【部分已淘汰 - 使用BCW68HSOT23封装PNP硅平面中功率晶体管第4期 - 1996年6月PA】,IC型号BCW67A-DA,BCW67A-DA PDF资料,BCW67A-DA经销商,ic,电子元器件-51电子网

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部分已淘汰 - 使用BCW68H

SOT23封装PNP硅平面

中功率晶体管

第4期 - 1996年6月

PARTMARKING细节？

BCW67A ？ DA

BCW67B ？ DB

BCW67C ？ DC

BCW68F ？ DF

BCW68G ？ DG

BCW68H ？卫生署

互补类型？

BCW67 ？ BCW65

BCW68 ？ BCW66

BCW67AR ？

BCW67BR ？

BCW67CR ？

BCW68FR ？

BCW68GR ？

BCW68HR ？

4W

5W

6W

7T

5T

7N

BCW67

BCW68

C

B

E

SOT23

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流（ 10毫秒）

连续集电极电流

基极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

I

B

P

合计

T

j

:T

英镑

BCW67

-45

-32

-5

-1000

-800

-100

330

-55到+150

BCW68

-60

-45

单位

V

V

V

mA

mA

mA

mW

°C

3 - 29

部分已淘汰 - 使用BCW68H

BCW67

BCW68

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

BCW67

BCW68

BCW67

BCW68

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极

截止电流

BCW67

BCW68

发射极 - 基极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

STATIC

前锋

当前

转让

BCW67A

BCW68F

BCW67B

BCW68G

BCW67C

BCW68H

跃迁频率

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

噪声系数

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

h

FE

75

100

35

120

160

60

180

250

100

100

12

18

80

2

10

170

-0.7

符号最小值。 TYP 。 MAX 。单位条件。

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CES

V

（ BR ） EBO

I

CES

-32

-45

-45

-60

-5

-20

-10

-20

-10

-20

-0.3

-2

250

V

A

A

V

I

首席执行官

=-10mA

I

首席执行官

=-10mA

I

C

=-10

A

I

C

=-10

A

I

EBO

=-10

A

V

CES

=-32V

=150

°

C

V

CES

= -32V ，T

AMB

V

CES

=-45V

=150°C

V

CES

= -45V ，T

AMB

V

EBO

=-4V

I

C

= -100mA ，我

B

= -10mA

I

C

= -500mA ，我

B

=-50mA*

I

C

= -500mA ，我

B

=-50mA*

I

C

= -10mA ，V

CE

=-1V

I

C

= -100mA ，V

CE

=-1V*

I

C

= -500mA ，V

CE

=-2V*

I

C

= -10mA ，V

CE

=-1V

I

C

= -100mA ，V

CE

=-1V*

I

C

= -500mA ，V

CE

=-2V*

I

C

= -10mA ，V

CE

=-1V

I

C

= -100mA ，V

CE

=-1V*

I

C

= -500mA ，V

CE

=-2V*

nA

nA

nA

V

V

V

h

FE

250

400

h

FE

350

630

兆赫

pF

pF

dB

f

T

C

CBO

C

EBO

N

I

C

= -20mA ，V

CE

=-10V

F = 100MHz的

V

CBO

= -10V ， F = 1MHz的

V

EBO

= -0.5V ， F = 1MHz的

I

C

= -0.2mA ，V

CE

=- 5V

R

G

=1K

,

f=1KH

f=200Hz

I

C

=-150mA

I

B1

=- I

B2

=-15mA

R

L

=150

开关时间：

开启时间

打开-O FF时间

t

on

t

关闭

100

400

ns

ns

辣妹参数数据可应要求提供此设备

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

3 - 30

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