400
70 400
13.5 1500
RF （低功率PA /通用）选择指南
RF （ LNA /通用）选择指南
低成本RF塑料包装选项
1
1
4
3
3
2
4
2
8
1
5
4
万家乐牛逼
万家乐X
动力
SO-8
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站www.microsemi.com或联系我们的厂家直销。
BFX89
BFY90
WIDE BAND VHF / UHF放大器
硅平面外延晶体管
TO- 72金属CASE
非常低噪声
应用范围：
电信
宽频带UHF放大器
无线电通信
该BFX89和BFY90使用产生的硅平面外延NPN晶体管
叉指基极发射极的几何形状。它们格外设计用于广泛用途
波段共发射极放大器的线性高达1GHz 。它们的特点是非常高F
T
低
反向电容，出色的交调性能和极低的噪音
性能。该BFY90互补于BFR99A 。典型应用
包括电信和无线电通讯设备。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CER
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P合计
TSTG ，
Tj
评级
集电极 - 发射极电压（I
B = 0
)
集电极 - 发射极电压（R
BE
≤50
)
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
在环境温度Tamb总功率耗散
≤
25
°C
储存和结温
价值
15
30
30
2.5
25
50
200
-65 200
单位
V
V
V
V
mA
mA
mW
°C
半导体COMSET
1/4
140 COMMERCE DRIVE
蒙哥马利， PA
18936-1013
电话：（ 215 ） 631-9840
传真： （ 215 ） 631-9855
BFY90
RF &微波离散
小功率三极管
特点
硅NPN ， TO- 72封装的VHF / UHF晶体管
低噪声，2.5分贝（典型值） @ 500 MHz时， 5V ， 2.0毫安，
1.3 GHz的电流增益带宽积@ 25毫安IC
2
1
3
4
功率增益，G
PE
= 19分贝（典型值） @ 200 MHz的
1.发射器
2.基
3.收集
4.案例
TO-72
描述：
硅NPN晶体管，专为VHF / UHF设备。应用包括低噪声放大器;振荡器和混频器
应用程序。
绝对最大额定值
（ TCASE = 25
°
C)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
价值
15
30
2.5
50
单位
VDC
VDC
VDC
mA
热数据
P
D
器件总功耗@ T
A
= 25 C
减免上述25°
200
1.14
毫瓦
毫瓦/°C的
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站：
www.advancedpower.com
或者联系我们的厂家直销。
BFY90
电气特性（温度上限= 25
°
C)
STATIC
（关闭）
符号
BVCEO
ICBO
测试条件
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 15 VDC ， IE = 0伏）
价值
分钟。
15
-
典型值。
-
-
马克斯。
-
10
单位
VDC
nA
（上）
的hFE
直流电流增益
（ IC = 25 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
20
-
125
-
动态
符号
f
T
NF
民
测试条件
电流增益 - 带宽积
（ IC = 25 MADC ， VCE = 5伏， F = 500兆赫）
（ IC = 2.0 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 500 MHz的
价值
分钟。
1.3
-
典型值。
-
2.5
-
马克斯。
-
5.0
2.0
单位
GHz的
dB
pF
CIBO
发射极 - 基极电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
-
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站：
www.advancedpower.com
或者联系我们的厂家直销。
BFY90
实用
符号
测试条件
最大单向增益（ 1 ）
最大稳定增益
插入增益
IC = 8 MADC ， VCE = 10 VDC ，
F = 200 MHz的
IC = 8 MADC ， VCE = 10 VDC ，
F = 200 MHz的
IC = 8 MADC ， VCE = 10 VDC ，
F = 200 MHz的
价值
分钟。
-
-
15
典型值。
20
22
16
马克斯。
-
-
-
单位
dB
dB
dB
G
ü最大
味精
|S
21
|
2
表1.共发射极S参数， @ VCE = 10 V ， IC = 8毫安
f
S11
S21
S12
S22
（兆赫）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
|S11|
.574
.374
.292
.259
.221
.198
.185
.187
.185
.177
∠φ
-79
-130
-172
142
96
53
8.8
-38
-91
-136
|S21|
10.65
7.01
4.44
3.62
3.02
2.57
2.08
1.90
1.79
1.70
∠φ
127
105
97
92
88
80
76
76
72
61
|S12|
.023
.036
.047
.063
.072
.082
.087
.104
.117
.118
∠φ
67
60
66
63
60
58
58
58
50
44
|S22|
.788
.682
.654
.640
.617
.614
.611
.621
.620
.632
∠φ
-56
-97
-136
-178
140
98
55
10
-35
-78
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站：
www.advancedpower.com
或者联系我们的厂家直销。
BFY90
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站：
www.advancedpower.com
或者联系我们的厂家直销。
140 COMMERCE DRIVE
蒙哥马利， PA
18936-1013
电话：（ 215 ） 631-9840
传真： （ 215 ） 631-9855
BFY90
RF &微波离散
小功率三极管
特点
硅NPN ， TO- 72封装的VHF / UHF晶体管
低噪声，2.5分贝（典型值） @ 500 MHz时， 5V ， 2.0毫安，
1.3 GHz的电流增益带宽积@ 25毫安IC
2
1
3
4
功率增益，G
PE
= 19分贝（典型值） @ 200 MHz的
1.发射器
2.基
3.收集
4.案例
TO-72
描述：
硅NPN晶体管，专为VHF / UHF设备。应用包括低噪声放大器;振荡器和混频器
应用程序。
绝对最大额定值
（ TCASE = 25
°
C)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
价值
15
30
2.5
50
单位
VDC
VDC
VDC
mA
热数据
P
D
