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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第576页 > BF1005SR
BF1005S...
硅N沟道MOSFET四极管
对于低噪声，高增益控制
输入级高达1 GHz
工作电压5 V
集成的偏置网络
漏
AGC
HF
输入
G2
G1
高频输出
+ DC
GND
EHA07215
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BF1005S
BF1005SR
BF1005SW
最大额定值
参数
包
SOT143
SOT143R
SOT343
1=S
1=D
1=D
2=D
2=S
2=S
引脚配置
3=G2
3=G1
3=G1
4=G1
4=G2
4=G2
-
-
-
-
-
-
记号
NZS
NZS
NZ
符号
V
DS
I
D
±I
G1/2SM
+V
G1SE
P
合计
价值
8
25
10
3
200
200
单位
V
mA
V
mW
漏源电压
连续漏电流
门1 / 2门源电流
1号门（外部偏置）
总功耗
T
S
≤
76 ° C， BF1005S ， BF1005SR
T
S
≤
94 ° C， BF1005SW
储存温度
通道温度
T
英镑
T
ch
-55 ... 150
150
°C
注意：
我们不建议在主动模式下使用外部直流电压的1号门。
1
Feb-18-2004
BF1005S...
热阻
参数
道 - 焊接点
1)
BF1005S ， BF1005SR
BF1005SW
符号
R
thChS
≤
370
≤
280
价值
单位
K / W
电气特性
参数
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 650 A,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 0
GATE1源击穿电压
+I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE2源击穿电压
±I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE1源漏电流
V
G1S
= 6 V,
V
G2S
= 0
2号门源漏电流
±V
G2S
= 8 V,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 4 V
工作电流（ selfbiased ）
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V
GATE2源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 100 A
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
符号
分钟。
V
（ BR ） DS
+V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
+I
G1SS
±I
G2SS
I
DSS
I
DSO
V
G2S(p)
12
8
8
-
-
-
8
-
值
典型值。
-
-
-
100
-
-
13
1
马克斯。
-
12
13
-
50
800
16
-
单位
V
A
nA
A
mA
V
2
Feb-18-2004
BF1005S...
电气特性
参数
AC特性
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4.5 V
GATE1输入电容
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 100兆赫
功率增益（自偏置）
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
噪声系数
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
增益控制范围
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V ... 0 V,
f
= 800兆赫
G
p
40
50
-
F
-
1.6
2.1
dB
G
p
20
22
-
dB
C
DSS
-
1.3
-
C
g1ss
-
2.4
2.7
pF
符号
分钟。
（通过随机抽样核实）
g
fs
26
30
-
mS
正向跨导
值
典型值。
马克斯。
单位
3
Feb-18-2004
BF1005S...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF1005S ， BF1005SR
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF1005SW
220
mW
220
mA
180
160
180
160
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
漏电流
I
D
=
(V
G2S
)
插入功率增益
|S
21
| =
(V
G2S
)
20
mA
15
dB
16
-5
|S
21
|
V
14
I
D
12
10
8
6
-15
-25
-35
-45
4
2
0
0
-55
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4.5
-65
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
4.5
V
G2S
V
G2S
4
Feb-18-2004
BF1005S...
正向转移导纳
|Y
21
| =
(V
G2S
)
40
mS
pF
1号门的输入电容
C
g1ss
=
(V
g2s
)
F = 200MHz的
3
32
|Y
21
|
28
24
20
16
12
8
4
0
0
V
C
g1ss
2
1.5
1
0.5
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
4.5
V
G2S
V
G2S
输出电容
C
DSS
=
(V
G2S
)
f
= 200MHz的
3
pF
C
DSS
2
1.5
1
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
4.5
V
G2S
5
Feb-18-2004
BF1005S...
