添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第167页 > BFS19
分立半导体
数据表
BFS19
NPN中频晶体管
产品数据表
取代1999年的数据4月15日
2004年1月5日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN中频晶体管
特点
I
C（最大值）
= 25毫安
V
CEO （最大值）
= 20 V.
应用
在厚和薄膜介质频率的应用
电路。
描述
在SOT23塑料NPN中频晶体管
封装。
记号
类型编号
BFS19
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚。
* = W ：中国制造。
订购信息
TYPE
数
BFS19
包
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
标识代码
(1)
F2*
顶视图
MAM255
BFS19
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
手册， halfpage
3
3
1
2
1
2
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
VERSION
SOT23
2004年1月5日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN中频晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
30
20
5
30
30
250
+150
150
+150
BFS19
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
2004年1月5日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN中频晶体管
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
C
c
C
re
f
T
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
基射极电压
集电极电容
反馈电容
跃迁频率
条件
I
E
= 0; V
CB
= 20 V
I
E
= 0; V
CB
= 20V;牛逼
j
= 100
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10 V
I
E
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0 mA时; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
分钟。
65
650
典型值。
1
0.85
260
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
500
BFS19
单位
K / W
马克斯。
100
10
100
225
740
单位
nA
A
nA
mV
pF
pF
兆赫
2004年1月5日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN中频晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BFS19
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-236AB
JEITA
欧洲
投影
发行日期
04-11-04
06-03-16
2004年1月5日
5
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
BFS19
SOT-23
单位：mm
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
特点
3
低电流（最大30 mA）的
+0.1
2.4
-0.1
低电压（最大20V）
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值牛逼
A
=25
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
最大
30
20
5
30
30
250
150
150
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性T
A
=25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
正向电流传输比
发射极 - 基极电压
跃迁频率
集电极电容
反馈电容
3
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
V
CB
= 20 V，I
E
= 0时，环境温度为100
I
EBO
h
FE
V
BE
f
T
C
C
CRE
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 1.0毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 1.0毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安， F = 100 MHZ
V
CB
= 10 V，I
E
= 1毫安， F = 1 MHZ
V
CB
= 10 V，I
C
= 0 mA时， F = 1兆赫
65
650
260
1
0.85
10
100
225
740
mV
兆赫
pF
pF
ìA
nA
测试条件
I
C
= 100 μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 100 μA ，我
C
= 0
V
CB
= 20 V，I
E
= 0
民
30
20
5
100
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
记号
记号
F2
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
BFS 19
NPN
高频三极管
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
1.1
NPN
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
0.4
3
塑料外壳
Kunststoffgehuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BFS 19
20 V
30 V
5V
250毫瓦
1
)
30毫安
30毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 20 V
I
E
= 0, V
CB
= 20 V ，T
j
= 100
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
I
EB0
–
I
CB0
I
CB0
–
–
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
–
–
马克斯。
100 nA的
10
:
A
100 nA的
1
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
2
高频三极管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
1
)
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
反馈电容 - Rückwirkungskapazitt
V
CB
= 10 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
–
R
THA
0.85 pF的
f
T
C
CB0
–
–
260兆赫
1 pF的
V
BEON
650毫伏
–
h
FE
65
–
BFS 19
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
马克斯。
225
750毫伏
–
–
–
420 K / W
2
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
标记 - Stempelung
BFS 19 = F2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
3
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D088
BFS19
NPN中频晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据7月2日
1999年04月15日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN中频晶体管
特点
低电流（最大30 mA）的
低电压（最大20V） 。
应用
在厚和薄膜介质频率的应用
电路。
描述
在SOT23塑料NPN中频晶体管
封装。
1
BFS19
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
手册， halfpage
3
3
记号
类型编号
BFS19
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
Fig.1
标识代码
(1)
F2
顶视图
1
2
MAM255
2
简体外形（ SOT23 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
30
20
5
30
30
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年04月15日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN中频晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
C
c
C
re
f
T
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
基射极电压
集电极电容
反馈电容
跃迁频率
条件
I
E
= 0; V
CB
= 20 V
I
E
= 0; V
CB
= 20V;牛逼
j
= 100
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10 V
I
E
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0 mA时; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
分钟。
65
650
典型值。
1
0.85
260
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
500
BFS19
单位
K / W
马克斯。
100
10
100
225
740
单位
nA
A
nA
mV
pF
pF
兆赫
1999年04月15日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN中频晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BFS19
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月15日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN中频晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BFS19
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月15日
5
SMD型
晶体管
NPN中频晶体管
BFS19
SOT-23
单位：mm
特点
3
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
低电流（最大30 mA）的
+0.1
2.4
-0.1
低电压（最大20V）
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值牛逼
A
=25
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
最大
30
20
5
30
30
250
150
150
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性T
A
=25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
正向电流传输比
发射极 - 基极电压
跃迁频率
集电极电容
反馈电容
3
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
V
CB
= 20 V，I
E
= 0时，环境温度为100
I
EBO
h
FE
V
BE
f
T
C
C
CRE
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 1.0毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 1.0毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安， F = 100 MHZ
V
CB
= 10 V，I
E
= 1毫安， F = 1 MHZ
V
CB
= 10 V，I
C
= 0 mA时， F = 1兆赫
65
650
260
1
0.85
10
100
225
740
mV
兆赫
pF
pF
ìA
nA
测试条件
I
C
= 100 μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 100 μA ，我
C
= 0
V
CB
= 20 V，I
E
= 0
民
30
20
5
100
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
记号
记号
F2
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
www.kesenes.com
1
查看更多BFS19PDF信息
推荐型号
BF908
B25AC10DL
BS109
B82422A3681K100
B37985N1473M054
BFC233822225
B72205S0231K311
BCW67A-DA
B32343C4012A580
BP5220
BS-C861RD
BTA16-600BRG
BQ24751RHDT
BUS-61569-410Y
B82732W2901B030
BCN102ABI100KJ7
B32560J335M
B32560-J335-M
BZV55-F43
B25AC10KL
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BFS19
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BFS19
Nexperia/安世
21+
21000
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BFS19
Nexperia/安世
24+
7500
SOT-23
100%原装正品，只做原装正品
深圳市川蓝电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ：2801615837 复制

电话：0755-82522939
联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
BFS19
Nexperia/安世
18000
21+
原包装原标现货，假一罚十，
0.1
深圳市裕硕科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ：1909637520 复制
电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
BFS19
NEXPERIA/安世
2024+
9675
SOT-143
优势现货，全新原装进口
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BFS19
NXP
1926+
28562
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BFS19
NEXPERIA
1926+
28562
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BFS19
NXP/恩智浦
1926+
28562
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
BFS19
NXP
2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BFS19
Nexperia/安世
21+
21000
SOT-23
只做原装实单申请
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ：3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ：2480898381 复制

电话：0755-23140719/23915992
联系人：李先生 李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
BFS19
Nexperia/安世
24+
68500
SOT-23
一级代理/放心采购
查询更多BFS19供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！