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BFR183
NPN硅晶体管RF
对于低噪声，高增益宽带放大器在
集电极电流为2 mA至30毫安
f
T
= 8 GHz的
F
= 1.2分贝在900MHz
3
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
2)
R
thjs
1
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S
2For计算的
R
请参考应用笔记热阻
thJA



2
1
VPS05161
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BFR183
最大额定值
参数
记号
RHS
1=B
引脚配置
2=E
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
包
SOT23
价值
12
20
20
2
65
5
450
150
-65 ... 150
-65 ... 150
mW
°C
mA
单位
V
3=C
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
T
S
60 °C
1)

200
K / W
1
Aug-09-2001
BFR183
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 15毫安，
V
CE
= 8 V
h
FE
50
100
200
-
I
EBO
-
-
1
A
I
CBO
-
-
100
nA
I
CES
-
-
100
A
V
（ BR ） CEO
12
-
-
V
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
2
Aug-09-2001
BFR183
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
AC特性
（通过随机抽样核实）
跃迁频率
I
C
= 25毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益，最大可用
1)
I
C
= 15毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
,
-
-
14
8.5
-
-
I
C
= 15毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
1
G
ma
单位
马克斯。
-
0.6
-
-
dB
GHz的
pF
典型值。
8
0.4
0.2
1
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
6
-
-
-
-
-
G
ma
-
-
1.2
2
-
-
16.5
11
-
-
= |
S
21
/
S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)

3
Aug-09-2001
BFR183
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片数据
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
1.0345
14.772
1.2149
3.4276
0.85331
1.0112
23.077
22.746
1.8773
1.1967
1.0553
0
3
fA
V
-
V
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
115.98
0.14562
10.016
0.013483
2.5426
1.3435
1.0792
0.36823
0
0.3
0
0
0.54852
-
A
-
A
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
0.80799
16.818
0.99543
1.3559
0.43801
0.20486
0.45354
0.50905
460.11
0.053823
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
mA
-
fF
ps
mA
V
ns
V
-
度
-
fF
-
-
V
fF
-
V
eV
K
-
-
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。
提取的代表英飞凌科技股份公司通过：
研究所献给美孚- UND Satellitentechnik （ IMST ）
包装等效电路：
L
BI
=
L
BO
=
L
EI
=
L
EO
=
L
CI
=
L
CO
=
C
BE
=
C
CB
=
C
CE
=
0.85
0.51
0.69
0.61
0
0.49
73
84
165
fF
fF
有效高达6GHz
有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的英飞凌科技分销商或销售
办公室获得英飞凌科技的CD -ROM或参阅网址： http://www.infineon.com/silicondiscretes
4
Aug-09-2001

nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF


BFR183
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
500
mW
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
120
°C
P
合计
20
40
60
80
100
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
2
K / W
P
totmax
/ P
totDC
-
10
2
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
5
Aug-09-2001
BFR 183
NPN硅晶体管RF
对于低噪声，高增益宽带放大器在
集电极电流为2 mA至30毫安
f
T
= 8 GHz的
F = 1.2分贝在900MHz
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
订购代码标识
引脚配置
BFR 183
RHS
Q62702-F1316
1=B
2=E
3=C
包
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
符号
值
12
20
20
2
65
5
mW
450
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
≤
200
°C
mA
单位
V
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
1)
T
S
≤
60 °C
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
R
thjs
K / W
1)
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。
半导体集团
1
Dec-11-1996
BFR 183
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
12
-
-
-
-
100
-
V
A
-
100
nA
-
100
A
-
1
-
50
200
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 15毫安，
V
CE
= 8 V
半导体集团
2
Dec-11-1996
BFR 183
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
6
8
0.4
0.2
1
-
GHz的
pF
-
0.6
-
-
dB
-
-
1.2
2
-
-
I
C
= 25毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
C
cb
C
ce
-
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
=
v
be
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
C
eb
-
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
F
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益
2)
G
ma
I
C
= 15毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
Z
L
=
Z
LOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
-
-
14
8.5
-
-
-
-
16.5
11
-
-
I
C
= 15毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
2)
G
ma
= |S
21
/S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)
半导体集团
3
Dec-11-1996
BFR 183
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片数据
IS =
1.0345
fA
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
14.772
1.2149
3.4276
0.85331
2.5426
23.077
22.746
1.8773
1.1967
1.0553
0
3
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
115.98
0.14562
10.016
1.0112
1.3435
1.0792
0.36823
0
0.3
0
0
0.54852
-
A
-
V
-
度
-
fF
-
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
0.80799
16.818
0.99543
1.3559
0.43801
0.20486
0.45354
0.50905
460.11
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
mA
-
V
fF
V
eV
K
0.013483 A
0.053823 -
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。
提取的代表SIEMENS小信号半导体的方式：
研究所献给美孚- UND Satellitenfunktechnik （ IMST ）
1996 SIEMENS AG
包装等效电路：
LBI =
LBO =
雷=
LEO =
LCI =
LCO =
CBE =
建行=
CCE =
0.85
0.51
0.69
0.61
0
0.49
73
84
165
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
有效期至6 GHz
有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的西门子分销商或销售办事处
获得西门子的CD -ROM或参阅网址： http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm
半导体集团
4
Dec-11-1996
BFR 183
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*,
T
S
)
*包装安装在环氧
500
mW
P
合计
400
350
300
250
200
T
S
T
A
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
2
R
thjs
K / W
P
totmax
/P
totDC
-
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
10
1
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
半导体集团
5
Dec-11-1996
BFR183
NPN硅晶体管RF *
对于低噪声，高增益宽带放大器在
集电极电流为2 mA至30毫安
f
T
= 8千兆赫，
F
= 0.9分贝在900MHz
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
*短期描述
3
1
2
ESD
（静电
放）
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BFR183
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
2)
T
S
≤
60 °C
结温
环境温度
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
3)
1
含有铅，
2
T
3
为
记号
RHS
1=B
引脚配置
2=E
3=C
包
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
符号
R
thjs
价值
12
20
20
2
65
5
450
150
-65 ... 150
-65 ... 150
价值
≤
200
单位
V
mA
mW
°C
单位
K / W
包可能是可根据特殊要求
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
2007-03-30
BFR183
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流GAIN-
I
C
= 15毫安，
V
CE
= 8 V ，测量脉搏
h
FE
70
100
140
I
EBO
-
-
1
I
CBO
-
-
100
I
CES
-
-
100
V
（ BR ） CEO
12
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
A
nA
A
-
2
2007-03-30
BFR183
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
（通过随机抽样核实）
跃迁频率
f
T
I
C
= 25毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1 MHz时，
V
BE
= 0 ,
发射极接地
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1 MHz时，
V
BE
= 0 ,
底座接地
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1 MHz时，
V
CB
= 0 ,
集电极接地
噪声系数
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益，最大稳定
1)
I
C
= 15毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 900兆赫
功率增益，最大可用
1)
I
C
= 15毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
I
C
= 15毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8兆赫
1
G
6
-
8
0.37
-
0.57
GHz的
pF
C
cb
C
ce
-
0.2
-
C
eb
-
1.1
-
F
-
-
G
ms
-
0.9
1.4
17.5
-
-
-
dB
dB
G
ma
-
11.5
-
dB
|S
21e
|
2
-
-
14.5
9
-
-
dB
1/2
MA = |
S
21e /
S
器12e | （的k （ K -1）） ，
G
女士= |
S
21 /
S
12|
3
2007-03-30
BFR183
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片的数据：
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
1.0345
14.772
1.2149
3.4276
0.85331
1.0112
23.077
22.746
1.8773
1.1967
1.0553
0
3
fA
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
115.98
0.14562
10.016
0.013483
2.5426
1.3435
1.0792
0.36823
0
0.3
0
0
0.54852
-
A
-
A
-
V
-
度
-
fF
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
0.80799
16.818
0.99543
1.3559
0.43801
0.20486
0.45354
0.50905
460.11
0.053823
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
mA
-
V
fF
-
V
eV
K
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。提取的代表英飞凌科技股份公司通过：
研究所献给Mobil- UND Satellitentechnik （ IMST ）
包装等效电路：
L
BI
=
L
BO
=
L
EI
=
L
EO
=
L
CI
=
L
CO
=
C
BE
=
C
CB
=
C
CE
=
0.85
0.51
0.69
0.61
0
0.49
73
84
165
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
有效高达6GHz
有关示例，并准备使用参数
请联系您当地的英飞凌科技
分销商或销售办事处获得英飞凌
技术的CD - ROM或互联网看到：
http://www.infineon.com
4
2007-03-30
BFR183
总功耗
P
合计
=
(
T
S
)
允许的脉冲负载
R
thjs
=
(
t
p
)
500
mW
10
3
400
K / W
300
250
200
150
100
50
0
0
R
thjs
10
2
350
P
合计
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
1 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
t
p
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
(
t
p
)
10
2
P
totmax
/P
totDC
-
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
5
2007-03-30
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B65819-A315-A48
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B41868W3338M000
B32328-A6606
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BC416
BU-65170G3-112
B43304C2827M002
BZX384-C36
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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