硅N沟道MOSFET四极管
对于低噪声，高增益控制
输入级高达1 GHz
工作电压5 V
集成的偏置网络
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
漏
AGC
RF
输入
G2
G1
RF输出
+ DC
GND
ESD
（静电
放）
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BF1005S
BF1005SR
包
SOT143
SOT143R
1=S
1=D
2=D
2=S
引脚配置
3=G2
3=G1
4=G1
4=G2
-
-
-
-
记号
NZS
NZS
最大额定值
参数
漏源电压
连续漏电流
门1 / 2门源电流
1号门（外部偏置）
总功耗
T
S
≤
76 °C
储存温度
通道温度
1
含有铅，
符号
V
DS
I
D
±I
G1/2SM
+V
G1SE
P
合计
T
英镑
T
ch
价值
8
25
10
3
200
-55 ... 150
150
单位
V
mA
V
mW
°C
包可能是可根据特殊要求
注意：
我们不建议在主动模式下使用外部直流电压的1号门。
1
2007-04-20
BF1005S...
热阻
参数
道 - 焊接点
1)
符号
R
thChS
价值
≤
370
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 650 A,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 0
V
（ BR ） DS
单位
马克斯。
-
12
13
-
50
800
16
-
A
nA
A
mA
V
V
典型值。
-
-
-
100
-
-
13
1
12
8
8
-
-
-
8
-
GATE1源击穿电压
+
I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE2源击穿电压
±
I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE1源漏电流
V
G1S
= 6 V,
V
G2S
= 0
+
V
(BR)G1SS
±
V
(BR)G2SS
+
I
G1SS
±
I
G2SS
I
DSS
I
DSO
V
G2S(p)
2号门源漏电流
±
V
G2S
= 8 V,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 4 V
工作电流（ selfbiased ）
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V
GATE2源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 100 A
1
为
计算
R
thJA请参考应用笔记热阻
2
2007-04-20
BF1005S...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
AC特性
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4.5 V
GATE1输入电容
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 100兆赫
功率增益（自偏置）
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
噪声系数
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
增益控制范围
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V ... 0 V,
f
= 800兆赫
G
p
40
50
-
F
-
1.6
2.1
dB
G
p
20
22
-
dB
C
DSS
-
1.3
-
C
g1ss
-
2.4
2.7
pF
（通过随机抽样核实）
g
fs
26
30
-
mS
正向跨导
典型值。
马克斯。
单位
3
2007-04-20
BF1005S...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF1005S ， BF1005SR
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF1005SW
220
mW
220
mA
180
160
180
160
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
漏电流
I
D
=
(V
G2S
)
插入功率增益
|S
21
| =
(V
G2S
)
20
mA
15
dB
16
-5
|S
21
|
V
14
I
D
12
10
8
6
-15
-25
-35
-45
4
2
0
0
-55
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4.5
-65
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
4.5
V
G2S
V
G2S
4
2007-04-20
BF1005S...
正向转移导纳
|Y
21
| =
(V
G2S
)
40
mS
pF
1号门的输入电容
C
g1ss
=
(V
g2s
)
F = 200MHz的
3
32
|Y
21
|
28
24
20
16
C
g1ss
V
2
1.5
1
12
8
0.5
4
0
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4.5
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
4.5
V
G2S
V
G2S
输出电容
C
DSS
=
(V
G2S
)
f
= 200MHz的
3
pF
C
DSS
2
1.5
1
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
4.5
V
G2S
5
2007-04-20
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B72214S300K101
B82422-A1822-+
BUS-61569-440S
BTS5566G
BD878
BRB-8156T
BL8551-12PRN
B84771A0012A000
BC849BL
BL8509-263ACRM
BUK7E1R9-40E
BD3575FP
BZV49-C3V6
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BF1005SR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BF1005SR
Infineon Technologies
2440+
2000
SOT-143-4
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
BF1005SR
INFINEON
2019
79600
SOT-143
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
BF1005SR
INF
2019
19850
SOT-143
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
BF1005SR
Infineon
25+
4500
SOT-153
全新原装现货特价销售！
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
BF1005SR
Infineon
19+
145000
SOT143
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
BF1005SR
infineon
24+
5000
SOT143
原装正品现货
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BF1005SR
infineon
24+
8000
SOT143
100%原装正品，只做原装正品
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
BF1005SR
INF
18+
12000
SOT143
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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INFINEON/英飞凌
2443+
23000
SOT143
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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12300
SOT143
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