飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管视频
特点
高击穿电压
低输出电容
高增益带宽
良好的热稳定性
黄金金属确保
出色的可靠性。
应用
缓冲/驱动器在高分辨率
彩色图形显示器。
描述
在SOT54 PNP晶体管的视频
( TO- 92 )塑料封装。
NPN补充: BFQ231 。
钉扎
BFQ251
页面
1
2
3
MSB033
针
1
2
3
BASE
描述
集热器
辐射源
Fig.1
简化的轮廓
( SOT54 TO- 92)。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
CER
I
C
P
合计
h
FE
f
T
记
1. T
s
是在集电针,从体内4毫米的焊接点的温度。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CER
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
笔记
1. T
s
是在集电针,从体内4毫米的焊接点的温度。
2.晶体管安装在一个印刷电路板具有10mm的金属化焊盘面积
2
.
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
结温
T
s
≤
65
°C;
注1和2 ;见图3
发射极开路
开基
R
BE
= 100
集电极开路
条件
65
分钟。
马克斯。
100
65
95
3
300
1
+150
150
V
V
V
V
mA
W
°C
°C
单位
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流( DC )
总功耗
直流电流增益
跃迁频率
T
s
≤
65
°C;
注1
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V
发射极开路
R
BE
= 100
条件
20
分钟。
30
1.3
典型值。
马克斯。
100
95
300
1
GHz的
单位
V
V
mA
W
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V ;牛逼
AMB
= 25
°C
1
1998年10月6日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管视频
包装外形
塑料单端含铅(通孔)包; 3引线
BFQ251
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1998年10月6日
5