BC237 ， BC237B ， BC237C ，
BC239C
放大器晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
1
2
BASE
符号
V
首席执行官
BC237
BC239
集电极发射极电压
BC237
BC239
集电极发射极电压
BC237
BC239
连续集电极电流 -
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述牛逼
A
= 25°C
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述牛逼
A
= 25°C
工作和存储温度
范围
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
V
EBO
6.0
5.0
100
350
2.8
1.0
8.0
-55到+150
MADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
12
3
V
CES
50
30
VDC
TO92
CASE 29
17风格
45
25
VDC
价值
单位
VDC
3
辐射源
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极发射极电压
记号
图
BC23
xy
AYWW
G
G
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
357
125
单位
° C / W
° C / W
BC23xy =器件代码
X = 7或9的
Y = B或C
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
BC237
BC237G
BC237B
BC237BG
BC237BRL1
BC237BRL1G
BC237BZL1
BC237BZL1G
BC237C
BC237CG
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
5000单位/散装
5000单位/散装
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
BC237/D
1
2006年1月 - 第4版
BC237 ， BC237B ， BC237C ， BC239C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
毫安，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30 V, V
BE
= 0)
(V
CE
= 50 V, V
BE
= 0)
(V
CE
= 30 V, V
BE
= 0) T
A
= 125°C
(V
CE
= 50 V, V
BE
= 0) T
A
= 125°C
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极电压上
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基射极电压ON
(I
C
= 100
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V)
动态特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 0.5毫安， V
CE
= 3.0 V，F = 100兆赫）
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V ， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 10 V，I
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
发射极 - 基极电容
(V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
噪声系数
(I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0 V ，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫）
(I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0 V ，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫，
Df
= 200赫兹）
BC239
BC237
BC239
f
T
BC237
BC239
BC237
BC239
C
敖包
C
IBO
NF
2.0
2.0
2.0
4.0
10
4.0
150
150
100
140
200
280
8.0
4.5
pF
pF
dB
兆赫
h
FE
BC237B
BC237C/239C
BC237
BC237B
BC237C/239C
BC237B
BC237C/239C
V
CE （ SAT ）
BC237/BC239
BC237/BC239
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.55
0.5
0.62
0.83
0.7
0.6
0.83
1.05
V
0.07
0.2
0.2
0.6
V
120
200
380
150
270
290
500
180
300
800
460
800
V
BC237
BC239
BC237
BC239
BC239
BC237
BC239
BC237
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
0.2
0.2
0.2
0.2
15
15
4.0
4.0
nA
mA
45
25
6.0
5.0
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
图1 。
http://onsemi.com
2
BC237 ， BC237B ， BC237C ， BC239C
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
图1.归DC电流增益
带宽积（兆赫）
图2. “饱和度”和“开”电压
400
300
C，电容（pF ）
200
10
7.0
5.0
C
ib
T
A
= 25°C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
3.0
C
ob
2.0
F T ，电流增益
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
图3.电流增益 - 带宽积
图4的电容
R B ，底座扩展电阻（欧姆）
170
160
150
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25°C
140
130
120
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ MADC ）
5.0
10
图5.基地扩展电阻
http://onsemi.com
3
BC237 ， BC237B ， BC237C ， BC239C
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格17 ：
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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