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分立半导体
数据表
BFQ231 ; BFQ231A
NPN晶体管视频
产品speci fi cation
取代1995年11月数据
在分离式半导体文件， SC05
1997年10月2日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN晶体管视频
特点
高击穿电压
低输出电容
高增益带宽
良好的热稳定性
黄金金属确保
出色的可靠性。
应用
缓冲/驱动器在高分辨率
彩色图形显示器。
快速参考数据
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BFQ231
BFQ231A
V
CER
集电极 - 发射极电压
BFQ231
BFQ231A
I
C
P
合计
h
FE
f
T
集电极电流（ DC ）
总功耗
直流电流增益
跃迁频率
BFQ231
BFQ231A
记
T
s
≤
65
°C;
注1
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
1
0.8
R
BE
= 100
20
条件
发射极开路
描述
在SOT54 NPN晶体管视频
（ TO- 92 ）塑料封装。
PNP补充： BFQ251和
BFQ251A.
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
BFQ231 ; BFQ231A
页面
1
2
3
MSB033
Fig.1
简化的轮廓
（ SOT54 TO- 92）。
分钟。
典型值。
马克斯。
100
115
95
110
300
1
单位
V
V
V
V
mA
W
35
1.4
1.2
GHz的
GHz的
1. T
s
是在集电针，从体内4毫米的焊接点的温度。
1997年10月2日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN晶体管视频
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BFQ231
BFQ231A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BFQ231
BFQ231A
V
CER
集电极 - 发射极电压
BFQ231
BFQ231A
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
笔记
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
结温
集电极开路
R
BE
= 100
开基
条件
发射极开路
BFQ231 ; BFQ231A
分钟。
马克斯。
100
115
65
95
95
110
3
300
1
+150
150
V
V
V
V
V
V
V
单位
mA
W
°C
°C
T
s
≤
65
°C;
注1和2 ;见图3
65
1. T
s
是在集电针，从体内4毫米的焊接点的温度。
2.晶体管安装在一个印刷电路板具有10mm的金属化焊盘面积
2
.
热特性
符号
R
第j个-S
R
日J-一
R
个S-A
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
参数
从结点到环境的热阻
从焊接点到环境的热阻
条件
价值
85
185
100
单位
K / W
K / W
K / W
从结热阻焊接点钞1
1997年10月2日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN晶体管视频
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
BFQ231
BFQ231A
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 10毫安;我
B
= 0
BFQ231
BFQ231A
V
（ BR ） CER
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 10毫安;
BE
= 100
BFQ231
BFQ231A
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
h
FE
C
cb
f
T
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 基极电容
跃迁频率
BFQ231
BFQ231A
I
E
= 0.1毫安;我
C
= 0
I
B
= 0; V
CE
= 50 V
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
参数
集电极 - 基极击穿电压
条件
I
C
= 0.1毫安;我
E
= 0
BFQ231 ; BFQ231A
分钟。
100
115
65
95
95
110
3
典型值。
35
1.8
马克斯。
100
20
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V ;见图4 20
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1兆赫;
见图5
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V ;见图6
1
0.8
1.4
1.2
GHz的
GHz的
MEA225 - 1
手册， halfpage
400
MEA228 - 1
1.2
手册， halfpage
P合计
(W)
1.0
IC
（MA ）
300
0.8
200
0.6
0.4
100
0.2
0
0
0
20
40
60
80
100
VCEO （ V）
0
50
100
150
TS （
o
C)
200
T
AMB
= 25
°C.
图2 DC飙升。
图3功率降额曲线。
1997年10月2日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN晶体管视频
BFQ231 ; BFQ231A
MEA227
MEA224
50
手册， halfpage
的hFE
40
6
手册， halfpage
建行
（PF ）
4
30
20
2
10
0
0
100
200
IC （MA ）
300
0
0
10
20
30
VCB （ V）
40
V
CE
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.4
直流电流增益的函数
集电极电流;典型值。
Fig.5
集电极 - 基极电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
MBB476
1.5
手册， halfpage
fT
（千兆赫）
BFQ231
1.0
BFQ231A
0.5
0
0
50
100
IC （MA ）
150
V
CE
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.6
过渡频率的函数
集电极电流;典型值。
1997年10月2日
5
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