器件总功耗@ T
A
= 25C
减免上述25℃
200
1.14
毫瓦
毫瓦/°C的
MSC1310.PDF 99年10月25日
BFY90
电气特性（温度上限= 25
°
C)
STATIC
（关闭）
符号
BVCEO
ICBO
测试条件
分钟。
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 15 VDC ， IE = 0伏）
15
-
价值
典型值。
-
-
马克斯。
-
10
单位
VDC
nA
（上）
的hFE
直流电流增益
（ IC = 25 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
20
-
125
-
动态
符号
f
T
NFmin
CIBO
测试条件
分钟。
电流增益 - 带宽积
（ IC = 25 MADC ， VCE = 5伏， F = 500兆赫）
（ IC = 2.0 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 500 MHz的
-
发射极 - 基极电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
-
2.5
-
5.0
2.0
dB
pF
1.3
价值
典型值。
-
马克斯。
-
单位
GHz的
MSC1310.PDF 99年10月25日
BFY90
实用
符号
测试条件
分钟。
最大单向增益（ 1 ）
最大稳定增益
插入增益
IC = 8 MADC ， VCE = 10 VDC ，
F = 200 MHz的
IC = 8 MADC ， VCE = 10 VDC ，
F = 200 MHz的
IC = 8 MADC ， VCE = 10 VDC ，
F = 200 MHz的
价值
典型值。
20
22
16
马克斯。
-
-
-
单位
dB
dB
dB
G
ü最大
-
-
15
味精
|S
21
|
2
表1.共发射极S参数， @ VCE = 10 V ， IC = 8毫安
f
S11
（兆赫）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
|S11|
.574
.374
.292
.259
.221
.198
.185
.187
.185
.177
∠φ
-79
-130
-172
142
96
53
8.8
-38
-91
-136
S21
|S21|
10.65
7.01
4.44
3.62
3.02
2.57
2.08
1.90
1.79
1.70
∠φ
127
105
97
92
88
80
76
76
72
61
S12
|S12|
.023
.036
.047
.063
.072
.082
.087
.104
.117
.118
∠φ
67
60
66
63
60
58
58
58
50
44
S22
|S22|
.788
.682
.654
.640
.617
.614
.611
.621
.620
.632
∠φ
-56
-97
-136
-178
140
98
55
10
-35
-78
MSC1310.PDF 99年10月25日
BFY90
机械数据
尺寸mm （英寸）
4.95 (0.195)
4.52 (0.178)
4.95 (0.195)
4.52 (0.178)
硅平面外延
NPN晶体管
5.33 (0.210)
4.32 (0.170)
0.48 (0.019)
0.41 (0.016)
DIA 。
12.7 (0.500)
分钟。
描述
该BFY90是一款低噪声晶体管用于
在广泛的使用和窄带放大器最多
1GHz.
2.54 (0.100)
喃。
4
3
2
1
TO72
引脚1 - 发射极
引脚2 -Base
PIN 3 - 集电极
引脚4 - 连接到案例
绝对最大额定值
V
CBO
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ AV ）
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑，
集电极 - 基极电压
（ TA = 25° C除非另有说明）
30V
30V
15V
2.5v
25mA
50mA
200mW°C
200°C
-65到+ 200℃
集电极 - 发射极电压（R
BE
50
W
)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
平均集电极电流
峰值集电极电流（F
1MHz)
在T功耗
AMB
=
25°C
储存温度
结温
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
网址：
http://www.semelab.co.uk
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
预赛。 12/99
BFY90
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
参数
I
CBO
V
（ BR ） CEO *
V
（ BR ） CER *
V
CEK
h
21E
收藏家切断电流
测试条件
V
CB
= 15V
I
E
= 0
I
B
= 0
R
BE
50
W
I
C
= 2毫安
I
C
= 25毫安
I
C
= 2毫安
I
C
= 25毫安
I
E
= 0.
I
C
= 0
I
C
= 2毫安
R
G
R
G
最佳
分钟。
15
30
典型值。
马克斯。
10
单位
nA
V
集电极发射极击穿电压I
C
= 10毫安
集电极发射极击穿电压I
C
= 10毫安
集电极发射极电压膝
静态正向电流传输
比
动态特性
V
CE
= 5V
F = 500MHz的
V
CE
= 5V
F = 500MHz的
V
CB
= 10V
F = 1MHz的
V
CE
= 5V
F = 1MHz的
V
CE
= 5V
F = 100KHz的
V
CE
= 5V
F = 200MHz的
V
CE
= 5V
F = 500MHz的
V
CE
= 5V
F = 800MHz的
V
CE
= 10V
F = 200MHz的
V
CE
= 10V
f
1
= 202MHz
I
C
= 10毫安
V
CE
= 1V
V
CE
= 1V
0.75
25
20
150
125
—
1
GHz的
1.3
1.5
0.8
4
3.5
dB
5
5
21
dB
pF
pF
f
T
跃迁频率
C
22b(1)
C
12e(2)
输出电容
开路反向传输
电容
I
C
= 2毫安
最佳
NF
噪声系数
I
C
= 2毫安
R
G
= 50
W
I
C
= 2毫安
R
G
最佳
Gp
功率增益
I
C
= 14毫安
I
C
= 14毫安
f
2
= 205MHz
P
O(2)
输出功率
输出驻波比
2
TOS出击
208MHz
10
mW
2
d
IM
* = - 30分贝在2 F
2
- f
1
=
热数据
R
号（j -a）的
R
日（J -C ）
结到环境的热阻
结 - 壳热阻
0.875最大
0.575 MAX
° C / W
° C / W
*脉冲测试吨
p
= 300
m
s ,
d
2%
（ 1 ）屏蔽线（情况）不连接
*互调失真
（ 2 ）屏蔽线（下）接地
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
网址：
http://www.semelab.co.uk
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
预赛。 12/99
QQ：2881677436 复制
