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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第598页 > BCP51M
BCP 51M ... BCP 53M
PNP硅晶体管自动对焦
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BCP 54M ... BCP 56M （ NPN ）
4
5
3
2
1
VPW05980
TYPE
BCP 51M
BCP 52M
BCP 53M
订购代码标识引脚配置
AAS
AES
AHS
Q62702 - C2592 1 = B
Q62702-C2593
Q62702-C2594
2=C
3=E
4北卡罗来纳州
5=C
包
SCT-595
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
BCP 51M 52M BCP BCP 53M单位
45
45
5
60
60
5
80
100
5
V
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
≤
77 °C
结温
储存温度
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
1
1.5
100
200
1.7
150
-65...+150
mA
A
mA
W
°C
热阻
交界处的环境
1)
结 - 焊接点
R
thJA
R
thjs
≤98
≤43
K / W
1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 6厘米2铜
半导体集团
半导体集团
1
1
Au
1998-11-01
-11-1998
BCP 51M ... BCP 53M
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
符号
参数
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
BCP 51M
BCP 52M
BCP 53M
45
60
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
-
250
-
0.5
1
V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
BCP 51M
BCP 52M
BCP 53M
45
60
100
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
发射极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CBO
h
FE
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
BE（上）
5
-
-
25
40
25
-
-
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
nA
A
-
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流增益1 ）
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 2 V
直流电流增益1 ）
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 2 V
直流电流增益1 ）
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
V
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基极 - 发射极电压1）
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
AC特性
跃迁频率
f
T
-
100
-
兆赫
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
1 ）脉冲测试：吨
≤
300μS ，D = 2％
半导体集团
半导体集团
2
2
Au
1998-11-01
-11-1998
BCP 51M ... BCP 53M
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 2V
10
3
BCP 51 ... 53
EHP00261
2000
mW
h
FE
1600
1400
5
T
S
10
2
100 C
25 C
-50 C
P
合计
1200
5
1000
800
600
400
200
0
0
T
A
10
1
5
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
0 0
10
10
1
10
2
10
3
10毫安
4
T
A
,T
S
Ι
C
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
2
10
3
R
thjs
10
1
P
totmax
/ P
totDC
K / W
-
10
2
10
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
t
p
半导体集团
半导体集团
3
3
Au
1998-11-01
-11-1998
BCP 51M ... BCP 53M
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(T
A
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CB
= 30V
BCP 51 ... 53
EHP00262
V
CE
= 10 V
10
3
兆赫
最大
BCP 51 ... 53
EHP00260
10
4
Ι
CBO
nA
10
3
f
T
5
10
2
10
2
10
1
典型值
5
10
0
10
-1
0
50
100
C
150
10
1
10
0
10
1
10
2
mA
10
3
T
A
Ι
C
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
BCP 51 ... 53
EHP00263
I
C
=
f
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
4
BCP 51 ... 53
EHP00264
10
4
Ι
C
mA
10
3
100 C
25 C
-50C
Ι
C
mA
10
3
5
100 C
25 C
-50 C
10
2
10
2
5
10
1
10
1
5
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
1.2
10
0
0
0.2
0.4
0.6
V
0.8
V
BESAT
V
CESAT
半导体集团
半导体集团
4
4
Au
1998-11-01
-11-1998
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推荐型号
BQ-N304RD
BZY97C10GP
BUS-63126II-883B
B37981F1103K051
B76010B3379M025
BD35390FJ
B37940R5101J041
B65843-A400-E87
BC251
BZD23-C4V7
BLF202
B43521A5567M000
BS62LV4008PC-55
B32682-A682-J189
B43304B2687M007
B43580A4688M000
BZX79-F7V5
B41570A4220Q000
BFQ231
BC817-16LT3G
供货商
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    BCP51M
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    -
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BCP51M
INF
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