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分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D186
BFQ251
PNP晶体管视频
产品speci fi cation
取代1997年的数据10月2日
1998年10月6日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管视频
特点
高击穿电压
低输出电容
高增益带宽
良好的热稳定性
黄金金属确保
出色的可靠性。
应用
缓冲/驱动器在高分辨率
彩色图形显示器。
描述
在SOT54 PNP晶体管的视频
( TO- 92 )塑料封装。
NPN补充: BFQ231 。
钉扎
BFQ251
页面
1
2
3
MSB033
1
2
3
BASE
描述
集热器
辐射源
Fig.1
简化的轮廓
( SOT54 TO- 92)。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
CER
I
C
P
合计
h
FE
f
T
1. T
s
是在集电针,从体内4毫米的焊接点的温度。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CER
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
笔记
1. T
s
是在集电针,从体内4毫米的焊接点的温度。
2.晶体管安装在一个印刷电路板具有10mm的金属化焊盘面积
2
.
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
结温
T
s
65
°C;
注1和2 ;见图3
发射极开路
开基
R
BE
= 100
集电极开路
条件
65
分钟。
马克斯。
100
65
95
3
300
1
+150
150
V
V
V
V
mA
W
°C
°C
单位
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流( DC )
总功耗
直流电流增益
跃迁频率
T
s
65
°C;
注1
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V
发射极开路
R
BE
= 100
条件
20
分钟。
30
1.3
典型值。
马克斯。
100
95
300
1
GHz的
单位
V
V
mA
W
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V ;牛逼
AMB
= 25
°C
1
1998年10月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管视频
热特性
符号
R
第j个-S
R
日J-一
1. T
s
是在集电针,从体内4毫米的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CER
V
( BR ) EBO
I
CES
I
CBO
h
FE
C
cb
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
条件
I
C
=
0.1
毫安;我
E
= 0
分钟。
100
65
95
3
20
1
典型值。
30
2
1.3
参数
热阻结到焊接点
从结点到环境的热阻
条件
注1
BFQ251
价值
85
185
单位
K / W
K / W
MAX 。 UNIT
100
20
pF
GHz的
V
V
V
V
A
A
集电极 - 发射极击穿电压余
C
=
10
毫安;我
B
= 0
集电极 - 发射极击穿电压余
C
=
10
毫安;
BE
= 100
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 基极电容
跃迁频率
I
E
=
0.1
毫安;我
C
= 0
I
B
= 0; V
CE
=
50
V
I
E
= 0; V
CB
=
50
V
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V ;见图4
I
C
= i
c
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1兆赫;
见图5
I
C
=
50;
V
CE
=
10
V ;见图6
400
手册, halfpage
IC
(MA )
300
MEA232 - 1
MEA228 - 1
1.2
手册, halfpage
P合计
(W)
1.0
0.8
200
0.6
0.4
100
0.2
0
0
20
40
60
80
100
VCEO ( V)
0
0
50
100
150
TS (
o
C)
200
T
AMB
= 25
°C.
图2 DC飙升。
图3功率降额曲线。
1998年10月6日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管视频
BFQ251
MEA231
MEA229
手册,
40
halfpage
6
手册, halfpage
建行
(PF )
的hFE
30
4
20
2
10
0
0
100
200
IC (MA )
300
0
0
10
20
30
40
VCB ( V)
V
CE
=
10
V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.4
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.5
集电极 - 基极电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
手册, halfpage
1.5
MBK897
fr
(千兆赫)
1
0.5
0
0
50
100
我(毫安)
C
150
V
CE
=
10
V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.6
过渡频率的函数
集电极电流;典型值。
1998年10月6日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管视频
包装外形
塑料单端含铅(通孔)包; 3引线
BFQ251
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1998年10月6日
5
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    -
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